11月23日，長 鑫 存 儲 在IC China2025（中國國際半導(dǎo)體博覽會）上正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。

此次長 鑫 存 儲 以“雙芯共振，5力全開”為主題，同臺展示了最新DDR5系列產(chǎn)品以及最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端內(nèi)存。其兩大產(chǎn)品系列速率、容量雙維度均位居業(yè)界第一梯隊，標(biāo)志其產(chǎn)品性能與布局已全面達到全球主流高端水準(zhǔn)，國產(chǎn)存儲芯片具備與國際一線大廠同臺競技的技術(shù)實力。

隨著處理器核心數(shù)量與AI模型規(guī)模持續(xù)增長，算力系統(tǒng)對內(nèi)存速率的需求大幅提升。長 鑫 存 儲最新發(fā)布的8000 Mbps DDR5 芯片，較6400Mbps產(chǎn)品速率提升25%。當(dāng)前市場基準(zhǔn)中，6400Mbps代表服務(wù)器與高端PC的主流性能層級，而8000Mbps則已邁入國際頂級性能梯隊。

在內(nèi)存容量上，長 鑫 存 儲在標(biāo)準(zhǔn)16Gb 顆粒以外，重點推出24Gb大容量顆粒，對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心具有顯著優(yōu)勢，能在不占用額外物理插槽的前提下，顯著提升系統(tǒng)的模型加載能力與多任務(wù)處理效率，滿足數(shù)據(jù)中心快速擴容的剛需。

長 鑫 存 儲依托先進的顆粒，推出了完整的模組產(chǎn)品矩陣，本次展出的七大模組實現(xiàn)從云到邊緣端的全場景涵蓋：覆蓋數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級服務(wù)器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM，適配主流臺式機與PC的UDIMM，滿足筆記本電腦和緊湊型設(shè)備的 SODIMM，以及面向高端超頻與工作站市場的CUDIMM、CSODIMM等新型時鐘驅(qū)動模組。其中，在占據(jù) DRAM最大份額的服務(wù)器市場，長 鑫 存 儲RDIMM提供多種容量，覆蓋主流平臺內(nèi)存配置；在MRDIMM等前沿領(lǐng)域的布局，顯示長 鑫已具備支持下一代服務(wù)器平臺與新型互連標(biāo)準(zhǔn)的實力。

長 鑫 存 儲此次展出的面向下一代高算力需求場景的CUDIMM、CSODIMM模組，緊跟國際標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC于2024年發(fā)布的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。上述新型產(chǎn)品作為DDR5向更高頻率演進的關(guān)鍵形態(tài)，通過集成 CKD（時鐘驅(qū)動芯片），有效解決高頻信號衰減的瓶頸，為PC與工作站運行更高頻率提供了堅實保障。

近期長 鑫 存 儲新品發(fā)布動作頻頻，本次同臺展示了10月最新發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品，該產(chǎn)品為針對移動市場旗艦產(chǎn)品開發(fā)的低功耗內(nèi)存，最高速率10667Mbps，并涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。

長 鑫 存 儲市場中心負(fù)責(zé)人駱曉東表示，當(dāng)前DRAM需求的爆發(fā)式增長對市場供給、價格都帶來了巨大的影響，中國需要有穩(wěn)定的國產(chǎn)DRAM產(chǎn)能供應(yīng)，通過產(chǎn)能擴張和規(guī)模效應(yīng)，減少對海外廠商產(chǎn)能的依賴。

在全球存儲市場迎來AI驅(qū)動的超級周期的背景下，長 鑫 存 儲系列高端產(chǎn)品的發(fā)布不僅強化了具有國際競爭力的產(chǎn)品線，精準(zhǔn)契合市場對高端產(chǎn)品的海量需求，為全球存儲市場提供多元選擇，并將拉動服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)生態(tài)升級，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈向高附加值環(huán)節(jié)選代。