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高交會(huì)系列之ROHM：電源之外亦有新天地
2015年11月16日～11月21日，中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))在深圳會(huì)展中心隆重舉行。高交會(huì)集成果交易、產(chǎn)品展示、高層論壇、項(xiàng)目招商、合作交流于一體，是目前中國(guó)規(guī)模最大、最具影響力的科技類展會(huì)，有&
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紀(jì)念I(lǐng)ntel 4004處理器44周年：感謝沒眼光的日本人
Intel的成功始于44年前的4004處理器，這是世界首款商用處理器，原本做存儲(chǔ)器的Intel公司自此踏上了處理器領(lǐng)域，背后的根源則是日本電子公司的短視。
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過擴(kuò)大我們?cè)诮K端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品
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Qorvo在升級(jí)DOCSIS3.1中結(jié)合GaN on SiC及先進(jìn)的封裝技術(shù)從而降低成本，增加帶寬并節(jié)省電路板空間
移動(dòng)設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo，Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品，旨在加速高速有線電視 (CATV) DOCSIS 3.
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性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳
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日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%
日立制作所和日立汽車系統(tǒng)公司2015年9月28日宣布，面向混合動(dòng)力車和純電動(dòng)汽車開發(fā)出了高效率、高功率的逆變器。與日立的原產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的電力損耗削減60%，相同體積下
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變頻器重點(diǎn)技術(shù)的開發(fā)現(xiàn)狀
1 概述安川電機(jī)公司自1974 年對(duì)電動(dòng)機(jī)控制用的晶體管變頻器實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化以來，一直推動(dòng)著電力電子技術(shù)與微電子技術(shù)的進(jìn)展，為變頻器驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域提供了配置最新技術(shù)的先進(jìn)產(chǎn)品。近
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不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件
用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件，由于對(duì)所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大，其未來的技術(shù)發(fā)展動(dòng)向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。ROHM針對(duì)這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)
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SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)
21ic訊，日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)
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2015 ROHM科技展，盡顯“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”
在物聯(lián)網(wǎng)潮流的推動(dòng)下，圍繞家居以及生活的智能化成為了全球科技企業(yè)爭(zhēng)相投入重兵的領(lǐng)域。據(jù)Juniper Research最新研究，到2018年，智能家居市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到710億美元，中國(guó)智能家居市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1396億人民幣，約
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2015 ROHM科技展，盡顯“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”
在物聯(lián)網(wǎng)潮流的推動(dòng)下，圍繞家居以及生活的智能化成為了全球科技企業(yè)爭(zhēng)相投入重兵的領(lǐng)域。據(jù)Juniper Research最新研究，到2018年，智能家居市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到710億美元，中國(guó)智能家居市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1396億人民幣，約占全球總規(guī)模的32%。其實(shí)，智能家居還只是智能生活的一小部分，包括智能建筑、智能交通、智能醫(yī)療等跟我們的生活息息相關(guān)的方方面面，都屬于智能生活的范疇?？梢灶A(yù)見，未來智能生活的市場(chǎng)容量可謂空前，這也為智能設(shè)備的基礎(chǔ)--電子元器件提供了巨大商機(jī)?；诖吮尘埃琑OHM于2015年6月~8月在全國(guó)5個(gè)城市舉辦了以 “羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題的“2015 ROHM科技展”。
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探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起
第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的
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東芝：導(dǎo)入先進(jìn)材料CaN、SiC 促成發(fā)展新機(jī)遇
在剛剛過去的中秋假日，21ic記者造訪了位于日本石川縣能美市的加賀東芝電子株式會(huì)社。加賀東芝電子是東芝集團(tuán)的子公司，成立于1984年12月，占地面積超過23萬平方米，主要生產(chǎn)白光LED、分立器件、功率器件等產(chǎn)品，是東
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無
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工作溫度超350度的集成電路問世
6月19日，據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)消息，美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和
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美設(shè)計(jì)出工作溫度超350度集成電路 可用于航空航天
據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C(大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金（NSF）提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、
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