光刻機(jī)是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造流程中的核心設(shè)備，由于技術(shù)復(fù)雜、廠商壟斷，導(dǎo)致其價(jià)格昂貴。

最近，光刻機(jī)全球領(lǐng)導(dǎo)廠商荷蘭ASML發(fā)布最新報(bào)告，今年一季度，ASML共獲得了73 臺(tái)光刻機(jī)訂單，其中 11 臺(tái)是極紫外EUV光刻機(jī)。

據(jù)介紹，這73 臺(tái)光刻機(jī)訂單金額高達(dá) 30.85 億歐元，其中11臺(tái)EUV光刻機(jī)的訂單金額為15億歐元。

根據(jù)ASML此前的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2019年Q1,ASML獲得的光刻機(jī)訂單是 34 臺(tái)，金額 13.99 億歐元。相比去年一季度，無(wú)論是訂單數(shù)量還是訂單金額，ASML在今年一季度都實(shí)現(xiàn)了暴增。

從其中高端的極紫外EUV光刻機(jī)訂單量來(lái)看，ASML去年的財(cái)報(bào)顯示，2019年ASML全年共計(jì)出貨26臺(tái)EUV光刻機(jī)，而今年僅一季度就獲得了11臺(tái)EUV光刻機(jī)訂單，可以預(yù)計(jì)，今年ASML在EUV光刻機(jī)的出貨量上，也要遠(yuǎn)超去年。

根據(jù)最新的訂單金額，21ic小編粗算了一下，最高端的EUV光刻機(jī)每臺(tái)大約10億元人民幣，即便是中低端的光刻機(jī)產(chǎn)品，每臺(tái)也要約2億元人民幣。

眾所周知，光刻機(jī)是半導(dǎo)體生產(chǎn)的必備設(shè)備，全球的晶圓廠、代工廠原則上都是ASML的潛在客戶，尤其是在EUV光刻機(jī)產(chǎn)品上，ASML是獨(dú)家供貨商。

根據(jù)去年的數(shù)據(jù)，其售出的26臺(tái)極紫外線(EUV)光刻機(jī)中的一半左右賣(mài)給了臺(tái)積電公司，另外三星、英特爾也是ASML的主要客戶。

中國(guó)的晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際也向ASML預(yù)定了極紫外EUV光刻機(jī)，但遺憾的是，由于種種原因，目前仍未能到貨。不過(guò)，雖然沒(méi)有EUV光刻機(jī)，但據(jù)中芯國(guó)際梁孟松介紹，其研發(fā)的N+1、N+2工藝，其中N+1與現(xiàn)在的14nm工藝相比，性能有20%的提升，功耗降低50%，從性能上來(lái)看，該工藝與臺(tái)積電的7nm稍有差距，但是功耗要低很多。可以看出，基本上，中芯國(guó)際N+1、N+2工藝已十分接近7nm工藝，該技術(shù)將于2020年底開(kāi)始試驗(yàn)產(chǎn)能。

除了現(xiàn)有的晶圓廠，2019年建成即將投產(chǎn)以及2020年新建的晶圓廠都是ASML的潛在用戶。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)2019年報(bào)告，預(yù)計(jì)2020年全球新晶圓廠建設(shè)投資總額將達(dá)500億美元，相比2019年增加120億美元，預(yù)計(jì)2020年全球?qū)⒂?8座新晶圓廠開(kāi)工。

所謂光刻，就是使用光在硅上印刷微小的電路圖案，從而批量生產(chǎn)各類(lèi)集成電路芯片。光刻系統(tǒng)本質(zhì)上是投影系統(tǒng)，把設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)的芯片圖案縮小之后刻在半導(dǎo)體材料上，經(jīng)過(guò)復(fù)雜的加工處理，就得到了各種功能的芯片。

根據(jù)所使用的光的波長(zhǎng)不同，可以將光刻機(jī)分為DUV(深紫外線)光刻機(jī)和EUV(極紫外線)光刻機(jī)，DUV(深紫外線)光刻技術(shù)使用的是波長(zhǎng)193納米的光，而EUV(極紫外線)光刻機(jī)使用的波長(zhǎng)13.5納米的光。

使用的光波長(zhǎng)越小，制造芯片的工藝制程越高。目前DUV(深紫外線)光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造廠商的主流工具，可以覆蓋從45nm到10/7nm半導(dǎo)體工藝。但是，到7nm節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)達(dá)到DUV光刻的極限了，如果再要提升半導(dǎo)體制造工藝，就不得不借助極紫外光(EUV)光刻技術(shù)了。因此，目前半導(dǎo)體生產(chǎn)巨頭像Intel、三星和臺(tái)積電都已在7nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始使用EUV(極紫外線)光刻技術(shù)。

ASML是目前世界上唯一使用極紫外光EUV的光刻機(jī)制造商。據(jù)ASML官網(wǎng)信息，其EUV技術(shù)使用的波長(zhǎng)僅為13.5納米(接近X射線水平)，這樣就可以在極小的規(guī)模上操作。目前，ASML的EUV光刻機(jī)中，3400C是新一代的EUV光刻系統(tǒng)，它結(jié)合了生產(chǎn)率，最高分辨率以及最先進(jìn)的覆蓋和聚焦性能，3400B可支持7nm和5nm節(jié)點(diǎn)的EUV批量生產(chǎn)。