簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議!國(guó)科微發(fā)布搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 3D NAND 顆粒固態(tài)硬盤
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5月15日消息 5月14日,國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)在湖南長(zhǎng)沙正式簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,在簽約儀式上,國(guó)科微預(yù)發(fā)布搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒的固態(tài)硬盤。
4月26日,國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)舉行“云簽約”,批量采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒,全年采購(gòu)金額預(yù)計(jì)突破億元。
2015年,國(guó)科微與武漢新芯開啟3D NAND技術(shù)合作;2016年長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立,2017年32層3D NAND實(shí)現(xiàn)首次流片,雙方合作啟動(dòng)顆粒適配;2018年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND實(shí)現(xiàn)首次流片,國(guó)科微針對(duì)其32層和64層顆粒展開規(guī)模聯(lián)調(diào)與適配測(cè)試。截至目前,國(guó)科微GK2302系列主控均已支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)顆粒,最新上市的新一代主控GK2302V200也將針對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC與TLC顆粒進(jìn)行適配測(cè)試。
在簽約儀式上,國(guó)科微預(yù)發(fā)布了固態(tài)硬盤311C-Y。獲悉,311C-Y搭載雙“芯”,一芯為國(guó)科微自研控制器芯片GK2302,采用國(guó)產(chǎn)嵌入式CPU IP核和公司獨(dú)創(chuàng)NANDXtra?可靠性引擎,通過自主原創(chuàng)產(chǎn)品測(cè)評(píng);一芯為長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的64層TLC 3D NAND顆粒,Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,通過晶圓鍵合技術(shù)合二為一,從而讓NAND能獲取更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更高密度及未來更多的功能擴(kuò)展性。
在雙芯的驅(qū)動(dòng)下,國(guó)科微311C-Y固態(tài)硬盤讀寫帶寬達(dá)560/480 MB/s,IOPS達(dá)78K/86K。國(guó)科微自研固態(tài)硬盤管理工具,支持國(guó)內(nèi)自主操作系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)硬盤壽命主動(dòng)告警,在線固件推送和升級(jí)。預(yù)計(jì),國(guó)科微311C-Y將在今年6月規(guī)模上市。





