高端智能裝備是國(guó)之重器，是制造業(yè)的基石，尤其是半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)高端智能裝備，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中更是具有舉足輕重的作用，而在半導(dǎo)體制造過程中，半導(dǎo)體裝備則是重中之重。實(shí)現(xiàn)設(shè)備本土化是我國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵之一，關(guān)系到我國(guó)能否擁有產(chǎn)業(yè)自主權(quán)。

此前國(guó)家曾對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化提出了明確要求：在 2020 年之前，90~32nm 工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 50%，實(shí)現(xiàn) 90nm 光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化，封測(cè)關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 50%。在 2025 年之前，20～14nm 工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 30%，實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化。到 2030 年，實(shí)現(xiàn) 18英寸工藝設(shè)備、EUV 光刻機(jī)、封測(cè)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化。

相對(duì)于半導(dǎo)體制造的其他環(huán)節(jié)來說，在半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域，目前國(guó)內(nèi)廠商發(fā)展較快，由此也帶動(dòng)了封測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的提升。那么目前在半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)廠商的發(fā)展情況如何呢？

一、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備：廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，需求趨勢(shì)向上

（一）測(cè)試需求貫穿半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、前道制造、后道封裝全程

半導(dǎo)體測(cè)試貫穿設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過程的核心環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體測(cè)試就是通過測(cè)量半導(dǎo)體的輸出響應(yīng)和預(yù)期輸出并進(jìn)行比較以確定或評(píng)估集成電路功能和性能的過程，其測(cè)試內(nèi)容主要為電學(xué)參數(shù)測(cè)試。一般來說，每個(gè)芯片都要經(jīng)過兩類測(cè)試：

（1）參數(shù)測(cè)試

參數(shù)測(cè)試是確定芯片管腳是否符合各種上升和下降時(shí)間、建立和保持時(shí)間、高低電壓閾值和高低電流規(guī)范，包括DC（Direct Current）參數(shù)測(cè)試與AC（Alternating Current）參數(shù)測(cè)試。DC參數(shù)測(cè)試包括短路測(cè)試、開路測(cè)試、最大電流測(cè)試等。AC參數(shù)測(cè)試包括傳輸延遲測(cè)試、建立和保持時(shí)間測(cè)試、功能速度測(cè)試等。這些測(cè)試通常都是與工藝相關(guān)的。CMOS輸出電壓測(cè)量不需要負(fù)載，而TTL器件則需要電流負(fù)載。

（2）功能測(cè)試

功能測(cè)試決定芯片的內(nèi)部數(shù)字邏輯和模擬子系統(tǒng)的行為是否符合期望。這些測(cè)試由輸入適量和相應(yīng)的響應(yīng)構(gòu)成。他們通過測(cè)試芯片內(nèi)部節(jié)點(diǎn)來檢查一個(gè)驗(yàn)證過的設(shè)計(jì)是否正產(chǎn)工作。功能測(cè)試對(duì)邏輯電路的典型故障有很高的覆蓋率。

測(cè)試成本與測(cè)試時(shí)間成正比，而測(cè)試時(shí)間取決于測(cè)試行為，包括低速的參數(shù)測(cè)試和高速的矢量測(cè)試（功能測(cè)試）。其中參數(shù)測(cè)試的時(shí)間與管腳的數(shù)目成比例，適量測(cè)試的時(shí)間依賴于矢量的數(shù)目和時(shí)鐘頻率。測(cè)試的成本主要是功能測(cè)試。

半導(dǎo)體測(cè)試貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝、應(yīng)用全過程。從最初形成滿足特定功能需求的芯片設(shè)計(jì)，經(jīng)過晶圓制造、封裝環(huán)節(jié)，在最終形成合格產(chǎn)品前，需要檢測(cè)產(chǎn)品是否符合各種規(guī)范。按生產(chǎn)流程分類。半導(dǎo)體測(cè)試可以按生產(chǎn)流程可以分為三類：驗(yàn)證測(cè)試、晶圓測(cè)試測(cè)試、封裝檢測(cè)。

（1）驗(yàn)證測(cè)試

又稱實(shí)驗(yàn)室測(cè)試或特性測(cè)試，是在器件進(jìn)入量產(chǎn)之前驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否正確，需要進(jìn)行功能測(cè)試和全面的AC/DC。特性測(cè)試確定器件工作參數(shù)的范圍。通常測(cè)試最壞情況，因?yàn)樗绕骄闆r更容易評(píng)估，并且通過此類測(cè)試的器件將會(huì)在其他任何條件下工作。

（2）晶圓測(cè)試

每一塊加工完成后的芯片都需要進(jìn)行晶圓測(cè)試，他沒有特性測(cè)試全面，但必須判定芯片是否符合設(shè)計(jì)的質(zhì)量和需求。測(cè)試矢量需要高的故障覆蓋率，但不需要覆蓋所有的功能和數(shù)據(jù)類型。晶圓測(cè)試主要考慮的是測(cè)試成本，需要測(cè)試時(shí)間最小，只做通過/不通過的判決。

（3）封裝測(cè)試

是在封裝完成后的測(cè)試。根據(jù)具體情況，這個(gè)測(cè)試內(nèi)容可以與生產(chǎn)測(cè)試相似，或者比生產(chǎn)測(cè)試更全面一些，甚至可以在特定的應(yīng)用系統(tǒng)中測(cè)試。封裝測(cè)試最重要的目標(biāo)就是避免將有缺陷的器件放入系統(tǒng)之中。晶圓測(cè)試又稱前道測(cè)試、“Circuit porbing”（即CP測(cè)試）、“Wafer porbing”或者“Die sort”。

