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[導讀] 昨日(10月31日),總投資300億元的重慶康佳半導體光電產(chǎn)業(yè)園在璧山國家高新區(qū)正式開工建設。 據(jù)了解,今年6月中旬,康佳集團發(fā)布公告宣布與重慶市璧山區(qū)人民政府簽署了《合作框架

昨日(10月31日),總投資300億元的重慶康佳半導體光電產(chǎn)業(yè)園在璧山國家高新區(qū)正式開工建設。

據(jù)了解,今年6月中旬,康佳集團發(fā)布公告宣布與重慶市璧山區(qū)人民政府簽署了《合作框架協(xié)議》和《工業(yè)項目投資合同》 。

合作協(xié)議約定康佳集團擬在重慶市璧山區(qū)建設重慶康佳半導體光電產(chǎn)業(yè)園,力爭重慶康佳半導體光電產(chǎn)業(yè)園項目在璧山區(qū)總投資達到300億元,其中一期投資75億元。

8月26日,康佳集團與重慶市璧山高新區(qū)在2019智博會重大項目現(xiàn)場集中簽約儀式上正式簽約,宣布將投資300億元建設康佳集團重慶半導體光電產(chǎn)業(yè)園。

據(jù)悉,該產(chǎn)業(yè)園項目瞄準Micro LED等新型顯示技術。項目計劃分三期建設:其中,一期將建設新一代移動顯示設備、無屏顯示光機、智能控制系統(tǒng)解決方案、Micro LED項目;二期建設光電產(chǎn)業(yè)研究院、Micro LED下一代顯示技術項目;三期建設Micro LED顯示屏及終端產(chǎn)品、投影電視及配件、相關家電產(chǎn)品等項目。

昨日,重慶康佳半導體光電產(chǎn)業(yè)園正式動工。據(jù)康佳集團總裁周彬介紹,該產(chǎn)業(yè)園項目占地266.8畝,總建筑面積約21.35萬平方米,一期將建立光電研究院及試產(chǎn)線,二期將建立光電產(chǎn)業(yè)基地,預計項目滿產(chǎn)后將形成一個超過千億元規(guī)模及全球領先的光電技術中心。

同時,重慶康佳光電技術研究院在璧山CBD揭牌成立。雙方將以重慶康佳光電技術研究院為核心,帶動上游原材料、零部件、設備制造、新一代顯示及消費應用產(chǎn)品等相關產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打造完整生態(tài)鏈。

值得注意的是,9月17日,康佳集團宣布擬出資15億元與重慶兩山產(chǎn)業(yè)投資有限公司合資成立重慶康佳半導體光電研究院,注冊資本為20 億元。同時,以該研究院為主體投資不超過25.50億元采購Micro LED相關的機器設備,開展Micro LED相關的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

另外,“未來之境”康佳APHAEA未來屏全球發(fā)布會也于昨日在重慶悅來國際會議中心召開,康佳APHAEA未來屏系列產(chǎn)品正式發(fā)布并首次亮相。

發(fā)布會上,康佳推出Micro LED電視Smart Wall,Smart Wall使用超過一億顆Micro LED芯片,可實現(xiàn)2000 nits的超高亮度,10,000,000:1的超高對比度以及147%的超廣色域。

這一系列大動作表明了康佳正在大力投入5G、半導體、物聯(lián)網(wǎng)、新一代顯示技術等自主創(chuàng)新領域。

隨著超高清視頻產(chǎn)業(yè)時代、智能物聯(lián)網(wǎng)時代及5G通訊時代等的來臨,Micro LED等新型顯示技術成為眾多廠商追求的目標,近年來加入布局的玩家有增無減,共同推動Micro LED技術的發(fā)展。雖然實現(xiàn)Micro LED的商業(yè)化仍需克服許多技術和成本挑戰(zhàn),但從相關領先廠商的開發(fā)進展來看,Micro LED大規(guī)模量產(chǎn)的時間并不遠。

LEDinside最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告》顯示,Micro LED技術雖面臨眾多的挑戰(zhàn),但對比兩年前,目前的技術進展已經(jīng)進步許多,早期的專利技術已經(jīng)有實體樣品展示機的出現(xiàn),未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術的成熟而加快。

在昨日的發(fā)布會上,康佳就邀請了2014年諾貝爾物理學獎得主中村修二先生來發(fā)表對于Micro LED 顯示器前景的看法以及目前該實驗室的技術進展。

中村先生表示,要實現(xiàn)全彩化的Micro LED顯示器,需要紅,藍,綠三色LED的搭配,但是紅光LED屬于AllGaP材料,有別于藍綠光的InGaN材料,生產(chǎn)難度與效率都偏低。同時,電流驅動不同的材料上也有很多挑戰(zhàn)。因此,在InGaN材料上生長紅光LED方面,該研究團隊正在進行研發(fā),并取得了初步成果。

此外,Micro LED的各種特性指標都遠勝OLED,然而急需克服的就是成本的挑戰(zhàn)。而為了降低成本,在微縮LED芯片尺寸的過程中,也會導致LED效率的同步下降。目前該研究團隊已經(jīng)開發(fā)出10μm芯片大小,EOE效率達到42%的全球領先指標。(文:LEDinside Janice)
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