綜合臺媒報道，泰國主辦的2022年亞太經濟合作會議(APEC)于19日結束，臺積電創(chuàng)始人張忠謀出席此會議，并于今(21)日在中國臺灣舉辦返臺記者會。中國臺灣在半導體供應鏈的角色、臺積電與各國及地區(qū)的投資合作依舊是外界關注焦點。張忠謀于記者會上總結了參加APEC的經歷，并回應了臺積電對美投資等熱點話題。會上，他表示可能將3nm轉移至中國臺灣以外地區(qū)，例如美國。擴大投資，美國將有三個臺積電工廠。

在曼谷出席APEC相關會議時，張忠謀便表示，去美國生產的成本比在中國臺灣至少高50%，但這并不排斥把一部分“美國最需要的、比其他公司先進的產能”移到美國。

據悉，臺積電赴美國亞利桑那州投資12英寸晶圓廠，將于12月6日舉行開幕典禮。亞利桑那州工廠最快于2024年量產。臺積電指出，隨著機器設備到廠，意味廠房已部分完工，接下來將為遷入第一批用于半導體制造的尖端設備做好準備;亞利桑那州5納米廠約于18個月前動工，建設進度如預期，將于2024年開始量產，月產能2萬片。據悉，未來臺積電還會有6架包機，運送超過千名中國臺灣工程師到亞利桑那?；蛟S還有第三個臺積電美國工廠。此前中國臺灣供應鏈消息人士“手機晶片達人”便表示，除了傳聞中將導入3納米制程的亞利桑那第二工廠，臺積電還有考慮在美國東岸的弗吉尼亞州投建第三座晶圓廠。

產能加速轉移，3nm也要到美國，張忠謀日前“將不排斥把一部分先進產能移到美國生產”的言論引起返臺記者會追問。張忠謀進一步表示，不止5nm，臺積電還考慮將3nm轉移至美國。

當被問到“臺積電最先進的3nm制程是否可能轉移到別的地區(qū)，如美國”時， 張忠謀回答“對”。 張忠謀繼續(xù)表示，現在有一個計劃，不過還沒有完全敲定，應該說是差不多敲定，就是在同一個亞利桑那州。張忠謀還表示：“3nm是phase 2(第二階段)，5nm是phase 1(第一階段)?！薄笆謾C晶片達人”今(21)日爆料，亞利桑那州代工廠除了原來的5nm制程2萬片產能T1，再增加3nm制程2萬片產能T2，目前正開始安排人力規(guī)劃。

針對臺積電對美投資的部分，張忠謀在返臺記者會上表示，臺積電現在在美國亞利桑那州的投資，即5nm制程，是美國最先進的制程。根據臺媒《聯(lián)合報》的報道，亞利桑那廠為臺積電近年規(guī)劃的在海外最大的投資案，斥資超過120億美元，也是首座切入5nm先進制程的芯片工廠，獲得美方高度重視。

張忠謀也透露，他本人將與太太一同出席亞利桑那州“首部機器移機”典禮，美國商務部長已應邀與臺積電生態(tài)伙伴共同參加典禮。臺積電對美國總統(tǒng)拜登也發(fā)出了邀請，但拜登暫未回應。張忠謀在美國智庫布魯金斯學會發(fā)表談話時曾表示，美國芯片制造業(yè)的擴張并沒有足夠的人才支持，同時美國制造成本太高，臺積電赴美建廠是在美國政府的“敦促”下決定的。

本周一，臺積電創(chuàng)始人張忠謀對媒體證實，該公司已經“差不多敲定”，計劃在位于美國亞利桑那州的新工廠生產3納米(nm)芯片。

作為全球最大的芯片代工廠，臺積電正在美國亞利桑那州建設一座價值120億美元的工廠。臺積電此前曾透露，亞利桑那州工廠建成后采用5nm制程工藝，預計2024年投產，每月將量產2萬片晶圓。

不過近期，市場有傳聞猜測，臺積電將推動這座亞利桑那工廠擴產，未來很可能將其技術升級到3nm工藝。

本周一，臺積電創(chuàng)始人張忠謀對媒體證實了這一消息。

當被媒體問及“臺積電目前最先進的3納米芯片技術是否有可能轉移到別的國家，例如美國?”時，張忠謀回答：“對?！?

他接著補充道：“臺積電目前有一個3納米芯片的計劃，不過還沒有完全敲定，應該說是差不多敲定?！?

他透露，3納米工廠和5納米工廠將位于亞利桑那州的同一個地點，“這個項目幾乎已經敲定——在亞利桑那州的同一個地點。5納米是phase 1(第一階段)，3納米是phase 2(第二階段)?！?

臺積電在亞利桑那的工廠目前已經基本建設完成，將于12月6日舉行“移機典禮”。張忠謀透露，屆時臺積電的客戶、供應商以及美國商務部長雷蒙多都將出席。此外，美國總統(tǒng)拜登也受到了邀請，但尚不確定拜登是否會出席。

臺積電目前在美國已經有一座制造工廠，即華盛頓州Camas的晶圓十一廠，不過這里僅是8寸晶圓，采用工藝為28nm及以上制程。亞利桑那工廠將是臺積電在美國的第二個生產基地。

現在先進工藝上，三星這幾年一直落后于臺積電，但是3nm節(jié)點上三星搶先了，6月底就宣布量產了，比臺積電至少提前半年時間。

然而三星的3nm量產除了一家礦卡公司采用之外，一直沒有大客戶支持，之前傳聞還有個手機芯片廠商，但是到現在也沒有見到產品爆料。

三星3nm為何雷聲大雨點小?其實廠商謹慎是對的，三星在良率方面多少都有不太好的歷史，3nm工藝不僅上了新一代的GAA晶體管，同時也更依賴EUV工藝，大規(guī)模生產良率很難保證，之前傳聞三星的4nm工藝良率也只有35%，先進一代的工藝只怕更難了。

三星也在想辦法優(yōu)化改良工藝，韓國媒體爆料說三星跟美國Silicon Frontline公司達成了合作協(xié)議，雙方的合作有段時間了，成果會體現在3nm工藝上。

Silicon Frontline的技術可以減少晶圓加工中的缺陷，也就是說提高芯片的良率，兩家公司對彼此的技術合作很滿意，但具體提升多少良率還沒有相應數據公布。

對三星來說，只要芯片工藝技術問題能夠解決，從臺積電手中搶到份額不是問題，高通前不久發(fā)布二代驍龍8的時候也明確表態(tài)了，會繼續(xù)跟三星合作，最快2年內就用上GAA工藝，也就是說三星的3nm工藝是有戲的。

一直以來，晶圓廠們在推進先進制程上，是馬不停蹄的。

28nm后就是14nm，再是10nm，再7nm、5nm、4nm、3nm。目前的技術是3nm，而預計2025年是2nm，2027年是1.4nm……

晶圓廠們?yōu)楹芜@么急著推進制程，一是不想自己落后，甚至在與友商的競爭中，脫穎而出，成為引領者;二是為了利益，更先進的工藝，價格更貴，毛利率也更高，更便于賺錢。

不過，晶圓廠們不斷的推進先進制程，芯片廠商們，其實是有苦難言的，因為必須跟隨著晶圓廠們的步伐，被挾裹住了。

因為當晶圓廠們到了5nm，就要使用上5nm;晶圓廠們到了4nm，就要使用4nm，否則友商使用了，自己又不用，又沒競爭力了。

但使用先進工藝真的值得么?有必要么?只怕是要打一個問號的，原因在于價格貴了好多倍，但性能提升有限，非常沒有性價比。