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愛(ài)普科技擴(kuò)大S-SiCap?技術(shù)應(yīng)用版圖 滿足AI與HPC新需求
新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）產(chǎn)品線持續(xù)深化技術(shù)布局，聚焦AI服務(wù)器與高性能計(jì)算（HPC）的整合挑戰(zhàn)。S-SiCapTM產(chǎn)品線涵蓋分離式硅電容（...
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VisIC宣布完成2,600萬(wàn)美元B輪融資
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬(wàn)美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社...
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破局固態(tài)斷路器應(yīng)用，安森美SiC JFET因何成為最優(yōu)解
斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過(guò)電流、過(guò)載及短路損壞的器件。機(jī)電式斷路器 (EMB) 作為業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)器件，包含兩個(gè)獨(dú)立觸發(fā)裝置：一個(gè)是雙金屬片，響應(yīng)速度較慢，由過(guò)電流觸發(fā)跳閘；另一個(gè)則是電磁裝置，響應(yīng)速度較快，由短路觸發(fā)啟動(dòng)。EMB 擁有設(shè)定好的跳閘電流（通常為固定值），具備瞬時(shí)跳閘（電磁觸發(fā)）和延時(shí)跳閘（熱觸發(fā)/雙金屬片觸發(fā)）兩種特性，可穩(wěn)妥可靠地應(yīng)對(duì)短路與過(guò)載情況。
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EliteSiC柵極驅(qū)動(dòng)器匹配全指南：關(guān)鍵設(shè)計(jì)要點(diǎn)解析
本指南旨在針對(duì)各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo)，同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中的電壓與電流效率。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊，提高效率和可靠性
薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時(shí)降低寄生電感，實(shí)現(xiàn)更潔凈的開(kāi)關(guān)特性
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三安碳化硅芯片成功上車，攜手理想開(kāi)啟戰(zhàn)略合作新篇章
長(zhǎng)沙2025年11月28日 /美通社/ -- 近日，三安光電旗下的湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱"湖南三安"）在長(zhǎng)沙隆重舉行以"全‘芯'力量，共赴理想"為主題的三安碳化硅芯片上車儀式。此次活動(dòng)不僅是對(duì)湖南三安車規(guī)級(jí)碳化硅芯片在性能、可...
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800V高壓平臺(tái)“破局”：從SiC器件到扁線電機(jī)，全鏈路升級(jí)如何實(shí)現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航300公里？
當(dāng)新能源汽車駛?cè)搿案邏簳r(shí)代”，一場(chǎng)關(guān)于充電效率的革命正以摧枯拉朽之勢(shì)重塑行業(yè)格局。2025年，800V高壓平臺(tái)滲透率從2022年的2.5%飆升至15%，主流車型充電時(shí)間壓縮至12分鐘，部分技術(shù)標(biāo)桿甚至實(shí)現(xiàn)“充電5分鐘續(xù)航300公里”的突破。這一跨越式發(fā)展的背后，是SiC功率器件、扁線電機(jī)、電池?zé)峁芾淼热溌芳夹g(shù)的協(xié)同進(jìn)化，共同編織出一張覆蓋充電、驅(qū)動(dòng)、熱管理的技術(shù)網(wǎng)絡(luò)。
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三安半導(dǎo)體攜技術(shù)洞見(jiàn)亮相CPEEC & CPSSC 2025賦能高效能源未來(lái)
深圳2025年11月12日 /美通社/ -- 11月7日至10日，中國(guó)電源領(lǐng)域規(guī)模最大、影響力最廣的行業(yè)盛會(huì)——CPEEC & CPSSC 2025在深圳寶安國(guó)際會(huì)展中心舉辦。三安光電旗下湖南三安半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱"三安半導(dǎo)體"）作為國(guó)內(nèi)碳化硅...
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體積更小且支持大功率!ROHM開(kāi)始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
中國(guó)上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲(chǔ)能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
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GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計(jì)與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場(chǎng)景，功率電子器件正經(jīng)歷一場(chǎng)由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨(dú)特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對(duì)高頻電路設(shè)計(jì)與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
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功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動(dòng)出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開(kāi)創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動(dòng)，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢(shì)。
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來(lái)更高靈活度
【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開(kāi)合作，推動(dòng)彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來(lái)，客戶可同時(shí)從英飛凌與羅姆采購(gòu)兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶在設(shè)計(jì)與采購(gòu)環(huán)節(jié)的便利性。
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AC-DC電源中SiC MOSFET與超結(jié)MOSFET的對(duì)比選型：開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡分析
在AC-DC電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率器件的選型直接影響系統(tǒng)效率、體積與成本。隨著第三代半導(dǎo)體材料的突破，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低損耗特性，逐漸在高壓、高頻場(chǎng)景中替代傳統(tǒng)硅基器件。而超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET作為硅基器件的升級(jí)方案，通過(guò)電荷平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡。本文將從開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡視角，結(jié)合實(shí)際案例與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，深入分析兩種器件的技術(shù)特性與選型策略。
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度
中國(guó)上海，2025年9月22日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
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羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國(guó)上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia Shanghai)。屆時(shí)，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì)，分享其最新的電力電子解決方案。
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TrendForce集邦咨詢: 2Q25全球牽引逆變器裝機(jī)量年增19%，增程式電動(dòng)車助力SiC機(jī)種普及
Sept. 10, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球電動(dòng)車逆變器市場(chǎng)數(shù)據(jù)》，2025年第二季受惠純電動(dòng)車(BEV)銷售成長(zhǎng)，全球電動(dòng)車(注1)牽引逆變器裝機(jī)量達(dá)766萬(wàn)臺(tái)，年增19%。從動(dòng)力模式分析，BEV的裝機(jī)比例為52%，繼2024年第一季后再度位列第一，甚至超越油電混合車(HEV)、插電混合式電動(dòng)車(PHEV)、增程式電動(dòng)車(REEV)等混合動(dòng)力車的合計(jì)占比。
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搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開(kāi)始量產(chǎn)
中國(guó)上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫，以下簡(jiǎn)稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開(kāi)始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國(guó)大型汽車制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
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e絡(luò)盟全面開(kāi)售 Nexperia 廣泛新品組合
中國(guó)上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類型。2024 年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過(guò) 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴(kuò)展，e絡(luò)盟緊跟其不斷擴(kuò)大的產(chǎn)品組合，擴(kuò)充了自身的庫(kù)存產(chǎn)品型號(hào)范圍，以便更精準(zhǔn)的服務(wù)全球工程師。
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X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務(wù)
XG035 dMode工藝將提供MPW、原型設(shè)計(jì)及量產(chǎn)服務(wù)
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拆解安森美核心光伏方案：從器件到系統(tǒng)，全面推動(dòng)能效提升
太陽(yáng)能逆變器種類豐富，可按類型（集中式、組串式、微型）或終端應(yīng)用場(chǎng)景（住宅、商業(yè)、公用事業(yè)）進(jìn)行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點(diǎn)而應(yīng)用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級(jí)，單臺(tái)逆變器的功率水平與功率密度持續(xù)提升，而單價(jià)和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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