Intel新版32nm工藝叩開智能手機(jī)之門
[導(dǎo)讀]Intel嘗試進(jìn)入智能手機(jī)領(lǐng)域由來已久，但始終不得其門而入，現(xiàn)在憑借新工藝而實(shí)現(xiàn)的RF SoC，Intel有希望再跨過一道檻了。
無論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努
Intel嘗試進(jìn)入智能手機(jī)領(lǐng)域由來已久，但始終不得其門而入，現(xiàn)在憑借新工藝而實(shí)現(xiàn)的RF SoC，Intel有希望再跨過一道檻了。
無論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努力都算不上太成功，這其中既有x86處理器功耗過高的因素，也有智能手機(jī)廠商對集成度要求很高的原因，特別是他們希望能將基帶控制器也放在SoC主芯片內(nèi)。
現(xiàn)在，Intel工程師開發(fā)了一種新版本的32nm HKMG工藝(原用于CPU)來制造SoC，特別是那些需要低功耗和射頻(RF)/移動(dòng)通信的，同時(shí)還加入了高頻率性能的三晶體管架構(gòu)、很低的漏電功耗、優(yōu)秀的噪聲性能和高擊穿功率放大器晶體管。最后一項(xiàng)對于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射頻應(yīng)用來說是必需的，而新工藝通過DNW層和高電阻底層提供了噪聲隔離，還包括高質(zhì)量電感、電阻和變?nèi)荻O管。
Intel已經(jīng)從諾基亞那里獲得了基帶技術(shù)授權(quán)，因此未來針對小型移動(dòng)和便攜設(shè)備的SoC可能會(huì)加入RF單元，包括已發(fā)布Moorestown Atom Z600平臺的下一代、將使用32nm工藝制造的Medfield。
Intel將在新一屆的超大規(guī)模集成電路研討會(huì)上詳細(xì)介紹這種新工藝。
無論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努力都算不上太成功，這其中既有x86處理器功耗過高的因素，也有智能手機(jī)廠商對集成度要求很高的原因，特別是他們希望能將基帶控制器也放在SoC主芯片內(nèi)。
現(xiàn)在，Intel工程師開發(fā)了一種新版本的32nm HKMG工藝(原用于CPU)來制造SoC，特別是那些需要低功耗和射頻(RF)/移動(dòng)通信的，同時(shí)還加入了高頻率性能的三晶體管架構(gòu)、很低的漏電功耗、優(yōu)秀的噪聲性能和高擊穿功率放大器晶體管。最后一項(xiàng)對于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射頻應(yīng)用來說是必需的，而新工藝通過DNW層和高電阻底層提供了噪聲隔離，還包括高質(zhì)量電感、電阻和變?nèi)荻O管。
Intel已經(jīng)從諾基亞那里獲得了基帶技術(shù)授權(quán)，因此未來針對小型移動(dòng)和便攜設(shè)備的SoC可能會(huì)加入RF單元，包括已發(fā)布Moorestown Atom Z600平臺的下一代、將使用32nm工藝制造的Medfield。
Intel將在新一屆的超大規(guī)模集成電路研討會(huì)上詳細(xì)介紹這種新工藝。
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