網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)電源正推動(dòng)功率密度增加，而這正是云和5G計(jì)算所需。碳化硅（SiC）二極管用于功率因數(shù)校正（PFC）級，而氮化鎵（GaN）/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級的選項(xiàng)。

如今的設(shè)計(jì)人員都致力于符合80Plus Titanium標(biāo)準(zhǔn)，以及提高功率密度。標(biāo)準(zhǔn)密度為大約5到15個(gè)2到4千瓦的1單元服務(wù)器。而實(shí)際上，我們正在推進(jìn)突破極限，邁向4到6個(gè)刀片服務(wù)器的超高密度，這些是15到30千瓦的可交換服務(wù)器。這些趨勢、功率水平和能效都在推進(jìn)服務(wù)器和工業(yè)電源市場。

當(dāng)我們深入探討服務(wù)器和工業(yè)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，SiC用于PFC級的優(yōu)點(diǎn)包括：達(dá)98%的更高能效，更高頻率，更高功率密度，雙向電力流向，以及更少器件數(shù)。

安森美半導(dǎo)體擁有很廣泛的產(chǎn)品陣容
從二極管到MOSFET。我們的二極管包括650V和1200V，通孔，表面貼裝，裸片和模塊；我們已推出的MOSFET有1200V和900V，不久還要推出650V。

我們的所有產(chǎn)品，都有很高的質(zhì)量和可靠性水平，并會(huì)進(jìn)行AEC-Q101測試。