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[導(dǎo)讀]齊納二極管(Zener diode),又叫穩(wěn)壓二極管,利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變,因此,常用來制成起穩(wěn)壓作用的二極管。 很多初學(xué)者常常不能從根本上很好地理解其工作過程,因此,在應(yīng)用上帶來困惑。 在通常情況下,反向偏置的P


齊納二極管(Zener diode),又叫穩(wěn)壓二極管,利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變,因此,常用來制成起穩(wěn)壓作用的二極管。 很多初學(xué)者常常不能從根本上很好地理解其工作過程,因此,在應(yīng)用上帶來困惑。

在通常情況下,反向偏置的PN結(jié)中只有一個很小的電流。 這個漏電流一直保持一個常數(shù),直到反向電壓超過某個特定的值,超過這個值之后PN結(jié)突然開始有大電流導(dǎo)通(圖1)。 這個突然的意義重大的反向?qū)ň褪欠聪驌舸?,如果沒有一些外在的措施來限制電流的話,它可能導(dǎo)致器件的損壞。

反向擊穿通常設(shè)置了固態(tài)器件的最大工作電壓。 然而,如果采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施來限制電流的話,反向擊穿的結(jié)能作為一個非常穩(wěn)定的參考電壓。  
 
圖1. PN結(jié)二極管的反向擊穿

導(dǎo)致反向擊穿的一個機制是avalanche multiplication(雪崩倍增)。 考慮一個反向偏置的PN結(jié)。 耗盡區(qū)隨著偏置上升而加寬,但還不夠快到阻止電場的加強。 強大的電場加速了一些載流子以非常高的速度穿過耗盡區(qū)。 當(dāng)這些載流子碰撞到晶體中的原子時,他們撞擊松的價電子且產(chǎn)生了額外的載流子。 因為一個載流子能通過撞擊來產(chǎn)生額外的成千上外的載流子就好像一個雪球能產(chǎn)生一場雪崩一樣,所以這個過程叫avalanche multiplication。

反向擊穿的另一個機制是tunneling(隧道效應(yīng))。 Tunneling是一種量子機制過程,它能使粒子在不管有任何障礙存在時都能移動一小段距離。 如果耗盡區(qū)足夠薄,那么載流子就能靠tunneling跳躍過去。 Tunneling電流主要取決于耗盡區(qū)寬度和結(jié)上的電壓差。 Tunneling引起的反向擊穿稱為齊納擊穿。

結(jié)的反向擊穿電壓取決于耗盡區(qū)的寬度。 耗盡區(qū)越寬需要越高的擊穿電壓。 就如先前討論的一樣,摻雜的越輕,耗盡區(qū)越寬,擊穿電壓越高。 當(dāng)擊穿電壓低于5伏時,耗盡區(qū)太薄了,主要是齊納擊穿。 當(dāng)擊穿電壓高于5伏時,主要是雪崩擊穿。

設(shè)計出的主要工作于反向?qū)ǖ臓顟B(tài)的PN二極管根據(jù)占主導(dǎo)地位的工作機制分別稱為齊納二極管或雪崩二極管。 齊納二極管的擊穿電壓低于5伏,而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。 通常工程師們不管他們的工作原理都把他們稱為齊納管。 因此主要靠雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會使人迷惑不解。

實際上,結(jié)的擊穿電壓不僅和它的摻雜特性有關(guān)還和它的幾何形狀有關(guān)。 以上討論分析了一種由兩種均勻摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域在一個平面相交的平面結(jié)。 盡管有些真正的結(jié)近似這種理想情況,大多數(shù)結(jié)是彎曲的。 曲率加強了電場,降低了擊穿電壓。 曲率半徑越小,擊穿電壓越低。 這個效應(yīng)對薄結(jié)的擊穿電壓有很大的影響。 大多數(shù)肖特基二極管在金屬-硅交界面邊緣有一個很明顯的斷層。 電場強化能極大的降低肖特基二極管的測量擊穿電壓,除非有特別的措施能削弱Schottky barrier邊緣的電場。

圖2是以上所討論的所有的電路符號。 PN結(jié)用一根直線代表陰極,而肖特基二極管和齊納二極管則對陰極端做了一些修飾。 在所有這些圖例中,箭頭的方向都表示了二極管正向偏置下的電流方向。 在齊納二極管中,這個箭頭可能有些誤導(dǎo),因為齊納管通常工作在反向偏置狀態(tài)下。 對于casual observer來說,這個符號出現(xiàn)時旁邊應(yīng)該再插入一句“方向反了”。  

 
圖2  PN結(jié),肖特基,和齊納二極管的電路圖符號。有些電路圖符號中箭頭是空心的或半個箭頭

經(jīng)??吹接袉栮P(guān)于穩(wěn)壓管(齊納管)的問題,所以略做總結(jié):

