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[導(dǎo)讀]介紹非易失性鐵電存儲器FM25H20的性能特點,內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理;給出單片機與FM25H20的寫操作接口電路圖,以及FM25I-t20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬度用于計算機系統(tǒng)時使用FM25H20的方法.從而實現(xiàn)大容量存儲系統(tǒng)的擴展。

1 引言
    鐵電存儲器(FRAM)具有擦寫次數(shù)多,讀寫速度快,抗干擾強,功耗低,讀寫無限次,數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點,已廣泛應(yīng)用于儀器儀表、航空航天、工業(yè)控制系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、自動取款機等領(lǐng)域。美國Ramtron公司鐵電存儲器的核心技術(shù)是采用鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器特性。與EEPROM和Flash非易失性存儲器相比,F(xiàn)RAM在單片容量、單元密度、寫入速度、擦除速度、功耗、成本等方面具有更大的優(yōu)勢,因此,F(xiàn)RAM是大容量、高密度數(shù)據(jù)存儲的理想方案。


2 FM25H20簡介
    FM25H20是美國Ramton公司的2 MB串行非易失性的FRAM,其工作電壓為2.7~3.6 V,采用先進的130 nm CMOS工藝,8引腳TDFN封裝,具有256 KBx8位存儲結(jié)構(gòu),總線讀寫速度高達40 MHz,無限次讀寫和低工作電流,并具有10年數(shù)據(jù)保存能力。此外,F(xiàn)M25H20還包含一個工業(yè)標準SPI接口,優(yōu)化FRAM高速寫入能力。并具有硬件和軟件寫保護功能。防止意外寫入和數(shù)據(jù)破壞。該串行FRAM具有低工作電流,在40 MHz讀寫速度下,工作電流小于10 mA,待機時為80μA。FM25H20與其他同類串行Flash存儲器引腳兼容,但性能遠優(yōu)于Flash存儲器。


3 FM25H20的工作原理
3.1 存儲器結(jié)構(gòu)
    FM25H20是由存儲陣列、數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖和鎖存、命令寄存器、非易失性數(shù)據(jù)寄存器、地址鎖存與譯碼、指令譯碼、時鐘信號發(fā)生器、控制邏輯、寫保護等模塊構(gòu)成。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖l所示。外部電路通過8位I/O端口分時訪問FM25H20的命令寄存器、地址寄存器和數(shù)據(jù)寄存器,完成對其內(nèi)部存儲器的訪問。

3.2 SPI工作方式
    FM25H20是串行FRAM,其內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)為256 KB×8位,地址范圍為00000H~3FFFFH,采用24位尋址方式。FM25H20尋址遵循SPI協(xié)議,該協(xié)議包括片選S,操作碼C和2字節(jié)地址D。FM25H20支持SPI工作方式0和工作方式3。使用時,在S信號的下降沿時,根據(jù)時鐘總線和數(shù)據(jù)總線的狀態(tài)確定FM25H20的工作方式。SPI工作方式O和工作方式3的時序圖分別如圖2和圖3所示。

3.3 操作指令
    FM25H20的SPI協(xié)議由操作指令控制。當(dāng)片選信號S有效時(S=0),F(xiàn)M25H20操作指令的第一個字節(jié)為命令字,緊接其后的是1l位有效地址和傳輸數(shù)據(jù)。FM25H20操作指令共有7條,分為3類如表1所示。其中,第一類指令為不接任何操作數(shù),用于完成某一特定功能。包括WREN和WRDI指令;第二類指令為接一個字節(jié).用于對狀態(tài)寄存器的操作,包括RDSR和WRSR指令;第三類指令可對存儲器進行讀寫操作,該類指令后緊接存儲器地址和一個或多個地址數(shù)據(jù),包括READ和WRITE指令。所有的指令,其地址和數(shù)據(jù)都是以MSB(最高有效位)在前的方式傳輸。

