長 鑫 存 儲“雙芯"亮相IC China,首發(fā)DDR5高端新品最高速率達8000Mbps
11月23日,長 鑫 存 儲 在IC China2025(中國國際半導體博覽會)上正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列:最高速率達8000Mbps,最高顆粒容量24Gb,均達到國際領先水平,并同步推出覆蓋服務器、工作站及個人電腦全領域的七大模組產(chǎn)品。
此次長 鑫 存 儲 以“雙芯共振,5力全開”為主題,同臺展示了最新DDR5系列產(chǎn)品以及最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端內存。其兩大產(chǎn)品系列速率、容量雙維度均位居業(yè)界第一梯隊,標志其產(chǎn)品性能與布局已全面達到全球主流高端水準,國產(chǎn)存儲芯片具備與國際一線大廠同臺競技的技術實力。
隨著處理器核心數(shù)量與AI模型規(guī)模持續(xù)增長,算力系統(tǒng)對內存速率的需求大幅提升。長 鑫 存 儲最新發(fā)布的8000 Mbps DDR5 芯片,較6400Mbps產(chǎn)品速率提升25%。當前市場基準中,6400Mbps代表服務器與高端PC的主流性能層級,而8000Mbps則已邁入國際頂級性能梯隊。
在內存容量上,長 鑫 存 儲在標準16Gb 顆粒以外,重點推出24Gb大容量顆粒,對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心具有顯著優(yōu)勢,能在不占用額外物理插槽的前提下,顯著提升系統(tǒng)的模型加載能力與多任務處理效率,滿足數(shù)據(jù)中心快速擴容的剛需。
長 鑫 存 儲依托先進的顆粒,推出了完整的模組產(chǎn)品矩陣,本次展出的七大模組實現(xiàn)從云到邊緣端的全場景涵蓋:覆蓋數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級服務器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM,適配主流臺式機與PC的UDIMM,滿足筆記本電腦和緊湊型設備的 SODIMM,以及面向高端超頻與工作站市場的CUDIMM、CSODIMM等新型時鐘驅動模組。其中,在占據(jù) DRAM最大份額的服務器市場,長 鑫 存 儲RDIMM提供多種容量,覆蓋主流平臺內存配置;在MRDIMM等前沿領域的布局,顯示長 鑫已具備支持下一代服務器平臺與新型互連標準的實力。
長 鑫 存 儲此次展出的面向下一代高算力需求場景的CUDIMM、CSODIMM模組,緊跟國際標準組織JEDEC于2024年發(fā)布的產(chǎn)品標準。上述新型產(chǎn)品作為DDR5向更高頻率演進的關鍵形態(tài),通過集成 CKD(時鐘驅動芯片),有效解決高頻信號衰減的瓶頸,為PC與工作站運行更高頻率提供了堅實保障。
近期長 鑫 存 儲新品發(fā)布動作頻頻,本次同臺展示了10月最新發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品,該產(chǎn)品為針對移動市場旗艦產(chǎn)品開發(fā)的低功耗內存,最高速率10667Mbps,并涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。
長 鑫 存 儲市場中心負責人駱曉東表示,當前DRAM需求的爆發(fā)式增長對市場供給、價格都帶來了巨大的影響,中國需要有穩(wěn)定的國產(chǎn)DRAM產(chǎn)能供應,通過產(chǎn)能擴張和規(guī)模效應,減少對海外廠商產(chǎn)能的依賴。
在全球存儲市場迎來AI驅動的超級周期的背景下,長 鑫 存 儲系列高端產(chǎn)品的發(fā)布不僅強化了具有國際競爭力的產(chǎn)品線,精準契合市場對高端產(chǎn)品的海量需求,為全球存儲市場提供多元選擇,并將拉動服務器、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)生態(tài)升級,推動整個產(chǎn)業(yè)鏈向高附加值環(huán)節(jié)選代。





