去年，中芯國際表示將在四季度開啟基于 14nm FinFET 制程的量產(chǎn)芯片。同時(shí)，該公司也在努力開發(fā)下一代主要節(jié)點(diǎn)（N+1），宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。與中芯國際自家的 14nm 制程相比，N+1 可在性能提升 20% 的同時(shí)降低 57% 的功耗、并將邏輯面積減少了 63% 。

資料圖（來自：SMIC）

但實(shí)際上，中芯國際表示 N+1 并不等同于 7nm 技術(shù)。盡管新工藝可讓 SoC 變得更小、更節(jié)能，但 N+1 帶來的性能提升，仍無法與 7nm 競(jìng)品做到旗鼓相當(dāng)。

有鑒于此，中芯國際將 N+1 定位于更具成本吸引力的芯片制造技術(shù)。該公司發(fā)言人稱：“N+1 的目標(biāo)是低成本應(yīng)用，與 7nm 相比，其優(yōu)勢(shì)在 10% 左右”。

此外，中芯國際的 N+1 工藝并未使用極紫外光刻（EUVL），因此該晶圓廠無需從 ASML 購買其它昂貴的設(shè)備。

這并不說明該公司沒有考慮過 EUV，其確有獲得 EUV 步進(jìn)掃描系統(tǒng)，但有報(bào)道稱因美方施壓而尚未安裝，導(dǎo)致中芯國際只得等到 N+2 工藝時(shí)采用上 EUV 。

如果一切順利，中芯國際有望在 2020 年 4 季度開始 N+1 制程的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并于 2021 或 2022 年轉(zhuǎn)入大批量生產(chǎn)。