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成都造USB3.0技術(shù)下月推出

建設(shè)世界現(xiàn)代田園城市，必須要有強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)支撐，更要直奔高端產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)業(yè)高端。作為高新技術(shù)的聚集地，成都高新區(qū)在培育本土高端產(chǎn)業(yè)方面有著明確的路徑選擇———在集成電路、光電顯示、軟件及服務(wù)外

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2010-05-20

USB3.0 微電子 IP核 U盤
模擬IC庫(kù)存攀高　IC設(shè)計(jì)旺季保守看

盡管安恩科技(IML)18日在臺(tái)掛牌當(dāng)天股價(jià)大漲100元，以243元作收，躍居臺(tái)系模擬IC設(shè)計(jì)股價(jià)亞軍及臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)股價(jià)第3名地位，然并未如預(yù)期讓臺(tái)系模擬IC設(shè)計(jì)業(yè)者雨露均沾，由于面對(duì)歐洲債信危機(jī)變量未解除，加上全球模

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2010-05-20

IC設(shè)計(jì) IC設(shè)計(jì)業(yè) 模擬IC 模擬IC設(shè)計(jì)
首個(gè)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)基金設(shè)立計(jì)劃總規(guī)模達(dá)50億

隨國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)在“感知中國(guó)”中心無(wú)錫呈現(xiàn)“井噴”增長(zhǎng)，針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、傳感產(chǎn)業(yè)融資的中國(guó)首個(gè)“物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)基金”18日于此間簽約設(shè)立，計(jì)劃總規(guī)模將達(dá)50億元。國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)如今已

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2010-05-20

物聯(lián)網(wǎng) 傳感電力中科院
中科15廠動(dòng)工沖產(chǎn)能

眾所矚目的臺(tái)積電（2330）中科晶圓15廠，今（20）日將舉行雜項(xiàng)工程動(dòng)工儀式，臺(tái)積電態(tài)度相當(dāng)?shù)驼{(diào)，儀式過(guò)程并未對(duì)外開放，新廠第一期工程預(yù)計(jì)6月取得建照，可望趕在明年底前完工投產(chǎn)。今天剛好是馬英九總統(tǒng)就職

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2010-05-20

面板廠觸控面板臺(tái)積電晶圓廠
諾發(fā)系統(tǒng)發(fā)表全新氮化鎢制程

諾發(fā)系統(tǒng)（Novellus）日前宣布開發(fā)出一種創(chuàng)新的DirectFill化學(xué)氣相沉積氮化鎢（WN）線性阻隔膜，取代傳統(tǒng)的物理氣相沉積（PVD）金屬鈦及有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）氮化鈦堆積成線性阻隔薄膜用于先進(jìn)內(nèi)存組件的

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2010-05-20

金屬薄膜電阻率 DIRECT
諾發(fā)開發(fā)出面向3Xnm工藝內(nèi)存銅布線的2nm厚WN通孔下層膜技術(shù)

美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)（Novellus Systems）宣布，該公司面向銅（Cu）布線的W通孔開發(fā)出了厚度僅為2nm的WN下層膜技術(shù)。如果使用該項(xiàng)技術(shù)的話，便可將銅布線技術(shù)用于3Xnm工藝內(nèi)存中。為了實(shí)現(xiàn)DRAM和閃存的高速化，銅布線被大量

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2010-05-20

內(nèi)存電阻布線
VLSI公布年度半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備業(yè)客戶滿意度調(diào)查

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research最近發(fā)布的最新年度半導(dǎo)體供貨商客戶滿意度調(diào)查報(bào)告顯示，Varian Semiconductor Equipment Associates贏得了最佳半導(dǎo)體制造設(shè)備大型供貨商的頭銜；另外，由瑞薩科技(Renesas Technology)

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2010-05-20

測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體測(cè)試 LSI SEMICONDUCTOR
封測(cè)雙雄加快轉(zhuǎn)進(jìn)銅打線制程，匯豐證加碼喊進(jìn)

匯豐證券出具最新半導(dǎo)體業(yè)研究報(bào)告指出，最近訪談美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備及材料大廠庫(kù)利索法工業(yè)(KULICKE & SOFFA IND(klic)執(zhí)行長(zhǎng)Scott Kulicke，KLIC兩個(gè)最大客戶就是日月光(2311)、硅品(2325)，Scott Kulicke表示，半導(dǎo)體

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2010-05-19

LED IC CK SCOTT
第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離

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2010-05-19

英飛凌隔離肖特基二極管 SIC
全球硅晶圓1Q出貨倍增產(chǎn)能滿載至年底

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新公布的硅晶圓出貨報(bào)告指出，2010年第1季的硅晶圓出貨呈現(xiàn)持續(xù)成長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。由于景氣復(fù)蘇，市場(chǎng)對(duì)硅晶圓需求大增，硅晶圓業(yè)者指出，硅晶圓產(chǎn)能滿載將持續(xù)到年底，同時(shí)報(bào)價(jià)有機(jī)會(huì)逐

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2010-05-19

Silicon 晶圓廠硅晶圓 SEMI
STM在2009年MEMS代工市場(chǎng)一枝獨(dú)秀

根據(jù)Yole Developpement發(fā)布的報(bào)告，在去(2009)年度的 MEMS代工市場(chǎng)上，STMicroelectronics一枝獨(dú)秀，持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)市場(chǎng)，占有率高達(dá)40%。排名第二位的是Texas Instruments，營(yíng)收縮減24%至4500萬(wàn)美元。排名第

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2010-05-19

MEMS STM BSP STYLE
中芯國(guó)際剝離太陽(yáng)能業(yè)務(wù)立志2010年扭虧為盈

中芯國(guó)際(00981.HK)單季贏利的目標(biāo)看起來(lái)越來(lái)越近了。該公司除了將重大財(cái)務(wù)包袱“一股腦兒”放在2009財(cái)年外，還在悄悄剝離旗下非主營(yíng)業(yè)務(wù)。消息人士日前對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》透露，原中芯國(guó)際CEO張汝京幾年前布局的太陽(yáng)

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2010-05-19

中芯國(guó)際太陽(yáng)能新能源扭虧為盈
擴(kuò)大市占海力士2012年前擬投資近80億美元

韓國(guó)媒體KoreaTimes獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策

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2010-05-19

DRAM 海力士 FOR NANDFLASH
三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手咋舌

三星電子前日宣布，今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計(jì)劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器(LCD)，以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預(yù)計(jì)三星今

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2010-05-19

DRAM 三星內(nèi)存芯片 GSA
金價(jià)飆漲　封裝廠調(diào)高合約報(bào)價(jià)態(tài)度堅(jiān)定

黃金價(jià)格近日在歷史高檔水平徘徊，對(duì)于封裝廠而言，盡管加速發(fā)展銅打線封裝制程，但其所帶來(lái)的效益恐將被漲勢(shì)不止的金價(jià)所侵蝕。在黃金近期不易回調(diào)下，封裝廠基于捍衛(wèi)毛利率的考慮，除了取消客戶的產(chǎn)能折讓外，一線

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2010-05-19

封裝升壓 COM

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成都造USB3.0技術(shù)下月推出

模擬IC庫(kù)存攀高　IC設(shè)計(jì)旺季保守看

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