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臺(tái)積電：14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開(kāi)的技術(shù)論壇的消息來(lái)源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計(jì)劃。其中來(lái)自半導(dǎo)體

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2010-06-21

臺(tái)積電晶體管節(jié)點(diǎn) ST
市場(chǎng)轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測(cè)

如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者，六個(gè)月過(guò)去將作什么調(diào)整？隨著前幾個(gè)月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長(zhǎng)時(shí)代，WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測(cè)，而作新的2010年半年預(yù)測(cè)。目前WSTS對(duì)于2010年非常樂(lè)觀，與先前的預(yù)測(cè)相比，增加3倍達(dá)29％為

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2010-06-21

存儲(chǔ)器 GE ST
具有4個(gè)模擬量輸入通道的抗干擾電路原理圖

開(kāi)關(guān)量輸入輸出通道和模擬量輸入輸出通道，都是干擾竄入的渠道，要切斷這條渠道，就要去掉對(duì)象與輸入輸出通道之間的公共地線，實(shí)現(xiàn)彼此電隔離以抑制干擾脈沖。最常見(jiàn)的隔離器件是光電耦合器,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)下圖：具有

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2010-06-20

模擬電路原理圖輸入輸出抗干擾
一種示波器探頭低電感接地環(huán)路的夾具

大多數(shù)示波器探頭上都套有一個(gè)可拆卸的塑料抓鉤。將這個(gè)塑料夾去掉，就會(huì)露出探頭的芯片管。如果必要，可以將固定接地引線的裝置拆開(kāi)，裸露出低電感的接地金屬護(hù)套。這個(gè)金屬護(hù)套，或者說(shuō)接地環(huán)套，一直延伸到探頭的

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2010-06-20

電感回路接地示波器探頭
探頭是如何加重電路負(fù)載

示波器探頭的使用往往會(huì)改變被測(cè)電路的工作狀態(tài)。的確，我們都磁到過(guò)這樣的情形：當(dāng)用探頭測(cè)試電路時(shí)，電路工作正常，而一旦將探頭移開(kāi)，電路的功能就會(huì)紊亂。這是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，也正是我們要討論的由示波器探頭引

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2010-06-20

電路輸入阻抗示波器探頭 PS
蔣尚義：臺(tái)積電14nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開(kāi)的技術(shù)論壇的消息來(lái)源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以 Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計(jì)劃。其中來(lái)自半導(dǎo)體

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2010-06-20

臺(tái)積電晶體管節(jié)點(diǎn) ST
Intel新版32nm工藝叩開(kāi)智能手機(jī)之門

Intel嘗試進(jìn)入智能手機(jī)領(lǐng)域由來(lái)已久，但始終不得其門而入，現(xiàn)在憑借新工藝而實(shí)現(xiàn)的RF SoC，Intel有希望再跨過(guò)一道檻了。無(wú)論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努

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2010-06-19

Intel 智能手機(jī) SoC RF
派睿電子母公司榮膺FCI 頒發(fā)的“卓越表現(xiàn)–增長(zhǎng)最快分銷商”大獎(jiǎng)

派睿電子的母公司Premier Farnell集團(tuán)日前獲得了由FCI頒發(fā)的 “卓越表現(xiàn)-增長(zhǎng)最快分銷商”獎(jiǎng)項(xiàng)，以表彰該公司在FCI收入增長(zhǎng)及新客戶獲得方面所取得的成就。 Premier Farnell是大會(huì)上唯一一家在2010年5月25日FCI在深

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2010-06-19

派睿電子 LEM 電子設(shè)計(jì)工程 FCI
無(wú)錫成半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)軍城市

昨日，海太半導(dǎo)體有限公司12英寸集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目竣工。據(jù)了解，位于無(wú)錫新區(qū)的海太半導(dǎo)體有限公司的戰(zhàn)略目標(biāo)是世界第一的半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)企業(yè)。目前，隨著該公司多個(gè)項(xiàng)目的投運(yùn)建成，無(wú)錫已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體

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2010-06-19

封裝測(cè)試半導(dǎo)體封裝集成電路封裝
總投資3.5億美元海太半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目竣工

代表著國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試領(lǐng)域最高水準(zhǔn)的海太半導(dǎo)體12英寸集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目，6月17日舉行了竣工典禮。此舉標(biāo)志著無(wú)錫半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)水平又邁上一個(gè)新的臺(tái)階，無(wú)錫在國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位得到進(jìn)一步鞏固。省委書

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2010-06-18

封裝測(cè)試半導(dǎo)體封裝海力士集成電路產(chǎn)業(yè)
32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶需求量劇增

據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)

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2010-06-18

Intel 光刻機(jī) 光刻 ASML
三星宣布其300mm32nmLPGatefirstHKMG制程SOC芯片產(chǎn)線已通過(guò)驗(yàn)證

三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號(hào)產(chǎn)線已經(jīng)具備了采用32nmLP(低功耗)GatefirstHKMG制程生產(chǎn)SOC芯片的能力，這條產(chǎn)線將可用于代工生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的SOC芯片產(chǎn)品。三星這次啟用的32nmLP(低功耗)Gatefir

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2010-06-18

三星 FIR PGA SOC芯片
ARM稱將重點(diǎn)發(fā)展Android手機(jī)芯片生產(chǎn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片制造商ARM近日宣布，稱公司今后新投資戰(zhàn)略重點(diǎn)將放在Android手機(jī)芯片生產(chǎn)上。根據(jù)美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)報(bào)告表明，近年來(lái)手機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)速度顯著。至2008年底平均每個(gè)美國(guó)人至少擁有一部手機(jī)。2008年

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2010-06-18

ARM 手機(jī)芯片芯片生產(chǎn) ANDROID手機(jī)
張忠謀：中國(guó)將促全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增收300億美元

北京時(shí)間6月14日上午消息，據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀表示，未來(lái)5年內(nèi)，中國(guó)對(duì)電子產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)將拉動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增收近300億美元。張忠謀表示，中國(guó)的需求未來(lái)5年內(nèi)將推動(dòng)全球半導(dǎo)體行業(yè)保持

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2010-06-18

半導(dǎo)體市場(chǎng) 半導(dǎo)體行業(yè) 臺(tái)積電
瑞銀：成長(zhǎng)動(dòng)能趨緩半導(dǎo)體業(yè)Q4風(fēng)險(xiǎn)加劇

臺(tái)積電5月合并營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，董事長(zhǎng)張忠謀指出，下半年半導(dǎo)體業(yè)還是會(huì)很好。不過(guò)，瑞銀證券于最新出具旗下客戶的報(bào)告中指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)動(dòng)能已趨緩，且?guī)齑骘L(fēng)險(xiǎn)仍持續(xù)升高，第四季恐將出現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)，現(xiàn)在還不是

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2010-06-18

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓代工臺(tái)積電

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臺(tái)積電：14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

市場(chǎng)轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測(cè)

具有4個(gè)模擬量輸入通道的抗干擾電路原理圖

一種示波器探頭低電感接地環(huán)路的夾具

探頭是如何加重電路負(fù)載

蔣尚義：臺(tái)積電14nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

Intel新版32nm工藝叩開(kāi)智能手機(jī)之門

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無(wú)錫成半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)軍城市

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張忠謀：中國(guó)將促全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增收300億美元

瑞銀：成長(zhǎng)動(dòng)能趨緩半導(dǎo)體業(yè)Q4風(fēng)險(xiǎn)加劇

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