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  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅和氮化鎵應(yīng)用介紹

    PCIM Europe德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展，創(chuàng)辦于1979年，每年一屆，至今已經(jīng)有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運(yùn)動和電能質(zhì)量最具影響力的博覽會，也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會。PCIM Europe以其高質(zhì)量的專業(yè)觀眾，成為享譽(yù)電力電子行業(yè)的專業(yè)國際性展會。

  • SiC 推動電源應(yīng)用的創(chuàng)新

    在過去的四十年里，由于采用了更好的設(shè)計和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限，特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們在非常高的頻率下開關(guān)的能力方面。

  • PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅部分

    德國紐倫堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕，PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博覽會,也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會,繼連續(xù)兩年舉辦線上展會后,于今年終于回歸線下。

  • 貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

    2022年6月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。

  • 電源設(shè)計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

    SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅(qū)動器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當(dāng)設(shè)計者編程時會發(fā)生這種情況。

  • 智能能源時代的 SiC

    隨著硅達(dá)到功率器件的理論性能限制，電力電子行業(yè)一直在向?qū)拵恫牧?WBG) 過渡?；谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術(shù)的 WBG 功率半導(dǎo)體器件提供的設(shè)計優(yōu)勢可提高應(yīng)用性能，包括：低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸，所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性，從而提高了設(shè)備的總預(yù)期壽命和運(yùn)行穩(wěn)定性。

    功率器件
    2022-05-07
    SiC WBG

  • ATFX2022年第二季《交易者雜志》正式上線

    （全球TMT2022年4月30日訊）近期，匯集2022年第二季度展望的ATFX《交易者雜志》正式上線，分析師團(tuán)隊從專業(yè)的視角為投資者提供內(nèi)容詳盡的深度行情解讀。此次《交易者雜志》的全球分析團(tuán)隊更大強(qiáng)大。ATFX不但再次添加了兩位中東和北非市場分析師Mohamed Nabawy和...

  • 安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案

    USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設(shè)計

  • 羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal成立25周年　

    全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)迎來了成立25周年紀(jì)念日。

    ROHM
    2022-04-21
    晶圓 羅姆 SiC

  • 寬帶隙 (WBG) 材料在電源應(yīng)用的前景

    寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應(yīng)用的成本效益分析中幸存下來，電動汽車可能會推動采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導(dǎo)體可產(chǎn)生超過 95% 的潛在效率，大大擴(kuò)展范圍。 功率轉(zhuǎn)換器是利用可再生能源進(jìn)行運(yùn)輸和工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵組件。為了促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計所需的進(jìn)步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)。

  • SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

    在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。

    功率器件
    2022-04-15
    SiC GaN

  • 英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

    【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。

  • 如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？

    ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。

    劉巖軒
    2022-03-02
    SiC ST GaN

  • 一文解讀！搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)！

    2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導(dǎo)體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽(yù)院長、中國有色金屬工業(yè)協(xié)會特邀副會長屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導(dǎo)體要做好頂層設(shè)計，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長聯(lián)半導(dǎo)體為您介紹如何搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。

  • 車規(guī)級SiC供應(yīng)商桑德斯，填補(bǔ)國內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白

    2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。

  • 通過SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實現(xiàn)電動汽車行駛里程拓展的承諾

    目前有兩大因素影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動我們的汽車，同時重新設(shè)計支撐電動汽車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，以最大程度地提高功效比，進(jìn)而增加電動汽車的行駛里程。

  • 環(huán)旭電子預(yù)計2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

    搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。

  • 即刻報名 | 直播啦！先進(jìn)汽車電子方案大薈萃

    點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著汽車功能電子化、自動駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進(jìn)展，汽車的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個人交通的界限。如何使汽車更輕、續(xù)航更遠(yuǎn)、實現(xiàn)更高級別的自動駕駛并提升先進(jìn)安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術(shù)和方案提供“相輔相成”的力量和最先...

  • 第三代半導(dǎo)體潮起，我國GaN射頻市場迎何機(jī)遇？

    第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

  • 派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

    自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。