晶圓測(cè)試大致分為兩個(gè)步驟：

①單晶硅棒經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)制程制作的晶圓，在芯片之間的劃片道上會(huì)有預(yù)設(shè)的測(cè)試結(jié)構(gòu)圖，在首層金屬刻蝕完成后，對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)圖進(jìn)行晶圓可靠性參數(shù)測(cè)試（WAT）來監(jiān)控晶圓制作工藝是否穩(wěn)定，對(duì)不合格的芯片進(jìn)行墨點(diǎn)標(biāo)記，得到芯片和微電子測(cè)試結(jié)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)量；

②晶圓制作完成后，針對(duì)制作工藝合格的晶圓再進(jìn)行CP測(cè)試（Circuit Probing），通過完成晶圓上芯片的電參數(shù)測(cè)試，反饋芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的信息。完成晶圓測(cè)試后，合格產(chǎn)品才會(huì)進(jìn)入切片和封裝步驟。

封裝測(cè)試：

在一個(gè)Die封裝之后，需要經(jīng)過生產(chǎn)流程中的再次測(cè)試。這次測(cè)試稱為“Final test”（即通常說的FT測(cè)試）或“Package test”、成品測(cè)試。

在電路的特性要求界限方面，F(xiàn)T測(cè)試通常執(zhí)行比CP測(cè)試更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。芯片也許會(huì)在多組溫度條件下進(jìn)行多次測(cè)試以確保那些對(duì)溫度敏感的特征參數(shù)。

商業(yè)用途（民品）芯片通常會(huì)經(jīng)過0℃、25℃和75℃條件下的測(cè)試，而軍事用途（軍品）芯片則需要經(jīng)過 -55℃、25℃和125℃。

不同測(cè)試環(huán)節(jié)的測(cè)試參數(shù)和應(yīng)用場(chǎng)景稍有區(qū)別。晶圓測(cè)試的對(duì)象是未劃片的整個(gè)晶圓，屬于在前端工序中對(duì)半成品的測(cè)試，目的是監(jiān)控前道工藝良率，并降低后道封裝成本。

成品測(cè)試是對(duì)完成封裝的集成電路產(chǎn)品進(jìn)行最后的質(zhì)量檢測(cè)，主要是針對(duì)芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試，以保證出廠產(chǎn)品的合格率。

CP測(cè)試與成品測(cè)試的測(cè)試參數(shù)大體是相似的，但由于探針的容許電流有限，CP測(cè)試通常不能進(jìn)行大電流測(cè)試項(xiàng)。

此外，CP測(cè)試的常見室溫為25℃左右，而成品測(cè)試有時(shí)需要在75-90℃的溫度下進(jìn)行。

半導(dǎo)體檢測(cè)是產(chǎn)品良率和成本管理的重要環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體制造過程有著舉足輕重的地位。面臨降低測(cè)試成本和提高產(chǎn)品良率的壓力，測(cè)試環(huán)節(jié)將在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)更為重要的地位。

摩爾定律預(yù)測(cè)，芯片上的元器件數(shù)目每隔18個(gè)月會(huì)增加一倍，單位元器件的材料成本和制造成本會(huì)成倍降低，但芯片的復(fù)雜化將使測(cè)試成本不斷增加。

根據(jù)ITRS的數(shù)據(jù)，單位晶體管的測(cè)試成本在2012年前后與制造成本持平，并在2014年之后完成超越，占據(jù)芯片總成本的35-55%。

另外，隨著芯片制程不斷突破物理極限，集成度也越來越高，測(cè)試環(huán)節(jié)對(duì)產(chǎn)品良率的監(jiān)控將會(huì)愈發(fā)重要。

（二）ATE迭代速度較慢，設(shè)備商充分享受技術(shù)沉淀成果

ATE迭代速度較慢，主力產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)。半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)不屬于工藝設(shè)備，和制程的直接相關(guān)度較低，產(chǎn)品迭代速度較慢，單類產(chǎn)品的存在時(shí)間較長(zhǎng)，設(shè)備商享受技術(shù)沉淀成果。

市場(chǎng)目前主流的ATE(Automatic Test Equipment，半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）多是在同一測(cè)試技術(shù)平臺(tái)通過更換不同測(cè)試模塊來實(shí)現(xiàn)多種類別的測(cè)試，提高平臺(tái)延展性。

例如國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭美國(guó)泰瑞達(dá)的模擬及數(shù)?；旌蠝y(cè)試平臺(tái)ETS-364/ETS-600由Eagle Test System于2001年推出，目前仍在泰瑞達(dá)官網(wǎng)銷售。

愛德萬的V93000機(jī)型、T2000機(jī)型分別于1999年、2003年推出。根據(jù)愛德萬官方數(shù)據(jù)，2014年V93000出貨超過500臺(tái)，截至2015年3月16日累計(jì)出貨4000臺(tái)，2017年更是創(chuàng)下累計(jì)出貨5000臺(tái)的記錄，即使在2019年也有單筆訂單超過30臺(tái)的情況。

而這兩款機(jī)型之所以能夠維持如此好的銷售成績(jī)，是因?yàn)锳TE設(shè)備僅需更換測(cè)試模塊和板卡就可實(shí)現(xiàn)多種類測(cè)試以及測(cè)試性能提升，而不需要更換機(jī)器。

V93000在更換AVI64模塊之后將測(cè)試范圍擴(kuò)大到了電源市場(chǎng)和模擬市場(chǎng)，而更換PVI8板卡后不僅可以實(shí)現(xiàn)大功率電壓/電流的測(cè)量，并且測(cè)試速度更快，測(cè)量更精準(zhǔn)，更換WaveScale板卡后可實(shí)現(xiàn)高并行，多芯片同測(cè)及芯片內(nèi)并行測(cè)試，大大降低了測(cè)試成本與時(shí)間。

