安森美的SiC及GaN產(chǎn)品

在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實(shí)里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。

美高森美的SiC解決方案的開發(fā)工作

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。

為啥說(shuō)SiC在功率器件領(lǐng)域更具有競(jìng)爭(zhēng)力？

如今在需求龐大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上，來(lái)自工藝材料方面的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，傳統(tǒng)硅材料和新興的SiC、GaN工藝各有擁躉。不過，在當(dāng)前的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，SiC的綜合優(yōu)勢(shì)似乎更具有競(jìng)爭(zhēng)力。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半

SiC產(chǎn)業(yè)化，多項(xiàng)第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)通過評(píng)審

6月27日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”）第三批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿評(píng)審會(huì)舉行，對(duì)6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿進(jìn)行評(píng)審。據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟消息，與會(huì)專家一致同意以下6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初

電動(dòng)汽車上的“全SiC”功率器件，系關(guān)鍵要素

作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，在沉寂了一段時(shí)間之后，SiC功率元器件終于在汽車市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長(zhǎng)機(jī)會(huì)的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。據(jù)了解，基于SiC的功率半導(dǎo)體先前主要用于電動(dòng)汽車的車載充

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新成果

2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì)議上發(fā)表該文章。

深入剖析碳化硅：羅姆為你揭示背后的成本秘密

作為第三代半導(dǎo)體中的明星，碳化硅因?yàn)槠洫?dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到各方青睞。尤其是時(shí)下電動(dòng)汽車市場(chǎng)的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價(jià)格問題使得其應(yīng)用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪?目前主要應(yīng)用領(lǐng)域?成本與硅相比差多少?發(fā)展前景如何?最近，碳化硅主要供應(yīng)商羅姆半導(dǎo)體公司舉辦座談會(huì)，羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心所長(zhǎng)水原德建先生就這些問題進(jìn)行了詳細(xì)介紹。

新能源汽車被重視，SiC 元器件為何迎來(lái)爆發(fā)？

作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，在沉寂了一段時(shí)間之后，SiC功率元器件終于在汽車市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長(zhǎng)機(jī)會(huì)的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。

安森美半導(dǎo)體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動(dòng)器

安森美半導(dǎo)體，在德國(guó)紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。

Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產(chǎn)品，助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

汽車、工業(yè)、太空和國(guó)防領(lǐng)域越來(lái)越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。今日，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）通過其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。該系列器件具有良好的耐用性，以及寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)。它們將與Microchip各類單片機(jī)和模擬解決方案形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，加入Microchip不斷壯大的SiC產(chǎn)品組合，滿足電動(dòng)汽車和其他大功率應(yīng)用領(lǐng)域迅速發(fā)展的市場(chǎng)需求。

Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產(chǎn)品，助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互聯(lián)和安全的嵌入式控制解決方案的領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商。 其易于使用的開發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠創(chuàng)建最佳設(shè)計(jì)，從而在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)減少系統(tǒng)總成本，縮短上市時(shí)間。Microchip的解決方案為工業(yè)、汽車、消費(fèi)、航天和國(guó)防、通信以及計(jì)算市場(chǎng)中12.5萬(wàn)多家客戶提供服務(wù)。Microchip總部位于美國(guó)亞利桑那州Chandler市，提供出色的技術(shù)支持、可靠的產(chǎn)品交付和卓越的質(zhì)量。

全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器可最大程度提高效率及安全性

碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能，能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù)，這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。

安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長(zhǎng)的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級(jí)NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢(shì)帶到重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

安森美推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。

顯著節(jié)約能耗，德州儀器推出首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率德州儀器(TI) (納斯達(dá)克代碼: TXN)近日推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。它們不僅能夠提供出色的監(jiān)控能力，還可為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。

新的電源轉(zhuǎn)換標(biāo)桿：英飛凌CoolGaN可圈可點(diǎn)

未來(lái)十年，基于氮化鎵的器件市場(chǎng)總值有望超過10億美元，從市場(chǎng)的分布來(lái)說(shuō)，電源類產(chǎn)品大概占到整個(gè)市場(chǎng)的40%左右。在汽車類的應(yīng)用可能起步得比較晚，但是它的成長(zhǎng)非?？?，未來(lái)汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用是一個(gè)非常大的應(yīng)用。

廈門第三代半導(dǎo)體SiC生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月可產(chǎn)30萬(wàn)顆

廈門芯光潤(rùn)澤科技有限公司自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線，于9月18日正式投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，兩個(gè)月來(lái)，該生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月生產(chǎn)規(guī)?？蛇_(dá)30萬(wàn)顆，每年可達(dá)360萬(wàn)顆。