摘  要： 針對當今電子系統(tǒng)對高速大容量內存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來設計實現DDR內存接口的方法。該方法能使設計盡可能簡單，讓設計者更專注于關鍵邏輯設計，以便達到更高的性能。該設計經過仿真顯示，完全符合要求。
關鍵字：DDR內存  IP核  地址產生邏輯  FIFO

1.引言
    在當今的電子系統(tǒng)設計中內存被使用的越來越多，用來存放數據和程序。并且對內存的要求越來越高，要求內存讀寫速度盡可能的快，容量盡可能的大。面對這種趨勢，設計實現大容量高速讀寫的內存顯得尤為重要。

    本文結合筆者承擔的T比特路由器項目,對其中的大容量高速DDR內存接口的設計實現進行了詳細闡述。本文第2節(jié)對與DDR內存相關的知識做了簡單的介紹，從總體上對DDR內存有個認識；第3節(jié)闡述了DDR內存接口模塊的整體設計；第4節(jié)對整個設計中的關鍵設計地址產生邏輯進行了詳細闡述；最后總結全文。

2.DDR內存相關知識介紹
    DDR SDRAM是雙數據率同步動態(tài)隨機存儲器的縮寫。它能夠在一個時鐘周期內傳送兩次數據，也就是說數據速率是時鐘頻率的兩倍，可以達到很高的數據讀寫速度。此外它通過對地址線的分時復用，可以做到很大的容量。比如我們設計實現的DDR內存時鐘頻率可達到150MHz，數據速率為300MHz，容量達到1M x 72bit。

    DDR內存為了更精確的同步使用若干對差分時鐘；它還有一個獨特的數據脈沖信號（DQS）。DDR內存就是根據DQS來分割一個時鐘周期內的兩次數據。更需要注意的是：DDR內存沒有一個信號是發(fā)送讀或寫的明確命令的，而是通過芯片的可寫狀態(tài)來達到讀/寫的目的。具體為：片選信號（CS），行地址有效信號（RAS），列地址有效信號（CAS），寫允許信號（WE）。它們都是低電平有效，它們的不同組合構成了對DDR內存的不同命令。比如CS，CAS有效，RAS無效，WE無效，表示從現在地址線指示的存儲單元處讀出一個數據放到數據線上；再如CS，CAS有效，RAS無效，WE有效，表示將數據線上的數據寫入現在地址線指示的存儲單元處。

    DDR內存可以支持突發(fā)讀寫，并能根據不同的需要選擇不同的突發(fā)長度（BL）；位寬也可以選擇，并能利用掩碼技術靈活的選擇每次讀寫的有效數據寬度（以8bit為單位）；此外由于DDR內存讀寫時需要先激活（Active）將要讀寫的存儲單元行，然后再讀寫，但DDR內存任何時候只能有一存儲行是打開的（處于激活態(tài)），因此在需要讀寫不同存儲行時，要先關閉前已打開的存儲行，才能打開現在將要讀寫的存儲單元行，這一操作被稱為預充電（precharge）。另外由于DDR內存是動態(tài)存儲器，需要對存儲體進行周期性的刷新（refresh）。

    從上面的介紹中可以看出DDR內存的性能雖然好，但接口控制很復雜。為了快速實現DDR內存接口，縮短設計周期，我們使用已經成熟的商業(yè)化內存控制器 IP 核對DDR內存進行控制。我們使用的是Altera公司的DDR Controller IP核，版本為2.2.0，使用的開發(fā)工具為Quartus II 4.1，使用VHDL語言進行描述。

3.獨立內存接口模塊整體設計
    為了將內存接口模塊設計成相對獨立的模塊，也為了調整不同模塊之間的時鐘相位差，使數據穩(wěn)定輸入輸出，我們給DDR內存接口模塊前端增加了一個入口FIFO，出口增加了一個出口FIFO。我們的功能需求是根據出口FIFO的狀態(tài)確定是否將數據送往DDR內存條中進行緩存，并且設計中必須充分考慮DDR內存條存儲器帶寬的利用效率，設計成批量讀寫的模式，減少讀寫切換工作的開銷。該內存模塊具體完成以下功能：
1)使用DDR控制器IP核完成對DDR內存的初始化配置，產生讀寫命令和其他各種控制信號；
2)根據出口FIFO狀態(tài)產生對DDR內存接口的讀寫請求；
3)并且整個系統(tǒng)對數據的緩存處理應該公平，不能有系統(tǒng)差別，也就是說要保證在任何情況下讀出的數據都是有效的數據，寫入的數據不覆蓋DDR中的原有效數據；DDR內存接口模塊主要功能由DDR控制器IP核完成，對DDR內存進行初始化配置，產生讀寫命令和其他各種控制信號。DDR控制器有兩個接口：DDR－interface和local－interface。DDR－interface直接與DDR內存條相連，不需要干預。local－interface就是根據不同需要輸入不同信號，可以增加自己的邏輯。我們需要設計的邏輯就是產生讀寫請求信號和對應的地址信息送給DDR控制器，DDR控制器把這些請求轉換為對DDR內存的數據讀寫。因此DDR內存接口模塊的重點是對地址產生邏輯的設計。我們的內存模塊設計框圖詳見圖1。 