T2000也可以通過組合不同的模塊完成對(duì)SoC器件、RF、CMOS圖像、大功率器件以及IGBT的測(cè)試。于是一款A(yù)TE設(shè)備可以在市場(chǎng)上存在20年之久且依然有良好的銷售業(yè)績(jī)，設(shè)備商從而可以享受技術(shù)沉淀的成果。

半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)的技術(shù)核心在于功能集成、精度與速度、與可延展性。隨著芯片工藝的發(fā)展，一片芯片上承載的功能越來越多，測(cè)試機(jī)需要測(cè)試的范圍也越來越大，這就對(duì)測(cè)試機(jī)提出了考驗(yàn)，測(cè)試機(jī)的測(cè)試覆蓋范圍越廣，能夠測(cè)試的項(xiàng)目越多，就越受客戶青睞。

企業(yè)購(gòu)買測(cè)試機(jī)就是為了把不符合要求的產(chǎn)品精準(zhǔn)地判斷出來，于是測(cè)試機(jī)的測(cè)試精度也成了技術(shù)核心之一，測(cè)試精度的重要指標(biāo)包括測(cè)試電流、電壓、電容、時(shí)間量等參數(shù)的精度，先進(jìn)設(shè)備一般能夠在電流測(cè)量上能達(dá)到皮安（pA）量級(jí)的精度，在電壓測(cè)量上達(dá)到微伏（μV）量級(jí)的精度，在電容測(cè)量上能達(dá)到0.01皮法（pF）量級(jí)的精度，在時(shí)間量測(cè)量上能達(dá)到百皮秒（pS）。

同時(shí)，隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體的需求越來越大，半導(dǎo)體生產(chǎn)商為了提高出貨速度，會(huì)希望測(cè)試的時(shí)間越少越好，這就要求測(cè)試機(jī)的測(cè)試速度越快越好，主要指標(biāo)有響應(yīng)速度等，先進(jìn)設(shè)備的響應(yīng)速度一般都達(dá)到了微秒級(jí)。

最后，因?yàn)榘雽?dǎo)體的測(cè)試要求不同且發(fā)展很快，而測(cè)試機(jī)的投入較高，測(cè)試機(jī)的可延展性也成為了買家關(guān)心的重點(diǎn)，這項(xiàng)技術(shù)具體體現(xiàn)在測(cè)試機(jī)能否根據(jù)需要靈活地增加測(cè)試功能、通道和工位數(shù)。例如愛德萬的T2000測(cè)試機(jī)就可以通過組合不同的測(cè)試模塊從而靈活實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字、電源、模擬、功率器件、圖像傳感器和射頻的測(cè)試等。

跟隨半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷推進(jìn)的測(cè)試需求。測(cè)試機(jī)的價(jià)格相對(duì)昂貴，通常為數(shù)百萬元，針對(duì)不同測(cè)試對(duì)象而頻繁更換測(cè)試機(jī)將帶來大量資本開支。

因此，目前的高端測(cè)試機(jī)已經(jīng)由自動(dòng)測(cè)試設(shè)備向開放式測(cè)試平臺(tái)方向發(fā)展，基于開放式系統(tǒng)（如OpenStar2000等），通過搭建自定義的PXI模塊，以適應(yīng)日益增多的待測(cè)參數(shù)需求，增強(qiáng)了測(cè)試機(jī)的靈活性和兼容性。

由于元器件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝的不斷進(jìn)步，器件性能迅速提升，產(chǎn)品生命周期越來越短，相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備也必須及時(shí)升級(jí)換代，近年來國(guó)內(nèi)集成電路測(cè)試需求主要包括：

①模擬信號(hào)測(cè)試強(qiáng)調(diào)大功率、高精度、覆蓋關(guān)鍵交流參數(shù)；

②數(shù)字信號(hào)測(cè)試從中低速向高速跨越式發(fā)展，測(cè)試通道數(shù)倍增；

③混合信號(hào)測(cè)試從模擬信號(hào)測(cè)試中逐漸剝離，追求高速、高帶寬、高采樣率，射頻（RF）測(cè)試的需求日漸增長(zhǎng)；

④存儲(chǔ)器測(cè)試產(chǎn)品更新?lián)Q代較快，需要獨(dú)立的測(cè)試平臺(tái)。

（三）具備可觀的市場(chǎng)空間，需求趨勢(shì)向上

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備具備可觀的市場(chǎng)空間。半導(dǎo)體檢測(cè)（包括過程工藝控制與半導(dǎo)體測(cè)試）的廣泛應(yīng)用以及對(duì)良率和成本的重要性，總體檢測(cè)設(shè)備的投資與光刻、刻蝕等關(guān)鍵工藝相差無幾。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，近年來前段晶圓加工設(shè)備部分，光刻、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備各占約20%的市場(chǎng)；在檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，包括工藝過程控制、CP測(cè)試、FT測(cè)試等，其占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間的大致在15%~20%，其中半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（包括ATE、探針臺(tái)、分選機(jī)）大概占比8%~10%。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備主要包括三類：ATE、探針臺(tái)、分選機(jī)。其中測(cè)試功能由測(cè)試機(jī)實(shí)現(xiàn)，而探針臺(tái)和分選機(jī)實(shí)現(xiàn)的則是機(jī)械功能，將被測(cè)晶圓/芯片揀選至測(cè)試機(jī)進(jìn)行檢測(cè)。

探針臺(tái)和分選機(jī)的主要區(qū)別在于，探針臺(tái)針對(duì)的是晶圓級(jí)檢測(cè)，而分選機(jī)則是針對(duì)封裝的芯片級(jí)檢測(cè)。根據(jù)SEMI，ATE大致占到半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的2/3，探針臺(tái)和分選機(jī)合計(jì)占到半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的1/3。

