【ROHM在線研討會(huì)】

將于5月28日重磅開啟！

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體

具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能 

材料方面

高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化

6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進(jìn)

產(chǎn)業(yè)方面

國(guó)際企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局

SiC 成為巨頭布局熱點(diǎn)

產(chǎn)能大幅增加

產(chǎn)品供應(yīng)上量，價(jià)差持續(xù)縮小

SiC產(chǎn)品性價(jià)比開始凸顯

商用的SiC半導(dǎo)體器件

有SiC肖特基二極管

SiC JFET及SiC MOSFET

SiC MOSFET相比Si MOSFET的明顯優(yōu)勢(shì)包括

更小的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)過程

更小的寄生電容、更高的工作溫度

更好的二極管反向恢復(fù)特性 

缺點(diǎn)包括

更高的反向二極管導(dǎo)通壓降、驅(qū)動(dòng)電路更復(fù)雜、系統(tǒng)對(duì)于雜散參數(shù)更加敏感。

 這么復(fù)雜？

想要學(xué)習(xí)使用SiC MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源？

那么快來加入這次研討會(huì)吧！ 

 高耐壓、高效率SiC MOSFET準(zhǔn)諧振電源方案

2020-05-28 10:00:00

 顧偉俊

羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司

設(shè)計(jì)中心工程師

資深SiC領(lǐng)域?qū)＜?ROHM技術(shù)研討會(huì)主講師。多年從事SiC研究，擁有非常豐富的SiC應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。現(xiàn)任“ROHM技術(shù)研討會(huì)”SiC MOSFET部分的講師。在全國(guó)范圍內(nèi)成功舉辦了多場(chǎng)研討會(huì)。希望通過在線研討會(huì)的形式，突破地域的局限，與更多的同行分享工作中的心得和體會(huì)。