2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU)近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? (霄龍) 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使內(nèi)存帶寬在 STREAM 基準測試中翻倍，并在特定的高性能計算 (HPC)工作負載中將性能提升2倍，例如計算流體動力學(xué)(OpenFOAM)、天氣研究與預(yù)報(WRF)建模和 CP2K 分子動力學(xué)。

美光高級副總裁兼計算及網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部總經(jīng)理 Raj Hazra 表示：“美光不斷引領(lǐng)業(yè)界轉(zhuǎn)向 DDR5 市場。如今的算法越來越倚賴內(nèi)存，它們需要更高的內(nèi)存性能和可靠性才能從海量的數(shù)據(jù)中獲取洞察。DDR5 極大提升了支撐這些算法所需的系統(tǒng)內(nèi)存能力，從而持續(xù)提升下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的價值。”

AMD EPYC 產(chǎn)品管理企業(yè)副總裁 Ram Peddibhotla 表示：“第四代 AMD EPYC 處理器不僅能持續(xù)提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心工作負載的性能標準，同時還能提供卓越的能效。它將改變客戶運營數(shù)據(jù)中心的模式 —— 加快價值實現(xiàn)的時間，降低總體擁有成本，幫助企業(yè)實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標?！?

在STREAM基準性能測試中，美光將第四代AMD EPYC 處理器系統(tǒng)搭配美光 DDR5(4800 MT/s)組合與第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)和美光DDR4(3200 MT/s)組合進行了對比。在第四代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)加持下，美光 DDR5實現(xiàn)了每插槽 378 GB/s 的峰值內(nèi)存帶寬，而搭配第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)的DDR4峰值內(nèi)存帶寬僅為 189 GB/s。測試顯示系統(tǒng)內(nèi)存帶寬提升了兩倍。

美光攜手 AMD 評估了第三代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR4 組合對比第四代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR5組合在三種高性能計算工作負載(OpenFOAM、WRF和CP2K)中的表現(xiàn)。第四代 AMD EPYC 處理器平臺搭配美光 DDR5 組合將 OpenFOAM 性能提高了2.4倍，WRF性能提高了2.1倍，CP2K性能提高了2.03倍。

聯(lián)想基礎(chǔ)設(shè)施解決方案集團高性能計算與人工智能業(yè)務(wù)副總裁 Scott Tease 表示：“隨著建模和仿真以及機器學(xué)習(xí)工作負載在高性能計算和人工智能中的持續(xù)增長，客戶要求內(nèi)存解決方案能夠最大限度地提高有效帶寬。在整個開發(fā)和驗證階段，我們與美光密切合作，致力于滿足性能密集型工作負載的需求。DDR5 加速推動內(nèi)存性能進入新紀元，助力我們交付下一代平臺?！?

美光在 JEDEC 制定 DDR5 內(nèi)存規(guī)范的過程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，同時也是最早向客戶出樣 DDR5 的廠商之一。美光的技術(shù)賦能計劃(TEP)是業(yè)內(nèi)首個同類計劃，幫助系統(tǒng)設(shè)計人員盡早獲得關(guān)鍵的內(nèi)部資源，從而協(xié)助他們進行 DDR5 的驗證和認證。美光致力于在整個生態(tài)系統(tǒng)中開展合作，并將持續(xù)在領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品路線圖上進行投入。