從ATE的歷史發(fā)展看，1960s行業(yè)起步，在1990s~2000s伴隨下游行業(yè)快速增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體行業(yè)上一輪大的景氣周期中（2001年-2009年），全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額在2006年達(dá)到頂點(diǎn)，當(dāng)年銷售額達(dá)到64.2億美元，占半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額的15.9%。

值得注意的是，在這一時(shí)期半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)處于快速成長(zhǎng)期，下游需求旺盛，市場(chǎng)也在不斷推出更適應(yīng)當(dāng)前需求的新產(chǎn)品，測(cè)試成本占比較高，在2003年到2006年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額的比重都超過15%。

而隨著測(cè)試產(chǎn)品逐步成熟，下游需求增長(zhǎng)放緩，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)開始加劇，測(cè)試設(shè)備成本被壓縮，主要的成本向前道（主要是光刻、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備、過成功工藝控制等）傾斜，同時(shí)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)份額逐步向頭部集中。目前全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)已經(jīng)非常成熟，測(cè)試設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備銷售額穩(wěn)定在8%~10%。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備整體市場(chǎng)規(guī)模約56.3億美元，其中，SoC類和數(shù)字集成電路測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為25.5億美元。2015-2018年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，年均復(fù)合增速達(dá)到19.0%。

二、豐富的產(chǎn)業(yè)鏈客戶，國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)推動(dòng)市場(chǎng)擴(kuò)張

（一）設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體全面國(guó)產(chǎn)化蘊(yùn)藏機(jī)遇

對(duì)應(yīng)測(cè)試在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造過程的應(yīng)用，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)企業(yè)的客戶包含：

（1）IDM模式下，IDM廠商。

（2）晶圓分工模式下，IC設(shè)計(jì)企業(yè)（Fabless）、代工廠、封裝測(cè)試企業(yè)（OSAT）。

此外，對(duì)國(guó)際大廠而言，原始設(shè)備制造商（OEM）是非常重要的一類客戶，主要通過直接采購(gòu)、以及通過對(duì)代工廠、封測(cè)廠的間接采購(gòu)。

從對(duì)ATE的需求量來看，封測(cè)環(huán)節(jié)>制造環(huán)節(jié)>設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。在封測(cè)環(huán)節(jié)，成品測(cè)試要求每一顆都要全參數(shù)測(cè)試，測(cè)試量大。

晶圓制造環(huán)節(jié)，由于是半成品，所以以測(cè)試基本功能和主要參數(shù)為主，一般都是多工位測(cè)試，測(cè)試效率高，整體對(duì)測(cè)試機(jī)的需求量低于封測(cè)廠。設(shè)計(jì)公司買測(cè)試機(jī)目的是工程驗(yàn)證，以及問題驗(yàn)證和解決，對(duì)測(cè)試機(jī)的需求量相對(duì)較小。

因而，對(duì)ATE廠商來說，晶圓制造廠商（包括IDM和代工廠）以及封測(cè)廠是設(shè)備直接采購(gòu)主力。值得注意的是，設(shè)計(jì)廠商、以及OEM也是重要的客戶，包括直接采購(gòu)，以及通過對(duì)代工廠、封測(cè)廠的間接采購(gòu)。代工廠、封測(cè)廠往往會(huì)基于OEM、IDM以及設(shè)計(jì)廠的要求或建議來采購(gòu)ATE。

從泰瑞達(dá)的客戶結(jié)構(gòu)看，近幾年，單一客戶曾創(chuàng)造當(dāng)年10%以上的收入的客戶包括蘋果公司、臺(tái)積電等。

根據(jù)泰瑞達(dá)年報(bào)，2012-2013年公司來自蘋果公司的收入占公司總收入達(dá)到10%、12%。2016-2017年公司來自臺(tái)積電的收入占比達(dá)到12%~13%。而考慮直接采購(gòu)、以及通過代工廠與封測(cè)廠間接采購(gòu)，在2014-2016年某OEM客戶收入占泰瑞達(dá)總收入的比重達(dá)到22%、23%、25%，這其中包含了通過臺(tái)積電、JA Mitsui Leasing公司的銷售。

近兩年，來自華為的需求快速增長(zhǎng)，根據(jù)泰瑞達(dá)2019年年報(bào)，2017-2019年公司來自華為的銷售收入（包括直接采購(gòu)，以及通過代工廠、封測(cè)廠采購(gòu)）的占比分別達(dá)到1%、4%、11%。泰瑞達(dá)2019年收入22.95億美元，由此計(jì)算2019年公司來自華為的銷售收入達(dá)到2.52億美元。

從國(guó)內(nèi)公司的情況看，國(guó)內(nèi)ATE廠商需求主要來自國(guó)內(nèi)封測(cè)廠，主要是受益國(guó)內(nèi)封測(cè)產(chǎn)業(yè)近年來的快速擴(kuò)張。包括長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等3家國(guó)內(nèi)封測(cè)領(lǐng)先企業(yè)，2013-2018年合計(jì)收入規(guī)模從93.2億元擴(kuò)張至382.0億元，年均復(fù)合增速32.6%；相對(duì)應(yīng)的，三家企業(yè)2013-2018年資本開支水平從17.7億元增長(zhǎng)至81.8億元，年均復(fù)合增速35.9%。

這一時(shí)期，持續(xù)快速擴(kuò)張的國(guó)內(nèi)封測(cè)巨頭是國(guó)內(nèi)ATE廠商最重要的客戶，占據(jù)收入份額的絕大部分。以長(zhǎng)川科技為例，2014-2016年公司的前兩大客戶華天科技、長(zhǎng)電科技占公司總收入的比重每年均超過60%，前五大客戶收入占比均在80%左右。

