萬物互聯(lián)的時代，連接聯(lián)網(wǎng)無處不在。物理層PHY作為通信連接的底層技術(shù)，其性能與可靠性直接影響芯片的通信效率、穩(wěn)定性和終端產(chǎn)品的用戶體驗。目前，物理層PHY多通過IP授權(quán)獲取，而沁恒微電子選擇靈活性更高的自研路徑，是國內(nèi)極少數(shù)自研超高速USB3.0 PHY并實現(xiàn)批量應(yīng)用的企業(yè)。通過自研PHY和RISC-V處理器，沁恒接口芯片和MCU不僅避免了對外源技術(shù)的依賴，更實現(xiàn)了通信效率和整芯功耗的優(yōu)化，為客戶提供了高效穩(wěn)定的解決方案。

自研PHY和處理器，充分響應(yīng)市場需求

在通信接口方面，沁恒自研技術(shù)覆蓋有線和無線通信，不僅自研超高速USB3.0 PHY、藍(lán)牙射頻、以太網(wǎng)PHY、Type-CPDPHY等多種芯片底層技術(shù)，還研發(fā)上層的控制器、協(xié)議棧和應(yīng)用軟件。這種“從底層PHY到上層應(yīng)用”的全鏈貫通，提升了連接技術(shù)各個層級的銜接效率，是沁恒芯片性能和高效的基礎(chǔ)，也形成了PHY、控制器、協(xié)議棧和透傳芯片在內(nèi)的豐富接口芯片，為各類連接聯(lián)網(wǎng)需求提供了多樣化的產(chǎn)品選擇。

在處理器方面，其自研的青稞RISC-V處理器經(jīng)過八年發(fā)展，覆蓋低功耗到高性能等不同層次。其中，青稞V5F內(nèi)核性能達(dá)到5.73 CoreMark/MHz，高于Arm高性能M7內(nèi)核?；谧匝刑幚砥髋c接口技術(shù)的矩陣組合，沁恒構(gòu)建了面向高速通信連接、藍(lán)牙組網(wǎng)互聯(lián)、Type-C電源功率管理、電機(jī)控制等多領(lǐng)域的百余款MCU/SoC產(chǎn)品。這種全自研的技術(shù)體系，不僅免去了外源技術(shù)的授權(quán)費(fèi)和提成費(fèi)，避免了斷供風(fēng)險，還在降低芯片功耗的同時提升了集成度。例如，基于青稞V4內(nèi)核的CH32V203，運(yùn)行功耗較傳統(tǒng)F103大幅下降，還提供雙USB接口。

自研技術(shù)構(gòu)建特色產(chǎn)品

在接口芯片方面，5Gbps超高速USB3.2 Gen1 HUB芯片CH634憑借沁恒自研PHY原生支持流行的Type-C接口，無需外圍模擬開關(guān)即可實現(xiàn)Type-C的正反插自動識別，保障了信號的完整性和通信質(zhì)量。CH634還支持高達(dá)100W的Type-C功率傳輸和上下行口交換，無需外部PD芯片，即可讓拓展塢在高速通信的同時給筆記本電腦高效供電，也為雙主機(jī)共享設(shè)備、設(shè)備角色動態(tài)轉(zhuǎn)換等創(chuàng)新應(yīng)用提供了簡捷、高效的解決方案。

在MCU方面，沁恒互連型MCU實現(xiàn)了接口PHY的全內(nèi)置和一體化設(shè)計，不但有利于降低EMI，還提升了接口通信效率。例如，RISC-V雙核MCU芯片CH32H417的USB3.0通信速度高達(dá)450MB/s，還提供500MB/s高速并口、225MB/s數(shù)字圖像接口及1.5Gbps SerDes等高性能接口，大幅簡化了工業(yè)相機(jī)、高端數(shù)據(jù)采集設(shè)備的方案復(fù)雜度，是目前市面上少數(shù)支持USB3.0的通用MCU芯片。

以技術(shù)融合賦能市場應(yīng)用

得益于PHY和處理器等芯片底層技術(shù)的全自研，沁恒接口芯片與互連型MCU在性能、功耗、連接能力等方面表現(xiàn)出色。青稞RISC-V系列芯片成熟商用超五年，年出貨量超億顆，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)和計算機(jī)手機(jī)周邊等領(lǐng)域，為下游應(yīng)用提供了高效、穩(wěn)定、高集成度的解決方案。