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東芝等開發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

時間：2010-06-22 06:46:00
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[導(dǎo)讀]東芝在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術(shù)實現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“

東芝在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術(shù)實現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“三維FPGA”（3DFPGA）（論文編號：21.1）。

現(xiàn)有的FPGA，其用戶邏輯（UserLogic）用邏輯電路和線路布局（Configuration）用SRAM采用二維排列結(jié)構(gòu)。而3D-FPGA，是以非晶硅TFT技術(shù)形成線路布局SRAM，并積層在已形成用戶邏輯用邏輯電路的9層銅布線CMOS芯片上。據(jù)稱，由此可將FPGA的芯片面積縮小至現(xiàn)有產(chǎn)品的一半左右。東芝表示，“有望實現(xiàn)與半導(dǎo)體制造技術(shù)推進兩代相當(dāng)?shù)某杀鞠鳒p效果”。

據(jù)稱，設(shè)備廠商可以利用3D FPGA，在不變更LSI設(shè)計的情況下過渡至系統(tǒng)（Cell Base）LSI。其方法是采用3DFPGA進行試制，待設(shè)計確定后，只將該3DFPGA中形成線路布局用SRAM的非晶硅TFT部分替換為掩模ROM即可，無需重新設(shè)計便可獲得系統(tǒng)LSI。

此次，東芝等試制了在利用90nm工藝9層銅布線技術(shù)的底層上，層積了非晶硅TFT技術(shù)的26Mbit SRAM芯片。此次試制芯片在底層雖使用了90nm工藝的CMOS技術(shù)，“但預(yù)計可以微細化至40nm工藝”（東芝）。（記者：大石 基之）

來源：技術(shù)在線

作者：zhaobin

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