而隨著當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面國(guó)產(chǎn)化，產(chǎn)業(yè)鏈前端的制造、設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，對(duì)國(guó)內(nèi)ATE需求將得到顯著提升，豐富的產(chǎn)業(yè)鏈客戶有助于國(guó)內(nèi)ATE需求的穩(wěn)健攀升。以華峰測(cè)控為例， 2018年公司收入2.19億元，是2016年收入的1.95倍。其中客戶結(jié)構(gòu)顯示以下變化：

（1）客戶集中度進(jìn)一步下降，2018年公司前五大客戶集中度僅38.6%， 較2016年下降10.1個(gè)百分點(diǎn)。

（2）發(fā)展了豐富的設(shè)計(jì)企業(yè)客戶資源。2017-2018年設(shè)計(jì)企業(yè)芯源系統(tǒng)連續(xù)兩年進(jìn)入公司前五大客戶，2017-2018年公司來自芯源系統(tǒng)的收入分別為1458萬元、1444萬元。根據(jù)公司招股書，公司擁有百家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)客戶資源，也與超過三百家以上的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)保持了業(yè)務(wù)合作關(guān)系。

（3）制造環(huán)節(jié)的客戶需求在增加。根據(jù)公司招股說明書，2016-2018年華潤(rùn)微進(jìn)入公司前五大客戶，收入分別為554萬元、1253萬元、880萬元；2019年5月取得萬國(guó)半導(dǎo)體1008萬元的測(cè)試設(shè)備訂單。

（二）設(shè)計(jì)廠商/OEM：以華為為代表，需求潛力已逐步顯現(xiàn)

設(shè)計(jì)廠商主要負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，他們會(huì)直接對(duì)測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生需求，也會(huì)間接推動(dòng)自己的代工廠購(gòu)買同一家企業(yè)的測(cè)試設(shè)備從而產(chǎn)生需求。

隨著國(guó)內(nèi)研發(fā)能力的不斷增強(qiáng)，不少國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)開始占據(jù)領(lǐng)先地位，根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年中國(guó)有11家企業(yè)上榜全球前五十芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，而在2009年，這個(gè)數(shù)據(jù)僅為1家，而隨著5G、AI等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)將會(huì)迎來良好發(fā)展，從而給國(guó)內(nèi)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)帶來需求。

我們統(tǒng)計(jì)了10家芯片設(shè)計(jì)上市公司的數(shù)據(jù)，包括匯頂科技、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)微等，10家公司2019Q3營(yíng)業(yè)收入155.5億元，同比增長(zhǎng)49.7%；10家公司2019年歸母凈利潤(rùn)57.6億元，同比增長(zhǎng)81.6%。2016-2019年十家公司歸母凈利潤(rùn)的年均復(fù)合增速達(dá)到44.3%。

華為產(chǎn)業(yè)鏈加速國(guó)產(chǎn)化的機(jī)遇。處于供應(yīng)鏈安全考量，華為產(chǎn)業(yè)鏈有望加速國(guó)產(chǎn)化，包括代工行業(yè)、封測(cè)行業(yè)都有望受益華為需求向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的良好機(jī)遇。華為對(duì)ATE的需求路徑包括：（1）華為自身的測(cè)試需求，包括各部門的實(shí)驗(yàn)室等。（2）對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)需求的增長(zhǎng)，包括對(duì)代工環(huán)節(jié)、封測(cè)環(huán)節(jié)的需求增長(zhǎng)，由此推動(dòng)ATE需求。其中華為可能影響對(duì)應(yīng)代工廠、封測(cè)廠對(duì)ATE產(chǎn)品的選擇。

根據(jù)泰瑞達(dá)2019年年報(bào)，2019年泰瑞達(dá)來自華為（包括直接及間接）的收入占公司總收入比重達(dá)到11%，達(dá)到2.52億美元，來自華為的需求正快速增長(zhǎng)，未來需求仍然有進(jìn)一步提升的空間。

根據(jù)泰瑞達(dá)2016年年報(bào)，在2014-2016年某OEM客戶收入占泰瑞達(dá)總收入的比重達(dá)到22%、23%、25%（其中包含了通過臺(tái)積電、JA Mitsui Leasing公司的銷售），由此計(jì)算該OEM客戶2014-2016年貢獻(xiàn)泰瑞達(dá)收入達(dá)到3.62億美元、3.77億美元、4.38億美元。

在封測(cè)環(huán)節(jié)，目前為止華為主要以外包測(cè)試為主，主要是國(guó)內(nèi)及中國(guó)臺(tái)灣封測(cè)廠。以華為海思為例，2018年收入501億元，同比增長(zhǎng)34%。按照采購(gòu)成本60億美元，其中封測(cè)成本占比25%計(jì)算，則華為海思每年的封測(cè)訂單需求為15億美元；同時(shí)海思仍保持較高的增長(zhǎng)。因此，華為等半導(dǎo)體需求大客戶的轉(zhuǎn)單將給中國(guó)內(nèi)地封測(cè)廠商帶來明顯增量，使得中國(guó)內(nèi)地封測(cè)行業(yè)的景氣度回升高于全球平均水平。

在制造環(huán)節(jié)，中芯國(guó)際第一代14nm FinFET已成功量產(chǎn)并于2019Q4貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收（客戶以國(guó)內(nèi)為主，產(chǎn)品涵蓋中低端手機(jī)CPU、Modem及礦機(jī)等），產(chǎn)能計(jì)劃從當(dāng)前3-5K/月擴(kuò)充至2020年底的15K/月；12nm FinFET已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，同時(shí)第二代FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)研發(fā)與客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。

