富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的新款2Mbit FRAM
上海，2020年5月11日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運(yùn)行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設(shè)接口(SPI)。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。
圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝
圖2：應(yīng)用實(shí)例(ADAS)
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
自2017年以來，富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車級FRAM產(chǎn)品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場需求而面世的。
MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用，比如連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)將超過30億。另外，這款產(chǎn)品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到汽車級產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。因此，在數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(無引線雙側(cè)扁平)封裝。
圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝
除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產(chǎn)品。富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。
關(guān)鍵規(guī)格
? 組件型號：MB85RS2MLY
? 容量(組態(tài))：2 Mbit(256K x 8位)
? 接口：SPI(Serial Peripheral Interface)
? 運(yùn)作頻率：最高50 MHz
? 運(yùn)作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特
? 運(yùn)作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度
? 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)
? 封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN
? 認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)：符合AEC-Q100 Grade 1
詞匯與備注
注一：鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(FRAM)
FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。
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