中國江存儲近日宣布，已經攻克128層堆疊3D QLC閃存技術，單顆容量做到1.33Tb，創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一，這也是中國首次躋身全球第一隊列水平。

當前，整個閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊，其中東芝、西部數據是112層，美光、SK海力士是128層，三星是136層，Intel則做到了144層。三星日前就宣布，正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎。

在今天的第一季度財務會議期間，同樣來自韓國的SK海力士也確認，將會加速推進128層3D閃存在今年第二季度投入大規(guī)模量產。

SK海力士目前的閃存主力是96層堆疊，128層技術遭在去年年中就已經宣布，支持TLC、QLC兩種閃存類型，當時號稱堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb(128GB)，集成超過3600億個閃存單元。

SK海力士在去年底開始小批量出貨128層閃存，今年初的CES上還展示了兩款使用這種閃存的高端SSD，型號分別為Gold P31、Platinum P31，都是M.2 22110形態(tài)，采用自家主控，持續(xù)讀寫最高3.5GB/s、3.2GB/s，最大寫入壽命2TB/1500TBW。

接下來，SK海力士還會沖擊176層閃存。

長江存儲的128層閃存未透露具體量產時間，只說在今年晚些時候。對此大家也不必過于苛求，認為長江存儲只會講PPT、量產太慢之類的。

一方面，從攻克技術到投入量產，任何廠商都需要一定的時間，SK海力士的128層閃存可是去年年中就宣布了，現在仍未大規(guī)模量產，前后耗時將近一年，長江存儲即便到今年第四季度量產也不比這慢。

另一方面，我們在半導體行業(yè)的底子薄是有目共睹的，長江存儲能從64層跨越發(fā)展到128層，從落后一代到比肩一流，這本身就堪稱奇跡。

中國的高速發(fā)展讓國際恐慌，各個巨頭開始加速研發(fā)和量產。