根據(jù)華峰測(cè)控招股說明書，公司已經(jīng)成為華為全球范圍類測(cè)試設(shè)備的供應(yīng)商，2019年8月與華為機(jī)器有限公司簽訂測(cè)試機(jī)正式合同，合同金額1947.15萬元。

（三）制造環(huán)節(jié)：存儲(chǔ)器廠與代工廠雙重?cái)U(kuò)產(chǎn)紅利

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將充分受益邏輯廠與存儲(chǔ)器廠雙倍投資強(qiáng)度，具體的擴(kuò)產(chǎn)邏輯有所區(qū)別：

1.晶圓代工廠。

代工模式的核心在于“服務(wù)”，晶圓代工廠通常提供一個(gè)工藝技術(shù)平臺(tái)，根據(jù)客戶需求提供客制化產(chǎn)品與服務(wù)，發(fā)展壯大的關(guān)鍵在于覆蓋更多的客戶、滿足客戶更多的需求，因而晶圓代工廠的擴(kuò)廠也是為了匹配客戶需求、通常是順應(yīng)市場(chǎng)需求發(fā)展趨勢(shì)的。當(dāng)市場(chǎng)需求旺盛時(shí)，積極的資本開支以滿足日益增長(zhǎng)的下游需求，也是公司未來成長(zhǎng)的動(dòng)力。面向客戶需求，晶圓代工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張情景主要有2類：

（1）產(chǎn)能需求。即現(xiàn)有產(chǎn)能利用飽滿，為匹配客戶產(chǎn)能需求而擴(kuò)大產(chǎn)能。

（2）工藝需求。即為滿足客戶更多需求或者擴(kuò)大客戶覆蓋面，進(jìn)行工藝升級(jí)而新增產(chǎn)能。

2019年以來行業(yè)的積極變化是，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率不斷提升，促使代工廠積極規(guī)劃資本開支。以中芯國(guó)際為例，根據(jù)公司季度報(bào)告，中芯國(guó)際19Q4的產(chǎn)能利用率進(jìn)一步提升至98.8%，公司計(jì)劃2020年資本開支31億美元，較2019年的20億美元大幅提升。

2.存儲(chǔ)器廠。

與代工廠不同，存儲(chǔ)器廠采用IDM模式，直接提供半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于存儲(chǔ)芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，各家廠商的產(chǎn)品容量、封裝形式都遵循標(biāo)準(zhǔn)的接口，性能也無太大差別，在同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)情況下，存儲(chǔ)廠商通過提升制造工藝，提供制造產(chǎn)能，利用規(guī)模優(yōu)勢(shì)降低成本，從而贏得市場(chǎng)。為了提高競(jìng)爭(zhēng)力、搶占市場(chǎng)份額，存儲(chǔ)器廠可能采取逆市擴(kuò)張的策略。

當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)面臨重大機(jī)遇，促使國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商積極進(jìn)行工藝研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)，長(zhǎng)期性與規(guī)模性的下游投資將對(duì)國(guó)產(chǎn)裝備創(chuàng)造極佳的成長(zhǎng)環(huán)境。其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫都將在2020年進(jìn)入積極的產(chǎn)能爬坡期，預(yù)期將促使設(shè)備需求大幅增長(zhǎng)。根據(jù)集邦咨詢，19年Q4長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能2萬片/月（12英寸），20年底有望擴(kuò)產(chǎn)至7萬 片/月；合肥長(zhǎng)鑫目前產(chǎn)能2萬片/月，預(yù)計(jì)2020年第一季度末達(dá)到4萬片/月。

中芯國(guó)際：產(chǎn)能利用率維持高位，20年計(jì)劃資本開支強(qiáng)勁。由于TWS、多攝像頭、超薄指紋識(shí)別等持續(xù)滲透，中芯國(guó)際的CIS、Power IC、Fingerprint IC、Bluetooth IC以及Specialty Memory等產(chǎn)品下游需求保持旺盛，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，公司產(chǎn)能利用率持續(xù)提升。

根據(jù)公司業(yè)績(jī)公布，2019Q4公司產(chǎn)能利用率達(dá)到98.8%，已經(jīng)是2016年以來最高水平，較上一季度繼續(xù)提升1.8個(gè)百分點(diǎn)，較上年同期提升8.9個(gè)百分點(diǎn)。2019Q4中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入8.39億美元，同比增長(zhǎng)6.6%，結(jié)束了連續(xù)3個(gè)季度的持續(xù)下滑；2019Q4公司毛利率23.8%，較上一季度提高3.0個(gè)百分點(diǎn)，較上年同期提高6.8個(gè)百分點(diǎn)，主要得益于產(chǎn)能利用率的持續(xù)提升。

根據(jù)19Q4業(yè)績(jī)報(bào)告，公司預(yù)計(jì)2020年將重啟成長(zhǎng)。目前看一季度營(yíng)收比季節(jié)性來得好。2020Q1公司收入指引仍保持環(huán)比增長(zhǎng)（2%~2%），得益于成熟制程產(chǎn)能利用率的持續(xù)滿載；毛利率指引略有下滑（由23.8%下滑至21%~23%），下滑主要由于14nm產(chǎn)能開始爬坡。

半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化持續(xù)加速。2019Q4中芯國(guó)際與華虹半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入中，來自中國(guó)區(qū)收入占比分別達(dá)到65.1%、63.2%，分別較2019Q1提高11.2個(gè)百分點(diǎn)、10.4個(gè)百分點(diǎn)，顯示半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。

