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[導(dǎo)讀]微距追趕時代,中科智芯的先進封裝技術(shù)——扇出封裝憑借其在產(chǎn)品良率、可靠性、制造成本、規(guī)模化量產(chǎn)速度等優(yōu)勢,得到了市場的廣泛認可。

歷經(jīng)多年的發(fā)展和沉淀,半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)在市場研發(fā)中已經(jīng)越來越成熟,如今已有數(shù)百種封裝類型。而在這數(shù)百種封裝類型中,扇出型封裝技術(shù)日益火熱起來,其更被認為是延續(xù)和超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)方案。微距追趕時代,中科智芯的先進封裝技術(shù)——扇出封裝憑借其在產(chǎn)品良率、可靠性、制造成本、規(guī)?;慨a(chǎn)速度等優(yōu)勢,得到了市場的廣泛認可。

在這里,我們將向大家介紹扇出封裝技術(shù)的優(yōu)勢和關(guān)鍵工藝。

一、扇出封裝技術(shù)優(yōu)勢

自2000年以來,晶圓級封裝WLP已被廣泛采用并投入生產(chǎn),其中大部分封裝和測試都是以完整的晶圓形式完成的。WLP不需要中間集成電路(IC)基板,因此可以被更薄的封裝外形所容納,并且可以直接安裝到主板上。扇出封裝(FO)特有的是互連超越芯片邊緣,支持多芯片、2.5D和3D封裝解決方案。FO技術(shù)可用于制造再分布層(RDL)轉(zhuǎn)接板,這是2.5D封裝的低成本替代方案。此外,F(xiàn)O技術(shù)有助于垂直方向的多芯片堆疊,從而實現(xiàn)3D封裝解決方案。輸入/輸出(IO)密度可伸縮性極為靈活,還具有通過2D、2.5D和3D結(jié)構(gòu)將無源和有源芯片集成在同一個封裝中的這些優(yōu)勢和極大的小型化潛力,使其成為半導(dǎo)體封裝的首選技術(shù)之一。

FO-WLP是一種多功能半導(dǎo)體封裝技術(shù),可用于各種關(guān)鍵應(yīng)用,如分離式大型處理器芯片、移動APE、汽車?yán)走_和RF、音頻編解碼器、PMIC和潛在的5G封裝天線(AiP)。與傳統(tǒng)的fiip芯片相比,它具有更薄的封裝尺寸、更高的RF性能、更高的I/O密度和更低的熱阻等優(yōu)點。除了扇出電氣I/O外,它還可用于各種2.5D和3D多芯片集成。今天,F(xiàn)O-WLP已經(jīng)從低端封裝技術(shù)發(fā)展成為高性能、高性價比的集成平臺,如圖1所示。

微距追趕時代,中科智芯的殺手锏是什么?

圖1:扇出封裝市場驅(qū)動因素路線圖

扇出封裝的趨勢是走向更多的集成,而FO-WLP是未來擴展到異構(gòu)集成的潛在候選。這為新的MCMs(多芯片模塊)、PoPs(層疊封裝)和sip提供了可實施性。FO-WLP的與眾不同在于能夠嵌入多種芯片(獨立于芯片類型、尺寸或側(cè)面),允許多種集成可能性:小芯片、大芯片、堆疊或并排多芯片;單芯片和多芯片配置的2D解決方案;2.5D轉(zhuǎn)接板解決方案;3D SiP和PoP解決方案,可包括面對面(有源芯片正面對芯片背面)或面對面(有源芯片正面對有源芯片正面或F2F)選項;或者與無源和有源組件的異構(gòu)集成。

FO封裝技術(shù)正在滲透更高端的I/O密度,遠遠超過每平方毫米18個,以及更精細的RDL,L/S測量值遠低于5微米/5μm。TSMC和日月光分別以其FO on substrate technology InFO_oS和FoCoS投入生產(chǎn),用于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。未來五年,封裝尺寸將超過25mm × 25mm,L/S將走向2微米/2微米及以下。rdl的數(shù)量將增加到4個及以上,封裝厚度(不含BGA)將達到150μm。

隨著技術(shù)的進步(更高的I/O數(shù)、RDL數(shù)、TMV、芯片持續(xù)等),集成度更高的FO架構(gòu)(如PoP和SiP)將會被廣泛應(yīng)用。不同終端應(yīng)用的FO技術(shù)路線圖如圖2所示。

微距追趕時代,中科智芯的殺手锏是什么?

圖2:不同終端應(yīng)用的FO技術(shù)路線圖

二、扇出封裝關(guān)鍵工藝

扇出封裝技術(shù)在不同的OSAT形成各自的技術(shù)平臺,歸納起來主要有三種做法:die first/face up、die first/face down和RDL first。以業(yè)內(nèi)技術(shù)較成熟、市場應(yīng)用較廣的eWLB扇出技術(shù)為例,其工藝路線如下圖3。

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圖3:eWLB工藝流程

eWLB工藝流程分為以下三大部分:

1、Re-con(晶圓重構(gòu) wafer reconstitution):將來料晶圓通過研磨、劃片分割成單獨的芯粒,再將這些芯粒貼合拼在同一個金屬載板上后,通過塑封的方式將這些晶粒重新構(gòu)成一片EMC晶圓;

2、RDL(再布線):在重構(gòu)的EMC晶圓上通過金屬薄膜濺射、光刻、電鍍、去膠、刻蝕等工藝實現(xiàn)芯片內(nèi)電路的再分布;

3、封裝成型(Backend):在芯粒再布線形成的焊盤上植入焊球完成芯片的電路連接,然后將封裝好的package通過刀片分割成一個單獨的實體后包裝出貨。

近年來,中科智芯一直堅持創(chuàng)新,在先進封裝技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)厚積薄發(fā),不斷夯實在行業(yè)發(fā)展地位。芯片制造工藝的發(fā)展不會停滯,無論是現(xiàn)在還是未來,中科智芯都將精準(zhǔn)把握市場趨勢、緊扣科技脈搏,為推動芯片封裝技術(shù)的發(fā)展貢獻力量。

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