RAM

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隨機(jī)存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。[1]

嵌入式片上存儲器有效使用的方法

嵌入式片上存儲器有效使用的方法

嵌入式教程
2011-08-07

存儲器嵌入式 RAM CPU
東芝簽下盧浮宮LED照明改造項(xiàng)目

近日，東芝法國盧浮宮博物館簽訂合作協(xié)議，承擔(dān)其正在進(jìn)行的照明改造項(xiàng)目“l(fā)ed照明器具以及支援改造工程”，欲通過向全球著名的盧浮宮博物館提供LED照明器具，來擴(kuò)大東芝照明的品牌認(rèn)知度，從而擴(kuò)大照明業(yè)務(wù)。　盧

顯示光電
2011-08-04

東芝 LED照明 LED燈泡 RAM
三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

8月3日消息，三星周二宣布，他們已收購MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。三星表示， Grandis將并入三星研發(fā)部門，專注于下一代存儲技術(shù)的開發(fā)，評估新半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的長期商用價(jià)值。

智能硬件
2011-08-03

三星芯片 AN RAM
三星收購MRAM芯片廠商Grandis

據(jù)外電消息報(bào)道，三星今天宣布收購美國MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲器)廠商Grandis，并表示將把Grandis整合到研發(fā)部門中。Grandis成立于2002年，有約25名員工，尚未發(fā)售一款產(chǎn)品。Grandis的MRAM技術(shù)比傳統(tǒng)技術(shù)更先進(jìn)。傳統(tǒng)

模擬
2011-08-03

三星芯片廠商 AN RAM
三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

北京時(shí)間8月3日早間消息，三星周二宣布，他們已收購MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。三星表示， Grandis將并入三星研發(fā)部門，專注于下一代存儲技術(shù)的開發(fā)，評估新半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的

消費(fèi)電子
2011-08-03

三星芯片 AN RAM
三星已收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

北京時(shí)間8月3日早間消息，三星周二宣布，他們已收購MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。三星表示， Grandis將并入三星研發(fā)部門，專注于下一代存儲技術(shù)的開發(fā)，評估新半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的長

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-08-03

三星芯片 AN RAM
臺積電：產(chǎn)業(yè)波動僅短期且跌幅淺 Q4會轉(zhuǎn)好

臺積電(2330)法說會召開完畢，一如市場預(yù)期，受到客戶調(diào)整訂單影響，臺積電第三季營收將受到?jīng)_擊，會較前季下滑6-8%，且因產(chǎn)能利用率滑落，毛利率也持續(xù)下墜。也由于下半年整體產(chǎn)業(yè)景氣轉(zhuǎn)差，臺積電內(nèi)部也坦承，今年

模擬
2011-07-28

平板電腦 MCU 臺積電 RAM
基于FPGA的可變長度移位寄存器優(yōu)化設(shè)計(jì)

基于FPGA的可變長度移位寄存器優(yōu)化設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2011-07-22

FPGA 觸發(fā)器移位寄存器 RAM
Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)

韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM（spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM）技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的

消費(fèi)電子
2011-07-19

東芝 NI ST RAM
東芝與海力士半導(dǎo)體合作研發(fā)MRAM內(nèi)存技術(shù)

東芝周三（713）宣布與韓國海力士半導(dǎo)體（HynixSemiconductor）合作研發(fā)磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）技術(shù)，今后將在韓國利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才，積極推動此合作計(jì)劃。MRAM是一種低耗電、讀寫速度快

模擬
2011-07-15

半導(dǎo)體內(nèi)存東芝 RAM
澳大利亞電訊國際任命新北亞業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人

7月14日消息，澳大利亞電訊國際13日宣布任命Andrew Wildblood先生為北亞地區(qū)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，該任命自2011年7月1日起生效。Wildblood先生將常駐香港，向澳大利亞電訊國際執(zhí)行董事Phil Mottram匯報(bào)。他將負(fù)責(zé)澳大利亞電訊

通信技術(shù)
2011-07-14

AN RAM
東芝宣布攜手海力士聯(lián)合開發(fā)MRAM產(chǎn)品

（無忌）北京時(shí)間7月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存芯片制造商海力士和東芝周三聯(lián)合宣布，兩家公司將聯(lián)合開發(fā)磁阻隨機(jī)存儲器（MRAM）產(chǎn)品。東芝與海力士共同簽署的聲明稱，一旦MRAM的技術(shù)開發(fā)完成，

消費(fèi)電子
2011-07-14

東芝內(nèi)存芯片海力士 RAM
研究稱2014年亞太地區(qū)將引領(lǐng)全球LTE發(fā)展中日領(lǐng)先

北京時(shí)間7月12日上午消息（艾斯）根據(jù)市場研究公司Pyramid Research一份最新研究報(bào)告顯示，亞太地區(qū)的LTE用戶將會在2014年超過全球其他地區(qū)。并且，日本和中國將成為亞太地區(qū)LTE的引領(lǐng)者。但是，LTE技術(shù)仍需花費(fèi)更長