順應(yīng)市場(chǎng)需求，新一輪資本支出計(jì)劃將啟動(dòng)，產(chǎn)能擴(kuò)張逐步顯現(xiàn)。根據(jù)公司季度報(bào)告，2019Q4中芯國(guó)際資本開支4.92億美元，2019年全年資本開支20.29億美元，略高于2018年資本開支18.13億美元，接近公司在2018Q4給出的19年資本開支指引21億美元。為了順應(yīng)下游客戶需求，公司在季報(bào)中提出，將啟動(dòng)新一輪資本支出計(jì)劃，公司計(jì)劃2020年用于晶圓廠運(yùn)作的資本開支約為31億美元，其中20億美元用于擴(kuò)充擁有多數(shù)股權(quán)的上海300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年為12億美元；5億美元用于擴(kuò)充多數(shù)股權(quán)的北京300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年該項(xiàng)資本支出計(jì)劃為2億美元。

除了中芯國(guó)際，華虹半導(dǎo)體的無錫12英寸廠房在未來兩年也將處于產(chǎn)能快速爬坡階段，將由當(dāng)前的1萬片/月擴(kuò)充至2021年底的3萬片/月。根據(jù)集微網(wǎng)，2019年9月華虹無錫廠12寸線建成投片，開始55納米芯片產(chǎn)品制造，該項(xiàng)目總投資100億美元，月產(chǎn)能4萬片。該項(xiàng)目于18年3月開工，目前已完成1萬片產(chǎn)能所需的設(shè)備安裝和調(diào)試，通線投產(chǎn)后將迅速爬坡，形成量產(chǎn)能力。

2019年公司用于華虹無錫12寸廠的資本開支合計(jì)7.91億美元；用于華虹宏力8寸廠的資本開支合計(jì)1.31億美元。由于產(chǎn)業(yè)景氣度回暖及成熟制程需求良好，華虹半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率從2019Q1的87.3%提升至2019Q3的96.5%。2019Q4公司的產(chǎn)能利用率下滑至88.0%，主要是受無錫12寸廠在19Q4投產(chǎn)影響，其中8寸廠產(chǎn)能利用率92.5%、12寸廠產(chǎn)能利用率31.6%。

下游需求旺盛疊加國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)晶圓代工市場(chǎng)景氣上行，產(chǎn)能利用率攀升，推動(dòng)代工廠積極擴(kuò)產(chǎn)。當(dāng)前國(guó)內(nèi)晶圓代工廠呈現(xiàn)先進(jìn)與成熟工藝擴(kuò)產(chǎn)并行的狀態(tài)，為國(guó)產(chǎn)狀態(tài)發(fā)展提供了充分的空間。當(dāng)前國(guó)內(nèi)晶圓代工廠的擴(kuò)產(chǎn)力量按照工藝水平可以劃分三類：

1.面向先進(jìn)制程的12寸晶圓廠。以中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)為代表的國(guó)內(nèi)頭部晶圓代工廠，目標(biāo)市場(chǎng)面向先進(jìn)制程。包括中芯國(guó)際北京12寸廠（28nm）、中芯南方上海12寸廠（14nm）、華力集成二期（28-14nm）、弘芯武漢12寸廠（14nm）。

2.面向成熟制程的12寸晶圓廠。由于大尺寸硅晶圓的發(fā)展趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)存在著一批面向成熟制程的12寸晶圓廠正在擴(kuò)產(chǎn)中。包括華虹無錫12寸廠（90-65nm）、晶合集成合肥12寸廠（180-55nm）、萬國(guó)半導(dǎo)體重慶12寸廠（90nm）、士蘭微廈門12寸廠（90nm）、粵芯廣州12寸廠（180-130nm）。

3.其余8寸廠/6寸廠等。包括中芯國(guó)際紹興、寧波、天津8寸廠、士蘭微8寸廠、積塔半導(dǎo)體上海8寸廠、燕東微電子北京8寸廠等等。19年底以來半導(dǎo)體市況明顯回溫，8英寸晶圓代工產(chǎn)能已吃緊。包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)的8英寸代工產(chǎn)能滿載。伴隨著旺盛的市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)8英寸也迎來擴(kuò)產(chǎn)浪潮。

對(duì)國(guó)產(chǎn)裝備而言，下游形成梯隊(duì)的晶圓廠建設(shè)為其提供了充分的發(fā)展舞臺(tái)。既有面向國(guó)際先進(jìn)水平的先進(jìn)制程市場(chǎng)，又有當(dāng)前主流的12寸成熟制程市場(chǎng)，此外眾多的8寸廠等為國(guó)產(chǎn)裝備提供了良好的過渡市場(chǎng)。整體上看，國(guó)內(nèi)各梯隊(duì)晶圓代工廠的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的情況是，先進(jìn)制程<12寸成熟制程<8寸廠，分別以華力集成、華虹無錫12寸廠、積塔半導(dǎo)體8寸廠為例。根據(jù)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)，截止2020年2月，主要的半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率分別為，華力集成（28nm）7.0%、華虹無錫（90-65nm）23.7%、積塔半導(dǎo)體（8寸）34.4%。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器投資：

具備長(zhǎng)期性與規(guī)模性，2020年迎增速向上拐點(diǎn)。中國(guó)大陸在過去五年掀起了存儲(chǔ)芯片制造廠建設(shè)熱潮。目前我國(guó)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)，主要包括專注于3D NAND閃存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（紫光集團(tuán)與武漢合作），專注于移動(dòng)式內(nèi)存（DRAM）的合肥長(zhǎng)鑫（兆易創(chuàng)新與合肥合作）以及利基型內(nèi)存（NOR Flash，SRAM等）的福建晉華（聯(lián)電與福建合作）。三個(gè)項(xiàng)目在2016-2017年開工，其中福建晉華目前仍處于停滯狀態(tài)，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫都將在2020年進(jìn)入積極的產(chǎn)能爬坡期，預(yù)期將促使設(shè)備需求大幅增長(zhǎng)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：

