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[導讀] 存儲器粗略的可以分為 存儲器一般分為以下四大類別: 1.非易發(fā)性(揮發(fā)性)存儲器,如NAND FLASH、NOR flash,主要特征是在存儲數(shù)據(jù)在掉電之后不會丟失,這類存儲器的

存儲器粗略的可以分為

存儲器一般分為以下四大類別:

1.非易發(fā)性(揮發(fā)性)存儲器,如NAND FLASH、NOR flash,主要特征是在存儲數(shù)據(jù)在掉電之后不會丟失,這類存儲器的讀取速度比較慢一般用來做資料跟大數(shù)據(jù)存儲用,

2. 易發(fā)性(揮發(fā)性)存儲器,如DRAM、SRAM。這種存儲器通常速度較快,但但是存儲數(shù)據(jù)會在掉電后丟失,一般用來作程序存儲器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。

3. 新一代的存儲器:如ReRAM, MRAM, FRAM等,這類存儲器是集合了上面兩種的優(yōu)點:運行速度快,掉電不丟失數(shù)據(jù)。但是基于目前技術的局限性,容量還是不能夠做到跟FLASH一樣大,而且價格偏貴,暫時還是沒有辦法與傳統(tǒng)存儲器競爭。

4. PSRAM就是偽SRAM,它具有類似SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫命令,就可以實現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來控制內存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此結口簡單;但它的內核是DRAM架構:1T1C一個晶體管一個電容構成存儲cell,而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個晶體管構成一個存儲cell。由此結合,他可以實現(xiàn)類SRAM的接口有可實現(xiàn)較大的存儲容量。(我們都知道大容量SRAM非常貴)

在早期的psram制造商有Samsung、Micron等等,大量應用于早期的智能手機,之前手機的內存有192MB、384MB,在現(xiàn)在看來是非常小的容量,接著很快,進入了到LPDDR1、LPDDR2、LPDDR3到現(xiàn)在用的LPDDR4

但是psram依然在大規(guī)模的使用中,主要是在M、S、R三大2G base band芯片供應商里,大部分集成了32MB的PSRAM,以SIP的形式出現(xiàn),封裝在芯片里面,一般用戶是察覺不出來的

然而最新的物聯(lián)網(wǎng)時代給予了PSRAM的新的生命體,特別是在語音交互領域,PSRAM以它較小的封裝,大容量,成本低的優(yōu)勢占領先鋒。

在某些智能語音交互的場景中,有些語音是來自云端服務器的,psram可以作為一個有效的數(shù)據(jù)緩存器的作用解決網(wǎng)絡數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟环€(wěn)定性,為客戶提供穩(wěn)定,平穩(wěn)的語音服務,例如,一個用戶對一個英語學習機說,“我要聽伊索寓言的故事”,英語學習機識別要求之后,會在云端找到相對應的故事,以流媒體的方式傳送并播放該故事,這是由于有PSRAM做數(shù)據(jù)緩沖器的作用,在網(wǎng)絡即使不穩(wěn)定的情況下,故事依然可以流暢播放。

同樣,在一些網(wǎng)絡收音機中,使用PSRAM,能夠是聲音播放非常平滑,提供優(yōu)越的用戶體驗。

為追求小型化,現(xiàn)在已經(jīng)有串行化的PSRAM:

1. SPI PSRAM: 8-pin SOP封裝,最高速率可以達到104MHz, 具有片選CS、CLK、SI、SO 4個信號腳。

2. QPI PSRAM: 8-pin SOP封裝,最高速率104MHz, 有額外的3個雙向數(shù)據(jù)管腳,由此帶寬峰值可以達到416Mbps。

3. OPI PSRAM: 24 腳封裝,有8個串行數(shù)據(jù)線,最高時鐘頻率達到133MHz,最高帶寬可以達到133x8 x2=2.128Gbps。這里x2是因為它可以實現(xiàn)DDR,以提高數(shù)據(jù)帶寬。

Psram在作為數(shù)據(jù)緩沖應用中是可以取代SRAM或者SDRAM的,高速大容量的sram存儲器價格是非常貴的,而SDRAM在應用中需要用到很多管腳,并且需要設計DRAM的 控制器,以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的更新。

在傳統(tǒng)的MCU中,都有SPI接口,因此,使用PSRAM沒有問題。對應QPI/OPI,設計上需要一些配合。

來源:中國電子網(wǎng)

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