齊納管一般有兩種用法(以下IZ為工作電流,UZ為標稱穩(wěn)壓電壓,UW為實際工作電壓): 1 正常工作時處于"導(dǎo)通"狀態(tài),IZ≥0.1mA量級,此時齊納管起穩(wěn)壓作用,UW≈UZ。 2 正常工作時處于"截止"狀態(tài),即UW

其實常用齊納管主要分兩類,一類就是通常所謂的"穩(wěn)壓管",另一類是TVS類器件。 前者通常是第一種用法,后者通常是第二種用法。 但也不絕對,兩者只是特性參數(shù)各有特點。 普通的穩(wěn)壓管同樣可以用作保護器件,只是響應(yīng)速度差一些,不適合需要抑制極高速度脈沖干擾的場合。 TVS也可以拿來當(dāng)穩(wěn)壓管用,當(dāng)然也有不合適的。
 
總結(jié)一下,初學(xué)者常犯如下幾種錯誤:  

1. 把齊納管特性想得太美好:當(dāng)UW7V),那曲線還湊合,換個低壓的,例如3V的,那實際曲線真是夠"柔美"的,1.5V電壓時就有很大電流了,直到IZ增加到數(shù)十mA,UZ才懶洋洋地達到標稱值,簡直就是個拋物線嘛。


2. 用齊納管做保護的,一不懂世間萬事皆有代價,這里的代價就是漏電流IR("截止"狀態(tài)下的IZ):IR>0;二不懂世間萬事皆須留有余地,這里的余地就是確保"截止"的電壓余量UM:UM=UZ-UW>0(IR→很?。?;三不懂世間萬事皆有彈性(讓步),這里的彈性就是導(dǎo)通狀態(tài)下UW隨著IZ增加的增量UP:UP=UW-UZ>0(IR→很大)。而且即使留了余地,付出了代價,仍然要做讓步。要減小IR,就要提高ΔU,也就是選高UZ的管子,但這樣又會降低保護的"力度"。

 

3. 不明白齊納管動態(tài)內(nèi)阻dV/dI>0,即UZ會隨IZ增加。這就不多說了。

 

4. 不明白齊納管的反應(yīng)是比較遲鈍的,UW變化了,IZ并不會立即跟著變,而是有延遲。而且有結(jié)電容,而且結(jié)電容有時還相當(dāng)大。按教科書上的電路圖,把齊納管接到運放反饋臂上做限幅,還為自己能靈活運用運放的負反饋技術(shù)而沾沾自喜。但輸入個幾MHz的方波后,發(fā)現(xiàn)輸出全不是那么回事,就懵了。


 從這幾條可以總結(jié)出一些原則:

1. 盡量避免使用低壓齊納管。

2. 用齊納管做保護要合理選擇UZ,使UWMAX+UM

3. 設(shè)計電路要有"動態(tài)"的概念,電路跟人,跟一切機器一樣都有反應(yīng)遲鈍的問題,區(qū)別只在于"更遲鈍"和"更不遲鈍"。

4. 記住墨菲定律:"事情凡是能夠更糟糕的,就一定會更糟糕"。



附: 穩(wěn)壓管典型穩(wěn)壓電路分析

下圖中D1為穩(wěn)壓二極管,與負載R2并聯(lián),R1為限流電阻。  

若電網(wǎng)電壓升高,即電路的輸入電壓Vin也隨之升高,引起負載電壓Vout升高。 由于穩(wěn)壓管D1與負載R2并聯(lián),Vin只要有一點增長,就會使流過穩(wěn)壓管的電流急劇增加,使得I也增大,限流電阻R1上的電壓降增大,從而抵消了Vout的升高,保持負載電壓Vout基本不變。 反之,若電網(wǎng)電壓降低,引起Vin下降,造成Vout 也下降,則穩(wěn)壓管中的電流急劇減小,使得I減小,R1上的壓降也減小,從而抵消了Vin的下降,保持負載電壓Vout基本不變。  若Vin不變而負載電流增加,則R1上的壓降增加,造成負載電壓Vout下降。 Vout只要下降一點點,穩(wěn)壓管中的電流就迅速減小,使R1上的壓降再減小下來,從而保持R1上的壓降基本不變,使負載電壓Vout得以穩(wěn)定。 可以看出,穩(wěn)壓管起著電流的自動調(diào)節(jié)作用,而限流電阻起著電壓調(diào)整作用。 綜上可見穩(wěn)壓管的動態(tài)電阻越小,限流電阻越大,輸出電壓的穩(wěn)定性越好。

-END-

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電源系統(tǒng)設(shè)計

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