日本京都2026年1月21日 /美通社/ -- Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡稱"NTCJ"）于1月20日宣布，開始量產(chǎn)其高功率紫外半導體激光器(379 nm, 1.0 W)。該產(chǎn)品采用直徑9.0毫米的CAN封裝(TO-9)，可實現(xiàn)行業(yè)領先(*)的光功率輸出。通過NTCJ專有的器件結(jié)構(gòu)和先進的高散熱封裝技術，該產(chǎn)品實現(xiàn)了短波長、高功率和長壽命這三個紫外半導體激光器過去難以突破的特性，有助于提升先進半導體封裝無掩模光刻的圖形化精密度和生產(chǎn)效率。

（*）截至2026年1月16日，基于NTCJ對波長為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續(xù)波(CW)運行的半導體激光器的研究。

隨著人工智能(AI)的發(fā)展推動信息處理能力需求增長，對半導體性能的要求較以往也在不斷提高。另一方面，隨著晶體管微縮化發(fā)展接近其物理和經(jīng)濟極限，半導體后端封裝技術和先進半導體封裝技術（通過并排排列或垂直堆疊多個半導體芯片的集成方案）正引起關注。

這些封裝技術的演進，離不開無掩膜曝光技術的支持。作為無掩模光刻技術中的關鍵光源之一，半導體激光器面臨著向更短波長（接近i線365 nm）和更高輸出功率發(fā)展的不斷增長的需求，以實現(xiàn)更精細的線路和提高設備產(chǎn)能。為滿足這些要求，NTCJ憑借40多年的激光設計和制造經(jīng)驗，開發(fā)并商業(yè)化了波長為379 nm、輸出功率達1.0 W的紫外半導體激光器。

紫外半導體激光器通常存在由于低光電轉(zhuǎn)換效率(WPE)引起的顯著熱量產(chǎn)生問題，以及由紫外光引起的器件退化傾向，這使得在1.0 W以上的高輸出水平下實現(xiàn)穩(wěn)定運行變得困難。為解決這一問題，NTCJ采取了雙管齊下的方法，同時專注于"提高WPE的器件結(jié)構(gòu)"和"有效散熱的高熱傳導封裝技術"，成功開發(fā)出一款兼具短波長、高功率和長壽命的產(chǎn)品：1.0 W紫外(379 nm)激光二極管器。這有助于延長紫外光光學器件的壽命。

該產(chǎn)品作為NTCJ的"基于半導體激光的汞燈替代產(chǎn)品"系列的新成員，為客戶提供了新的選擇。

NTCJ將在美國舊金山舉行的SPIE Photonics West 2026展會以及日本橫濱舉辦的OPIE'26展會的展臺上展示這款新產(chǎn)品的詳細信息。NTCJ誠摯期待您的蒞臨。