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[導(dǎo)讀]1月8日消息,據(jù)權(quán)威機構(gòu)消息,2026年初DDR5、HBM等高端存儲芯片價格繼續(xù)飆升,部分服務(wù)器內(nèi)存模組單價已突破500萬元,市場供不應(yīng)求。

1月8日消息,據(jù)權(quán)威機構(gòu)消息,2026年初DDR5、HBM等高端存儲芯片價格繼續(xù)飆升,部分服務(wù)器內(nèi)存模組單價已突破500萬元,市場供不應(yīng)求。

此輪漲價的核心推手,是北美頭部云服務(wù)廠商(CSP)為搶占AI基礎(chǔ)設(shè)施先機,不惜重金鎖定產(chǎn)能。

業(yè)內(nèi)透露,這些云巨頭在采購DRAM和NAND時,愿支付比手機廠商高出50%至60%的溢價。

這直接導(dǎo)致原廠將80%以上先進(jìn)制程產(chǎn)能傾斜至AI服務(wù)器領(lǐng)域,嚴(yán)重擠壓了智能手機、PC等消費電子供應(yīng)鏈。

受此影響,中小手機品牌成本壓力劇增,多款新機被迫漲價,消費者買單難度上升。

Counterpoint Research預(yù)計,2025年第四季度內(nèi)存價格飆升40%至50%;2026年第一季度還將再漲40%至50%,2026年第二季度預(yù)計再上漲約20%。巨大的成本壓力也導(dǎo)致多家手機品牌近期發(fā)布的新機均出現(xiàn)不同程度的價格上調(diào)。

集邦咨詢已因此下修了2026年全球智能手機的生產(chǎn)出貨預(yù)測,從原先的年增0.1%調(diào)降至年減2%。

目前,三星、SK海力士、美光等存儲大廠產(chǎn)能已被預(yù)訂至2027年,新建產(chǎn)線最快也要到2027年下半年才能釋放。

這意味著,本輪由AI訓(xùn)練與推理需求引爆的存儲緊缺局面,至少將持續(xù)至2027年底。

數(shù)據(jù)顯示,2026年AI服務(wù)器對DRAM的需求將暴增70%,NAND需求增長超15%,而傳統(tǒng)消費電子需求則持續(xù)疲軟。

業(yè)內(nèi)人士指出,此次存儲周期不僅強度高,持續(xù)時間也可能超過2016–2018年的上一輪牛市,AI正在扭曲全球半導(dǎo)體供需格局。

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