4月24日消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺積電近日上傳了2019年年報，并在年報中首度提及2nm技術(shù)。

臺積電

在2018年年報中，臺積電的表述為，公司3nm技術(shù)已進入全面開發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開始定義并密集進行先期開發(fā)。

在2019年年報中，臺積電表示，當臺積電公司采用三維電晶體之第六代技術(shù)平臺的3nm技術(shù)持續(xù)全面開發(fā)時，公司已開始開發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2nm技術(shù)，同時針對2nm以下的技術(shù)進行探索性研究。

關(guān)于3nm制程技術(shù)，臺積電表示，相較于5nm制程技術(shù)，3nm制程技術(shù)大幅提升晶片密度及降低功耗并維持相同的晶片效能。2019年，臺積電的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善以及可靠性評估。臺積電表示，今年將持續(xù)進行3nm制程技術(shù)的全面開發(fā)。

臺積電未詳細介紹2nm制程技術(shù)。

關(guān)于微影技術(shù)，臺積電表示，去年，微影技術(shù)研發(fā)的重點在于5nm的技術(shù)轉(zhuǎn)移、3nm技術(shù)的開發(fā)及2 nm以下技術(shù)開發(fā)的先期準備。5nm技術(shù)已經(jīng)順利地移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問題。

針對3nm技術(shù)的開發(fā)，極紫外光（EUV）微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的晶片良率。研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。

今年，臺積電將在2nm及更先進制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，客戶包括蘋果、高通等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為TSM。