3月31日晚間，中芯國際公布了2019年財報，財報中，中芯國際表示，第一代14nm FinFET技術(shù)已進入量產(chǎn)，在2019年Q4貢獻約1%的晶圓收入，預(yù)計在2020年穩(wěn)健上量。第二代FinFET技術(shù)平臺持續(xù)客戶導(dǎo)入。

財報中顯示，中芯國際2019年的收入為3,115.7百萬美元，相比2018年的收入3,360.0百萬美元，增加了1.4%；2019年毛利為642.5百萬美元，相比2018年的毛利為746.7百萬美元，增加了19.1%；2019年經(jīng)營活動所得凈現(xiàn)金錄得記錄新高，達1,019.1百萬美元，相比2018年為799.4百萬美元，升幅為27.5%。

值得一提的是，來自中國地區(qū)客戶的收入增長至占2019年總收入的59.5%，相比2018年占比則為不含技術(shù)授權(quán)總收入的57.0%。

中芯國際表示：“5G、人工智慧等領(lǐng)域的興起將大幅提振市場需求，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來新的歷史機遇。這些新興應(yīng)用的提速發(fā)展將進一步提振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場需求?！?

據(jù)了解，中芯國際在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進制程晶圓廠，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠，以及一座控股的300mm先進制程晶圓廠在建設(shè)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠。

此外，中芯國際在14nm之后的先進工藝上還在加速追趕。2月份，中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士也首次公開了N＋1、N＋2代工藝的情況。他表示N＋1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。N＋1之后還會有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會增加。

另外，3月4日，中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司從荷蘭進口的一臺大型光刻機順利通過出口加工區(qū)場站兩道閘口進入廠區(qū)，這臺機器主要用于企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后的生產(chǎn)線擴容。

提到制程，英特爾、臺積電、三星等幾個巨頭一直處于領(lǐng)先地位。尤其是，最近發(fā)布的搭載在紫光展銳旗下首款5G SoC虎賁T7520的臺積電 6nm 制程技術(shù)。另外，蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4都要使用臺積電的 5nm 工藝，這個工藝臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn)，第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn)。

三星方面，官方最近也表示韓國華城V1生產(chǎn)線是三星第一條采用極紫外(EUV)光刻工藝的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，并且這兩批產(chǎn)線已開始批量生產(chǎn) 6nm 和 7nm芯片，并要在第一季度交付產(chǎn)品。Intel CFO George Davis在大摩TMT會議時表示，預(yù)計2021年底前拿出7nm產(chǎn)品，之后迅速切換到5nm，并重新奪取制程領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

而本次中芯國際14nm FinFET，意味著國產(chǎn)的更進一步，中國芯加油！