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臺(tái)積電中科太陽(yáng)能廠(chǎng) 年底蓋

晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨（21）日證實(shí)，臺(tái)積電與美商Stion達(dá)成策略聯(lián)盟后，今年底前，就會(huì)在中科興建臺(tái)積電薄膜太陽(yáng)能電池廠(chǎng)，并在南科興建太陽(yáng)能發(fā)電廠(chǎng)支援當(dāng)?shù)?2吋廠(chǎng)Fab14用電。蔡力行

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2010-06-22

臺(tái)積電太陽(yáng)能 ST
聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢(shì)，投入開(kāi)發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

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2010-06-22

DRAM 聯(lián)電爾必達(dá) IC
聯(lián)電：3D IC會(huì)全面擴(kuò)及各應(yīng)用拼完整解決方案

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉于今(21)日表示，聯(lián)電將以自身在先進(jìn)邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進(jìn)行廣泛的技術(shù)合作，且預(yù)計(jì)會(huì)以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿

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2010-06-22

聯(lián)電制程技術(shù) PID IC
以測(cè)試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開(kāi)發(fā)

對(duì)晶體管制造誤差導(dǎo)致的SRAM工作不穩(wěn)定性，在芯片制造后的測(cè)試工序上加以改善的方法，由東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科電氣系工學(xué)專(zhuān)業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)手開(kāi)發(fā)成功。該項(xiàng)成

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2010-06-22

晶體管 SRAM RC ST
東芝等開(kāi)發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

東芝在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國(guó)Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術(shù)實(shí)現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“

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2010-06-22

FPGA 芯片東芝 SRAM
東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

東京大學(xué)在半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSITechnology”上宣布，該公司與富士通微電子（現(xiàn)富士通半導(dǎo)體）、大日本印刷、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半導(dǎo)體晶圓上形成

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2010-06-22

晶圓金屬 RAM 邏輯電路
Cadence宣布與臺(tái)積電在28奈米先進(jìn)制程最新合作

益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布其TLM (transaction-level modeling) 導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、 3D IC 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，以及整合 DFM 等先進(jìn) Cadence 設(shè)計(jì)技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺(tái)積電(TSMC)設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。同時(shí) Cadence也宣布支持

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2010-06-22

先進(jìn)制程 LM CADENCE 臺(tái)積電
亞穩(wěn)態(tài)的錯(cuò)誤率分析

如圖3.30所示，采用ACTEL ACT-1門(mén)陣列實(shí)現(xiàn)的電路，當(dāng)輸入電壓變化時(shí)，其輸出產(chǎn)生脈沖的概率有多大？簡(jiǎn)單應(yīng)用同步邏輯理論，它永遠(yuǎn)也不會(huì)發(fā)生。但現(xiàn)在我們會(huì)更好地理解這個(gè)問(wèn)題了。首先檢查最壞情況下建立時(shí)間：TPD=9

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2010-06-22

ACTEL 電路 BSP HZ
數(shù)字觸發(fā)器原理與亞穩(wěn)態(tài)特性

圖3.29是一個(gè)簡(jiǎn)化的數(shù)字觸發(fā)器原理圖。在這個(gè)例子中，為放大器提供了對(duì)稱(chēng)的正、負(fù)電壓。正反饋電路把電容C上的任何正電壓驅(qū)動(dòng)到電源正電壓，或者把電容C上的任何負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)到電源負(fù)電壓。當(dāng)用時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)時(shí)，電路會(huì)穩(wěn)定

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2010-06-22

放大器電平數(shù)字觸發(fā)器 BSP
采用鎖相環(huán)的時(shí)間調(diào)整

圖3.24給出了CADILLAC時(shí)鐘相位調(diào)整電路的框圖。對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)測(cè)試，可能值得構(gòu)造這樣的電路。對(duì)于普通的實(shí)驗(yàn)測(cè)試，則太麻煩了。電路將總線(xiàn)時(shí)鐘進(jìn)行N分頻，然后通過(guò)一個(gè)-頻率比較器把它與一個(gè)同樣經(jīng)過(guò)N分頻的本地振蕩

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2010-06-22

時(shí)鐘鎖相環(huán) 相移
時(shí)鐘相位調(diào)整的簡(jiǎn)單電路

圖3.23所示的電路，是一個(gè)16進(jìn)制的反相器，用于產(chǎn)生30~160NS的延遲。每一級(jí)的延遲時(shí)間是5~35NS，具體數(shù)值由可變電阻的值決定。每一級(jí)的延遲時(shí)間不應(yīng)該超過(guò)時(shí)鐘周期的12%，以保重穩(wěn)定工作。通過(guò)調(diào)整延遲級(jí)數(shù)（2或4）并

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2010-06-22

時(shí)鐘電路相位同軸電纜
聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠(chǎng)力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長(zhǎng)已經(jīng)趨緩

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電爾必達(dá) IC
簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場(chǎng)需求

力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場(chǎng)需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠(chǎng)爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測(cè)大廠(chǎng)力成(6239-TW)今(21

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2010-06-21

DRAM 聯(lián)電爾必達(dá) IC
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時(shí)代來(lái)臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠(chǎng)聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布共同開(kāi)發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏

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2010-06-21

內(nèi)存聯(lián)電爾必達(dá) IC
力晶首季銷(xiāo)售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，力晶2010年首季銷(xiāo)售季成長(zhǎng)81%，已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠(chǎng)。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營(yíng)收比前1季成長(zhǎng)8.8%，根據(jù)iSuppli的資料，前5大DRAM廠(chǎng)約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的91%，前2大廠(chǎng)三星電子(SamsungEl

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2010-06-21

DRAM 三星電子海力士 ISUPPLI

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臺(tái)積電中科太陽(yáng)能廠(chǎng) 年底蓋

聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

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