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海力士：無錫封測廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無錫太極實業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測試公司(HitechSemiconductorPackage

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2010-06-21

DRAM 海力士 GB NI
Cadence擴(kuò)大與臺積電合作　推進(jìn)28奈米

益華(Cadence)拓展與臺積電合作范圍，宣布支持臺積電模擬／混合訊號(Analog/Mixed-Signal)設(shè)計參考流程1.0版，以實現(xiàn)28奈米制程技術(shù)。另一方面，TLM(Transaction-Level Modeling)導(dǎo)向設(shè)計與驗證、3D IC設(shè)計實現(xiàn)以及整

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2010-06-21

模擬臺積電 SIP CADENCE
茂德63奈米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計8月開始會大量導(dǎo)入63奈米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時預(yù)計在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程，屆時考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片

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2010-06-21

爾必達(dá) 晶圓廠 PC MOBILE
臺積電采用TLM導(dǎo)向設(shè)計與驗證、3D IC設(shè)計與完善整合DFM功能

益華計算機(jī)(Cadence)宣布，TLM (transaction-level modeling)導(dǎo)向設(shè)計與驗證、3D IC設(shè)計實現(xiàn)以及整合DFM等先進(jìn)CadenceR設(shè)計技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺積電設(shè)計參考流程11.0版中。 Cadence的技術(shù)有助于28奈米TLM到GD

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2010-06-21

臺積電 IC設(shè)計 DFM LM
熱點遭冷遇？本土IC企業(yè)如何挑戰(zhàn)高門檻市場

“健康”、“環(huán)保”是近年全球媒體報道中最熱門的關(guān)鍵詞之一，而這些熱點概念背后是巨大的產(chǎn)業(yè)商機(jī)，具體到電子行業(yè)而言包括家用及便攜醫(yī)療電子設(shè)備、低功耗節(jié)能技術(shù)，如智能電表等等。在首屆深

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2010-06-21

高精度 SoC ADC IC
智能電網(wǎng)發(fā)展需要支撐八成業(yè)務(wù)涉物聯(lián)網(wǎng)

國家電網(wǎng)信息通信有限公司副總工程師李祥珍日前透露，國家電網(wǎng)在2020前將投資4萬億元用于智能電網(wǎng)的建設(shè)。在國家電網(wǎng)看來，要建設(shè)以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各級電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的中國特色堅強(qiáng)智能電網(wǎng)，其中物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用

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2010-06-21

物聯(lián)網(wǎng) 智能電網(wǎng) 傳感器網(wǎng)絡(luò) 國家電網(wǎng)
美華裔科學(xué)家因電子芯片榮膺杰出創(chuàng)新家

麻省理工學(xué)院(MIT)權(quán)威雜志“科技評論”(Technology Review)選出華裔科學(xué)家傅佳偉(Kevin Fu)，為2009年度杰出創(chuàng)新家(2009 Innovator of the Year)。因為他發(fā)展出的科技可望對人類的未來造成重大影響。傅佳

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2010-06-21

電子芯片無線電頻率 EV CD
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

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2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) 3D芯片 DRAM
硅品吃超威CPU封測大單

封測大廠硅品精密（2325）拿下超威（AMD）中央處理器（CPU）封測大單！超威5月中旬已對ODM/OEM廠及合作伙伴發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），將釋出8款處理器委由硅品代工覆晶封測，主要集中在Athlon II X2及Sempron等兩款處

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2010-06-21

CPU AMD PC SE
新聞分析－IDM廠釋單不再是口號

封測廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也

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2010-06-21

CPU 晶圓封裝 DM
臺積電杜東佑：專利是可營運(yùn)資產(chǎn)

臺積電法務(wù)長杜東佑（Richard Thuseton）今年再度獲得臺灣區(qū)最佳年度企業(yè)法務(wù)大獎（IP Counsel of the Year Award），而臺積電與中芯國際間的專利侵權(quán)官司以和解收場，更證實了杜東佑帶領(lǐng)的臺積電法務(wù)團(tuán)隊，的確是實

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2010-06-21

晶圓代工臺積電 IP SE
22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象

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2010-06-21

元件 RF SRAM FINFET
IBM采用直徑3nm FET25級環(huán)形振蕩器動作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認(rèn)

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2010-06-21

IBM 環(huán)形振蕩器柵極 FET
TSMC、美商Stion簽訂技術(shù)與生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議

臺積電(TSMC)與薄膜太陽能電池模塊業(yè)者美商Stion公司宣布，雙方已經(jīng)在技術(shù)授權(quán)、生產(chǎn)供應(yīng)以及合作開發(fā)方面簽訂一系列的協(xié)議。同時， TSMC 關(guān)系企業(yè) VentureTech Alliance 公司，也將投資美商Stion公司5,000萬美金，

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2010-06-21

ST IO TSMC
ICC、TSMC、復(fù)旦大學(xué)共創(chuàng)產(chǎn)學(xué)研合作三贏

前不久，上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心(以下簡稱ICC)與TSMC、復(fù)旦大學(xué)共同宣布，將攜手展開系列產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟合作。根據(jù)協(xié)議，TSMC將通過ICC的MPW 服務(wù)平臺為復(fù)旦大學(xué)提供65nm先進(jìn)工藝的多項目晶圓服務(wù)，并為復(fù)旦大學(xué)

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2010-06-21

中國集成電路 IC TSMC

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