4月11日消息 在日前舉行的英特爾年度戰(zhàn)略“紛享會(huì)”上，官方介紹了其先進(jìn)封裝技術(shù)。英特爾表示目前有兩種封裝技術(shù)可以使用，一是EMIB，另外就是Foveros。

英特爾中國(guó)研究院院長(zhǎng)宋繼強(qiáng)表示，EMIB可以想象是在一個(gè)水平層有很多種不同功能的芯片，但并不是互相之間拉很多線進(jìn)行連接，而是通過(guò)EMIB。只有一個(gè)米粒大的芯片嵌入其中，提供高帶寬、低功耗的連接，這是一個(gè)2.5D的封裝技術(shù)。

Foveros技術(shù)則是在蓋高樓，在垂直方向上用好幾種新的技術(shù)讓它提供高帶寬、低功耗的芯片連接。英特爾Foveros 3D堆疊封裝技術(shù)，可以通過(guò)在水平布置的芯片之上垂直安置更多面積更小、功能更簡(jiǎn)單的小芯片來(lái)讓方案整體具備更完整的功能。官方表示，除了功能性的提升之外，F(xiàn)overos技術(shù)對(duì)于產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)最迷人的地方在于他可以將過(guò)去漫長(zhǎng)的重新設(shè)計(jì)、測(cè)試、流片過(guò)程統(tǒng)統(tǒng)省去，直接將不同IP、不同工藝的各種成熟方案封裝在一起，從而大幅降低成本并提升產(chǎn)品上市速度。

了解到，去年7月份，英特爾還推出了將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用技術(shù)——Co-EMIB。Co-EMIB技術(shù)可以理解為EMIB和Foveros兩項(xiàng)技術(shù)的結(jié)合，在水平物理層互連和垂直互連的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)Foveros 3D堆疊之間的水平互連。這樣一來(lái)不管是2D水平互連還是3D堆疊互連，單片與單片之間都可以實(shí)現(xiàn)近乎于SoC級(jí)高度整合的低功耗、高帶寬、高性能表現(xiàn)，為芯片封裝帶來(lái)絕佳的靈活性。