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[導(dǎo)讀] (文章來(lái)源:OFweek) 正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿(mǎn)足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前,市場(chǎng)上的大功率開(kāi)關(guān)電源,其核心功率

(文章來(lái)源:OFweek)

正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見(jiàn)廣泛。許多電力測(cè)試儀器都要求大功率、高性能以滿(mǎn)足電力設(shè)備的測(cè)試要求。目前,市場(chǎng)上的大功率開(kāi)關(guān)電源,其核心功率器件大都采用MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管,它們都不能滿(mǎn)足小型、高頻、高效率的要求。

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有開(kāi)關(guān)速度快和電壓型控制的特點(diǎn),但其通態(tài)電阻大,難以滿(mǎn)足高壓大電流的要求;雙極型功率晶體管雖然能滿(mǎn)足高耐壓大電流的要求,但沒(méi)有快速的開(kāi)關(guān)速度,屬電流控制型器件,需要較大的功率驅(qū)動(dòng)。絕緣柵雙極型功率晶體IGBT集MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管于一體,具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、容量大等優(yōu)點(diǎn)。

用高性能的絕緣柵雙極型功率晶體IGBT作開(kāi)關(guān)逆變?cè)⒉捎米冾l調(diào)幅技術(shù)研制的逆變電源,具有效率高、性能可靠、體積小等優(yōu)點(diǎn)。

該電源采用高頻逆變技術(shù)、數(shù)字信號(hào)發(fā)生器、正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)幅、時(shí)序控制上電和串聯(lián)諧振式輸出。電源具有效率高、輸出功率大、體積小等優(yōu)點(diǎn),其總體塬理框圖如圖所示。

由數(shù)字信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的正弦波被25kHz的叁角調(diào)制波調(diào)制,得到一個(gè)正弦脈寬調(diào)制波,經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)逆變?cè)蘒GBT。改變正弦波的頻率,幅值便可達(dá)到調(diào)頻調(diào)幅輸出,逆變輸出為串聯(lián)諧振式輸出,將高頻載波信號(hào)濾掉,從而得到所需頻率的正弦信號(hào)。

時(shí)序控制電路用來(lái)控制功率源供電電源在上電時(shí)緩慢上電,確保電源上電時(shí)電流平穩(wěn),同時(shí)還避免非過(guò)零點(diǎn)開(kāi)關(guān)帶來(lái)的沖擊;在控制電路中還設(shè)計(jì)了故障定功能,一旦電源故障,鎖定功能將禁止開(kāi)通IGBT,當(dāng)故障出現(xiàn)時(shí),IGBT被鎖點(diǎn)開(kāi)通,這時(shí)大容量濾波電容會(huì)儲(chǔ)存很高的電能。所以,電源部分有故障保護(hù)自動(dòng)切斷工作電源和自動(dòng)放電功能,整機(jī)設(shè)計(jì)有雙重過(guò)流、過(guò)壓和過(guò)熱等完善的保護(hù)功能。

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