中芯國際接連取得突破，打破西方光刻機封鎖!在我國半導體行業(yè)內，一直存在著一個重大問題，那就是我國國產光刻機的精度僅為90nm，90nm精度的光刻機與最熱門的7nmEUV工藝相比，90nm光刻機做出來的芯片在功耗和性能上有很大差別。90nm精度的光刻機沒有辦法制作手機芯片，只能制造電視芯片或者一些比較低端的智能設備芯片。

當然了，相比于荷蘭ASML公司領先世界的7nmEUV工藝，我國還需要更加努力，并且83nm的差距也不是一兩年就能追平的，但在我國眾多科技公司的努力下，西方國家的封鎖將持續(xù)不了多久了。

為什么這么說呢?原來，近段時間中科院放出了一條消息，那就是我國多個科技公司和中科院聯(lián)合研發(fā)出了一款22nm分辨率的光刻機，該光刻機一旦實現量產，我國就能夠追回10年的差距。據透露，目前這款光刻機還處于實驗測試階段，我國正加大對光刻機的研發(fā)投入。

在中科院傳來好消息的同時，另一邊，中國的芯片“巨頭”中芯國際也傳來好消息。據中芯國際CEO梁孟松介紹，中芯國際目前已經成功研發(fā)出了N+1工藝，說起這種工藝，就大有看頭了，因為與之前的14nm工藝相比，N+1工藝下的芯片無論是在性能還是在功耗比上都有很大的提升，而且這個提升已經逐漸逼近臺積電的7nm工藝了。

要知道，在沒有EUV光刻機的情況，中芯國際能取得如此傲人的成績，可以說是非常不容易了。但中芯國際似乎還沒有放棄前進的步伐，梁孟松透露，中芯國際還在繼續(xù)研發(fā)更強悍的N+2工藝，并且預計N+1工藝能在明年年底投產。

據統(tǒng)計，中國每年進口的芯片量占據了全球芯片總產量的60%，如果在中科院和中芯國際的技術成熟后，這60%的需求當中將會有一半會被“中國制造”所取代，這也就意味著我國正逐步打破西方國家對光刻機以及芯片生產技術的封鎖，我國半導體行業(yè)即將迎來曙光。