目前大約 46% 的電力用于電機。冰箱、空調(diào)、電動火車和工業(yè)自動化中的電機數(shù)以百萬計。這占 2011 年總用電量的 46%。隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展，預(yù)計多年來能源和電力消耗將顯著增加。

轉(zhuǎn)換效率，尤其是在電力使用方面，是一個重要因素。幾千伏的電力可能來自架空電力線。然后必須降低電壓以提供為計算機 CPU 供電所需的 0.8 V。這需要許多轉(zhuǎn)換過程。

“多年來，在轉(zhuǎn)換效率方面取得了巨大進步，”Lidow 說。“當我在 1970 年代后期開始從事這一領(lǐng)域的工作時，雙極晶體管是功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件，具有將電從一種電壓轉(zhuǎn)換為另一種電壓的不同方式。然而，隨著 MOSFET 及其表親 IGBT 的問世，我有幸參與了 MOSFET 開發(fā)的初期，并且是該領(lǐng)域的先驅(qū)者之一。而且我認為現(xiàn)在已經(jīng)確定，從雙極型切換到 MOSFET 可以節(jié)省 30% 到 40% 的電能。更高的速度，更低的生產(chǎn)成本，更小的尺寸，

我們現(xiàn)在正在經(jīng)歷另一場革命：從硅過渡到氮化鎵和碳化硅等寬帶隙半導(dǎo)體。Lidow 表示，GaN 和 SiC 將在新用途中逐漸取代 MOSFET 和 IGBT，最終在未來幾年內(nèi)占所有新應(yīng)用的 100%。

Lidow 表示，由于采用了 GaN，可以節(jié)省大量能源。首先，我們可以節(jié)省大約 30% 的電源使用的能源。然后太陽能電池板產(chǎn)生的大約 20% 的能量現(xiàn)在可以通過使用 GaN 來保存，這使得太陽能電池板的效率大大提高。還可以節(jié)省額外 10% 的用于運動的電力。

因此，估計可節(jié)省超過 1,000 TWh 的巨大潛力，或幾乎是當今電力消耗的總能源的 8%。電動汽車是一種經(jīng)常被提及的將石油轉(zhuǎn)化為能源的方法。圖 2 描繪了 2012 年全球能源使用情況，其中 51% 用于工業(yè)用途。相當于 2300 兆噸石油用于運輸，占總量的 26.6%(1 兆噸石油對應(yīng) 11.63 TWh)。

“然而，底線是運輸每年消耗 26,750 TWh，其中 70% 是道路車輛，總計 18,700 TWh，這些道路車輛中只有不到 1% 是電動的，”Lidow 說。“如果世界轉(zhuǎn)向電動交通，市場將有巨大的機會。”

電池電動汽車使用的能源約為內(nèi)燃機汽車的三分之一，這代表了顯著的節(jié)能效果。如果所有汽車都改用電動汽車，每年將節(jié)省約 12,000 TWh?，F(xiàn)在，GaN 或 SiC 可以為這些汽車的電機提供動力。與硅相比的優(yōu)勢約為 10% 到 15%。因此，預(yù)計每年的總節(jié)能從 100 到 1,800 TWh 不等。

結(jié)論

在這個世界上不斷增加的能源消耗怎么辦?“我開始這個旅程的想法是，我會通過提高能源效率為世界做一些偉大的事情;那么我們都會消耗更少的能源并減少對環(huán)境的污染，”Lidow 說。“但后來我意識到這是一個神話。我想消除的神話是，你不能通過提高能源效率來減少能源消耗。相反，你可能會創(chuàng)造更多的能源需求。”

Lidow 舉了一個例子：假設(shè)在一年內(nèi)，你用了 1000 美元的電來驅(qū)動你的汽車。好多啊。讓我們假設(shè)汽車的效率提高了 10%。因此，您花費了 900 美元而不是 1,000 美元來為您的汽車供電。剩下的 100 美元你打算做什么?您將把它花在有自己的能源小時成本的事情上。所以最后，你提高了你的生活水平，你又增加了 100 美元的花費，但你并沒有減少你的能源消耗。

讓我們檢查一下能源消耗。根據(jù) Lidow 的 2018 年預(yù)測，能源消耗預(yù)計將增加，交通、商業(yè)、住宅和工業(yè)部門也是如此。結(jié)果，需求大幅增加，這是全球生活水平不斷提高的結(jié)果。

“我一開始就說過，能源成本會影響所有其他成本，”利多說?！耙虼?，通過降低能源的真實成本，人們可以生活得更好。我們的問題是在不破壞環(huán)境的情況下減少生活費用或提高生活水平?！?

驅(qū)動因素是能源成本，該成本受到期外清理費用的嚴重影響。正如 Lidow 所說，要為世界做出正確的決定，我們必須將清潔成本納入能源使用成本。

這種經(jīng)濟變化將推動能源選擇朝著對環(huán)境和社會最負責任的選擇方向發(fā)展。Lidow 說：“生活水平的提高推動了新能源的使用。能源效率可能會直接提高全球生活水平，而寬帶隙半導(dǎo)體，特別是 GaN 的到來將做出重大貢獻。”