通信技術(shù)
2011-07-12

LTE RESEARCH LTE網(wǎng)絡(luò) RAM
喀麥隆年內(nèi)舉行移動執(zhí)照拍賣

7/1/2011, Pyramid研究公司最新報(bào)告指出，西非國家喀麥隆將在年底前舉行2張移動運(yùn)營牌照的拍賣。這一拍賣預(yù)計(jì)將極大改變喀麥隆移動通信市場的競爭狀況。目前該國僅有兩家移動運(yùn)營商，是非洲國家中競爭最不激烈的移動

通信技術(shù)
2011-07-05

移動移動通信通信市場 RAM
美國Rambus通過專利技術(shù)使光導(dǎo)材料出光效率超92%

美國Rambus公司新近推出一系列名為PentELic的知識產(chǎn)權(quán)組合，計(jì)劃進(jìn)軍led照明產(chǎn)業(yè)。據(jù)稱，該技術(shù)使用LED側(cè)光式導(dǎo)光板，將微光學(xué)器件嵌入在光導(dǎo)材料中以實(shí)現(xiàn)出光角度的控制，從而從光導(dǎo)中獲得更多的光線，使出光效率達(dá)

顯示光電
2011-06-29

光學(xué) 反射 LED照明 RAM
圖像的二維提升小波變換的FPGA實(shí)現(xiàn)

圖像的二維提升小波變換的FPGA實(shí)現(xiàn)

嵌入式教程
2011-06-28

小波變換 BSP FPGA實(shí)現(xiàn) RAM
Rambus控告海力士與美光共謀排擠　索賠129億美元

根據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，美國存儲器業(yè)者Rambus于美國時(shí)間20日向加州一家法院提起反柯斷訴訟，該公司指控韓國存儲器業(yè)者海力士(Hynix)與美國存儲器廠商美光(Micron)2廠非法共謀，意欲將Rambus排擠出存儲器芯片市場。

半導(dǎo)體
2011-06-27

美光海力士 DRAM芯片 RAM
Samsung (Memory) 三星第一款使用PRAM的MCP

三星第一款使用PRAM的MCP 此款三星的 512Mb MCP PRAM 與 40nm NOR Flash的軟硬件功能皆相容，此MCP可帶給移動電話設(shè)計(jì)人員相當(dāng)?shù)谋憷浴ｎA(yù)計(jì)PRAM將成為在NOR Flash之后消費(fèi)性電子設(shè)計(jì)使用的主要內(nèi)存技術(shù)。

智能硬件
2011-06-22

SAMSUNG MEMORY MCP RAM
海力士美光稱Rambus手段可恥將失敗歸結(jié)他人

（中濤）北京時(shí)間6月22日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)和美光科技(Micron Technology)周二表示，Rambus在PC內(nèi)存芯片市場的一些手段“非?？蓯u”，并將其市場失敗的

消費(fèi)電子
2011-06-22

美光內(nèi)存芯片海力士 RAM
Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀索賠129億美元

（明軒）北京時(shí)間6月21日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，美國存儲芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開審的反壟斷訴訟案中指出，韓國存儲芯片制造商海力士和美國存儲芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Ramb

消費(fèi)電子
2011-06-21

美光存儲芯片海力士 RAM

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RAM

嵌入式片上存儲器有效使用的方法

東芝簽下盧浮宮LED照明改造項(xiàng)目

三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

三星收購MRAM芯片廠商Grandis

三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

三星已收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

臺積電：產(chǎn)業(yè)波動僅短期且跌幅淺 Q4會轉(zhuǎn)好

基于FPGA的可變長度移位寄存器優(yōu)化設(shè)計(jì)

Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)

東芝與海力士半導(dǎo)體合作研發(fā)MRAM內(nèi)存技術(shù)

澳大利亞電訊國際任命新北亞業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人

東芝宣布攜手海力士聯(lián)合開發(fā)MRAM產(chǎn)品

研究稱2014年亞太地區(qū)將引領(lǐng)全球LTE發(fā)展中日領(lǐng)先

喀麥隆年內(nèi)舉行移動執(zhí)照拍賣

美國Rambus通過專利技術(shù)使光導(dǎo)材料出光效率超92%

圖像的二維提升小波變換的FPGA實(shí)現(xiàn)

Rambus控告海力士與美光共謀排擠　索賠129億美元

Samsung (Memory) 三星第一款使用PRAM的MCP

海力士美光稱Rambus手段可恥將失敗歸結(jié)他人

Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀索賠129億美元

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