二季度以來，與AI相關(guān)的芯片市場正在經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。持續(xù)多年的AI熱潮為何在今年集中體現(xiàn)在芯片價(jià)格上？

此前AI技術(shù)多停留在模型訓(xùn)練與小規(guī)模驗(yàn)證階段，如互聯(lián)網(wǎng)大廠的AI產(chǎn)品以探索、測試為主，業(yè)務(wù)滲透率相對較低。但今年以來，AI業(yè)務(wù)邁入高滲透期：AI產(chǎn)品已成熟上線，業(yè)務(wù)滲透率大幅提升，傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品也在加速AI重構(gòu)，帶動(dòng)用戶交互頻次顯著增加。需求的大幅增加直接引發(fā)了與AI相關(guān)的各類芯片品類價(jià)格飆升，從GPU到光模塊芯片，再到ASIC等品類，最終傳導(dǎo)至直接構(gòu)建起AI算力底座的存儲(chǔ)芯片。

根據(jù)Counterpoint Research的最新預(yù)測，存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)在2025年底前將再上漲30%，并在2026年上半年進(jìn)一步上漲20%。這一現(xiàn)象表面上是價(jià)格波動(dòng)，背后卻是技術(shù)革命對傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)格局的徹底重塑。

行業(yè)周期性與AI需求激增，驅(qū)動(dòng)芯片漲價(jià)潮

業(yè)內(nèi)分析指出，一方面，芯片價(jià)格上漲延續(xù)了行業(yè)固有的周期性波動(dòng)規(guī)律，價(jià)格起伏是市場供需關(guān)系的正常反映；另一方面，此次暴漲的核心驅(qū)動(dòng)力在于AI產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長。在行業(yè)周期性與AI需求激增的共同推動(dòng)下，價(jià)格上漲趨勢已從最核心的AI GPU，蔓延到了數(shù)據(jù)中心內(nèi)部高速連接所需的光模塊芯片、執(zhí)行特定AI任務(wù)的專用芯片（ASIC）等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，進(jìn)一步加劇了目前全球芯片制造與封裝產(chǎn)能的緊張。其中，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)尤為明顯，其缺貨漲價(jià)對硬件OEM與ODM廠商的沖擊持續(xù)擴(kuò)大。存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路飆升，手機(jī)廠商陷入“有錢難搶貨”的困境，部分廠商甚至放緩采購節(jié)奏，以避免盈利進(jìn)一步受損。

而造成存儲(chǔ)芯片價(jià)格飆升的原因是市場供應(yīng)端全面轉(zhuǎn)軌向具備高帶寬、低功耗、低延遲的HBM產(chǎn)品。

AI算力需求巨幅增長下首要面臨的是“內(nèi)存墻”的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度已無法滿足萬億參數(shù)模型的海量處理需求。這一瓶頸直接催生了新一代存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)：高帶寬內(nèi)存（HBM），通過3D堆疊多個(gè)DRAM芯片，利用硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速度的倍增，已成為AI算力的核心存儲(chǔ)基建，更從本質(zhì)上推動(dòng)了市場變革——單臺AI服務(wù)器的DRAM配置需求已飆升至傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，這也直接造成了市場供應(yīng)端的壓力。

HBM需求擠占傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)能：3倍產(chǎn)能消耗下的DRAM供應(yīng)鏈困局

然而，HBM的繁榮背后是對傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能和供給的劇烈沖擊。美光首席財(cái)務(wù)官Sumit Sadana在“2025 KeyBank技術(shù)大會(huì)”上公開表示，“HBM結(jié)構(gòu)復(fù)雜，其晶圓產(chǎn)能消耗量達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)DRAM的3倍以上。”

這種結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能傾斜嚴(yán)重?cái)D占了通用DRAM的生產(chǎn)資源，直接導(dǎo)致DDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)缺口擴(kuò)大，這一影響已在全球范圍內(nèi)顯現(xiàn)。騰訊科技分析，內(nèi)存漲價(jià)的直接原因是AI巨頭們對HBM存儲(chǔ)的需求，擠占DRAM顆粒產(chǎn)能，同時(shí)HBM的產(chǎn)能爭奪是導(dǎo)致當(dāng)前通用DRAM供應(yīng)短缺和價(jià)格上漲的主要因素之一。

國際產(chǎn)能轉(zhuǎn)移加劇“芯片荒”，下游產(chǎn)業(yè)鏈承壓

與此同時(shí)，國際頭部廠商的市場戰(zhàn)略調(diào)整進(jìn)一步加劇了供應(yīng)緊張。據(jù)《財(cái)經(jīng)》報(bào)道，2025年4月，三星、SK海力士、美光等國際大廠已相繼發(fā)布DDR4的EOL（產(chǎn)品生命周期結(jié)束）通知，大幅減產(chǎn)或停產(chǎn)DDR4產(chǎn)品。存儲(chǔ)行業(yè)具備極強(qiáng)的頭部帶動(dòng)效應(yīng)，三大原廠的紛紛停產(chǎn)也直接帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體向DDR5及HBM產(chǎn)能的直接遷移，國內(nèi)頭部存儲(chǔ)廠也同步調(diào)整其產(chǎn)能快速跟隨，從而與全球產(chǎn)業(yè)的整體節(jié)奏一致以保持市場競爭力。

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移與產(chǎn)品迭代的雙重影響下，國內(nèi)芯片市場供應(yīng)“青黃不接”的現(xiàn)象尤為突出。對此，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍表示，存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺以及價(jià)格上漲，導(dǎo)致手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等行業(yè)客戶拿貨趨于謹(jǐn)慎。據(jù)集邦科技預(yù)測，2026年通用DRAM市場將出現(xiàn)供應(yīng)缺口，供需之間的裂痕，正通過價(jià)格信號被急劇放大。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，此次芯片價(jià)格上漲并非由幾家廠商所主導(dǎo)，而是AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展引發(fā)的行業(yè)性結(jié)構(gòu)變革，疊加產(chǎn)能戰(zhàn)略調(diào)整后的必然結(jié)果。隨著HBM4等新一代產(chǎn)品的量產(chǎn)，產(chǎn)能競爭將進(jìn)一步加劇，短期內(nèi)市場供需緊張格局或難以緩解，芯片價(jià)格高位運(yùn)行態(tài)勢可能持續(xù)。