3.4 狀態(tài)寄存器和寫保護
    FM25H20具有硬件和軟件雙重寫保護功能。首先,在寫操作之前,必須先用WREN指令對寫使能鎖存器置位;其次,在寫操作允許的情況下.設(shè)置狀態(tài)寄存器,使WPEN位置l并且使W引腳為低電平。FM25H20的狀態(tài)寄存器格式如表2所列。其中,bitO,bit4,bit5恒為0,bit6為l'bit7、bit3和bit2為寫保護控制位;bitl是寫使能鎖存器狀態(tài)位;bit3和bit2為存儲器存儲區(qū)間(塊)的寫保護位。

3.5 寫操作
    FM25H20寫操作先發(fā)送WREN指令,再發(fā)送WRITE指令。WRITE指令后接3個字節(jié)的地址,這24位地址中的高6位為任意碼,低18位地址為要寫入的首字節(jié)數(shù)據(jù)的有效地址,該地址后面為要寫入的數(shù)據(jù)。若輸人的數(shù)據(jù)大于1個,那么第一個數(shù)據(jù)后的數(shù)據(jù)存儲地址由FM25H20內(nèi)部依次增加給出。當(dāng)?shù)刂愤_到3FFFFH時,地址計數(shù)器置為00000H,輸入數(shù)據(jù)是以最高有效位(MSB)在前,最低有效位(LSB)在后的順序傳輸?shù)摹?br />3.6 讀操作
   
在S信號下降沿發(fā)送READ指令,在READ指令后緊接發(fā)送3個字節(jié)的地址。當(dāng)發(fā)送完指令和地址后,可忽略數(shù)據(jù)線操作。數(shù)據(jù)總線等待8個時鐘信號,依次讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)刂愤_到3FFFFH時,地址計數(shù)器置為00000H,輸入數(shù)據(jù)是以MSB在前,LSB在后的順序傳輸?shù)摹?br />

4 FM25H20的典型應(yīng)用
4.1 FM25H20與通用單片機的連接

    AT89S52是一款低功耗、8位高性能CMOS單片機,片內(nèi)含8 K字節(jié)ISP的可反復(fù)擦寫l 000次的Flash只讀程序存儲器。該器件采用高密度,非易失性存儲技術(shù).兼容標準MCS一5l指令系統(tǒng)及80C5l引腳結(jié)構(gòu)。內(nèi)部集成有通用8位中央處理器和ISP Flash存儲單元。圖4給出AT89S52與FM25H20的接口電路圖。

    AT89S52對FM25H20的寫操作流程圖如圖5所示。該項流程圖適用于一般單片機對FM25H20的寫操作.FM25H20存儲數(shù)據(jù)的首址是10000H,所以可在FM25H20的10000H~3FFFFH地址范圍內(nèi)存儲控制系統(tǒng)的重要參數(shù).而將00000H~0FFFFH地址留給用戶。FM25H20數(shù)據(jù)首址可根據(jù)具體應(yīng)用進行修改。

4.2 FM25H20與帶SPI總線的單片機的連接
   
ATmegal69V是基于增強的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。該器件片內(nèi)含有3個模式靈活的定時器,計數(shù)器(T/C)、片內(nèi)/外中斷,可編程串行USART、具有起始條件檢測器的通用串行接口、8路10位A/D轉(zhuǎn)換器、具有片內(nèi)振蕩器的可編程看門狗定時器、SPI串行端口、16 K字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash、512字節(jié)EEPROM、l K字節(jié)SRAM等。ATmegal69V和F。M25H20可通過SPI總線傳輸數(shù)據(jù)和控制命令。其接口電路如圖6所示。

5 結(jié)語
   
介紹了FM25H20型FRAM的主要特性和使用方法,給出了單片機與FM25H20的接口電路圖和對FM25H20的寫操作流程圖,歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬度在計算機系統(tǒng)使用FM25H20的方法。由于鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能,因此,它可應(yīng)用于如水表,電表,煤氣表,門禁系統(tǒng),醫(yī)療設(shè)備,自動取款機,汽車記錄儀,電子儀器等儀器儀表中。隨著技術(shù)發(fā)展,鐵電存儲器具有良好的應(yīng)用前景。

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