近期紫光國芯旗下西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司網(wǎng)站顯示，其DDR4內(nèi)存模組已經(jīng)發(fā)布。

該公司的DDR4模塊采用兩種非緩沖DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM開發(fā)。

U型DIMM是 “SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM在2個(gè)模型“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。

集微網(wǎng)消息，紫光國芯1月23日在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓，有利于更低的功耗。

同時(shí)，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。

紫光于近期成功打造出中國第一款自主研發(fā)的電腦DDR4內(nèi)存，其DRAM顆粒完全自主研發(fā)。從網(wǎng)上曝光的圖片來看，內(nèi)存上有紫光國芯(UnilC)標(biāo)識，單條容量為4GB。

長久以來我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直是個(gè)很大的短板，目前我國CPU處理器的研發(fā)已在運(yùn)算和消費(fèi)領(lǐng)域均有巨大突破，而內(nèi)存方面上，隨著市場上同類產(chǎn)品價(jià)格的逐步攀升，我國內(nèi)存存儲的自主創(chuàng)新、研發(fā)能力也越發(fā)顯得尤為重要。

西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司，是在原德國奇夢達(dá)科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，2015年，紫光集團(tuán)旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導(dǎo)體有限公司，更名為西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司。

該公司核心業(yè)務(wù)是存儲器的設(shè)計(jì)開發(fā)、量產(chǎn)、銷售以及集成電路設(shè)計(jì)開發(fā)服務(wù)。此外，國家科技重大專項(xiàng)“核高基”和國家高技術(shù)發(fā)展計(jì)劃“863”等存儲器領(lǐng)域的研究項(xiàng)目西安紫光國芯均有參與。