圖1  DDR內存接口模塊設計框圖

4.內存讀寫地址產生邏輯的FPGA設計實現
     根據本模塊的功能需求，在出口FIFO的狀態(tài)為忙時，要將數據送往DDR內存條緩存，當出口FIFO的狀態(tài)為非忙時，要將數據從DDR內存條讀出送到出口FIFO。并且設計必須充分考慮DDR內存條存儲器帶寬的利用效率，設計成批量讀寫的模式，減少讀寫切換工作的開銷。出口FIFO的狀態(tài)能由門限信號th1和th2反映出來，從而根據th1和th2反饋控制地址產生邏輯。

    此外還要注意數據的次序，要保證對數據的公平處理，不能對數據造成系統(tǒng)差別，因此整個DDR內存邏輯上是一個循環(huán)隊列。還要保證：DDR內存滿時，不應再寫DDR內存；DDR內存空時，不應再讀DDR內存。DDR內存的空滿對地址產生邏輯也有重要影響。

    從上面分析中看出：對地址產生邏輯有影響的信號是出口FIFO的狀態(tài)指示信號th1和th2，DDR內存的空滿信號；輸出信號為對DDR內存的讀請求rd_req和寫請求wr_req，地址addr。規(guī)定：th1＝1表示出口FIFO幾乎空，出口FIFO狀態(tài)為非忙，可以對DDR內存發(fā)出讀請求，直到th2＝1為止；th2＝1表示出口FIFO幾乎滿，出口FIFO狀態(tài)為忙，可以對DDR內存發(fā)出寫請求，直到th1＝1為止。

    DDR內存的空滿由讀寫地址的比較得出，并且要提前幾個時鐘周期置出。非空標志由這樣的地址比較得出：rdaddr/= wraddr-2 and rdaddr/= wraddr-1 and rdaddr/=wraddra；非滿標志由這樣的地址比較得出：  wraddr+2/=rdaddr and wraddr+3/=rdaddr and rdaddr/= wraddr+1。
讀請求rd_req產生條件是： ①DDR內存非空，DDR內存滿且th2＝0；
    ②DDR內存非空，DDR內存非滿且th1＝1至th2＝1。
寫請求wr_req產生條件是：①DDR內存非滿，DDR內存空；
    ②DDR內存非滿，DDR內存非空且th2＝1至th1＝1。
    DDR內存模塊的地址產生邏輯使用VHDL語言在Quartus II 4.1上實現，最后編程例化到Altera公司的Stratix GX系列FPGA中物理實現。具體仿真波形詳見圖2。

 
                   圖 2  ＤＤＲ內存模塊地址產生程序的信號仿真波形
    仿真說明：輸入時鐘為150M，復位信號高有效，ready為DDR控制器準備好信號，th1＝1表示出口FIFO幾乎空，在DDR內存非空時，應該讀DDR內存；th2＝1表示出口FIFO幾乎滿，在DDR內存非滿時，應該寫DDR內存；輸出數據為讀請求信號rdreq，寫請求信號wrreq，輸出地址信號ddraddr（為仿真方便，仿真時的地址位寬設定為5bit）。

    通過仿真從Quartus II 4.1的報告中可以看到如此設計的時鐘可以最高達到162.92MHz，符合設計要求的150MHz。其它功能要求也能滿足。

5.結束語
    本文根據電子系統(tǒng)對高速大容量內存的需要，使用成熟商業(yè)化DDR控制器IP核來設計獨立的DDR內存接口模塊，不僅能從控制的細節(jié)中解脫出來，專注于系統(tǒng)的關鍵功能設計，并且能夠獲得更高的性能，完全滿足我們的功能性能需要。經測試該設計性能穩(wěn)定，整個工作流程簡單實用，符合設計要求。

參考文獻
1 stratix_GX_datasheet. Altera公司，2003
2 Double Data Rate（DDR）SDRAM Handbook.Micron公司，2004
3邊計年,薛宏熙.用VHDL設計電子線路[M].北京：清華大學出版社，2000