公開消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資240億美元，2018Q4成功實(shí)現(xiàn)32層NAND量產(chǎn)，2019年9月2日宣布已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)能規(guī)劃方面，根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，19年Q4長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能在2萬片/月 （12英寸），到2020年底有望擴(kuò)產(chǎn)至7萬片/月，2023年擴(kuò)產(chǎn)至30萬片/月產(chǎn)能。投資水平方面，根據(jù)湖北省發(fā)改委發(fā)布信息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期投資569.5億元（對(duì)應(yīng)10萬片/月產(chǎn)能），其中2018、2019年計(jì)劃投資分別為200億元、50億元。

合肥長(zhǎng)鑫：

公開消息顯示，合肥長(zhǎng)鑫總投資1500億元，總規(guī)劃三期，全部完成后產(chǎn)能36萬片/月（12英寸），其中一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能12萬片/月，目前產(chǎn)能已達(dá)到2萬片/月，預(yù)計(jì)2020年達(dá)到4萬片/月，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏將視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率和市場(chǎng)需求來決定。投資水平方面，根據(jù)安徽省政府發(fā)布信息，合肥長(zhǎng)鑫一期投資534億元，截止2018年底合計(jì)投資191.3億元，2019年計(jì)劃投資50億元。此外，紫光集團(tuán)曾宣布在南京、成都、重慶陸續(xù)展開集成電路基地建設(shè)，三地項(xiàng)目紫光投資總規(guī)模在千億級(jí)別，有望中期對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備需求形成有力支撐。但需要注意，目前均處于工程建設(shè)階段，建設(shè)進(jìn)程以及最終投資規(guī)模存在不確定性。

按照目前可知的項(xiàng)目計(jì)劃與建設(shè)進(jìn)程，我們測(cè)算了目前國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)器廠未來幾年的投資規(guī)模。根據(jù)測(cè)算，2019-2022年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠投資規(guī)模分別為321.7億元/495.0億元/806.0億元/1116.3億元，分別同比變動(dòng)-9%/+54%/+63%/38%；其中本土2019-2022年本土存儲(chǔ)器廠投資規(guī)模分別為88.3億元/291.9億元/519.7億元/860.4億元，分別同比變動(dòng)-54%/+231%/+78%/+66%。

（四）封測(cè)環(huán)節(jié)：封測(cè)行業(yè)景氣回暖，有望促使資本開支回升

封測(cè)行業(yè)營(yíng)收呈現(xiàn)一定程度周期性，2019H2以來隨半導(dǎo)體景氣度提升而復(fù)蘇。封測(cè)行業(yè)作為半導(dǎo)體加工的最后一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其封測(cè)出片量與半導(dǎo)體晶圓的出貨量變化趨勢(shì)保持一致，因此受半導(dǎo)體整體周期性的影響，封測(cè)行業(yè)也存在著較為明顯的周期特性。2018年后期受半導(dǎo)體整體周期下行影響，封測(cè)行業(yè)增速放緩。2019年二季度起，隨著半導(dǎo)體景氣度回升，封測(cè)行業(yè)也明顯回暖。同時(shí)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體需求大客戶的轉(zhuǎn)單將加速國(guó)產(chǎn)替代,使得中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)的景氣度回升高于全球平均水平。

包括長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電3家國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)2019Q3單季度營(yíng)業(yè)收入117.8億元，同比增長(zhǎng)11.6%，扭轉(zhuǎn)了3個(gè)季度連續(xù)下滑。2019Q4-2020Q1，3家公司合計(jì)單季度營(yíng)業(yè)收入保持同比20%以上增長(zhǎng)。3家公司2019Q4歸母凈利潤(rùn)4.4億元，較上年同期增長(zhǎng)147.0%，單季度合計(jì)的歸母凈利潤(rùn)創(chuàng)下新高。3家公司2020Q1歸母凈利潤(rùn)1.8億元，上年同期為-0.8億元。

受益行業(yè)景氣回升、企業(yè)盈利改善，封測(cè)廠資本開支正在回升。以國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭長(zhǎng)電科技為例，公司2019年實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)0.89億元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，上年同期為-9.4億 元；2020Q1長(zhǎng)電科技凈利潤(rùn)1.34億元。根據(jù)公司發(fā)布的董事會(huì)投資決議，在原有2020年30億資本開支計(jì)劃基礎(chǔ)上，追加固定資產(chǎn)投資8.3億元人民幣用于重點(diǎn)客戶產(chǎn)能擴(kuò)充，以滿足重點(diǎn)客戶市場(chǎng)需求。對(duì)應(yīng)2020年資本開支計(jì)劃合計(jì)38.3億元，其中重點(diǎn)客戶產(chǎn)能擴(kuò)充23.1億元，其他零星擴(kuò)產(chǎn)6.8億元人民幣，日常維護(hù)5.9億元人民幣，降本改造、自動(dòng)化、研發(fā)以及基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等共3.0億元人民幣。根據(jù)2018年年報(bào)，公司2019年度固定資產(chǎn)資本支出約為29.30億元。

三、產(chǎn)能與工藝驅(qū)動(dòng)，深挖細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)機(jī)遇

（一）ATE 多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，市場(chǎng)需求有差異

集成電路從功能、結(jié)構(gòu)角度主要分為數(shù)字集成電路、模擬集成電路與數(shù)/?；旌霞呻娐啡悾渲校簲?shù)字集成電路主要與數(shù)字信號(hào)的產(chǎn)生、放大和處理有關(guān)，數(shù)字信號(hào)即在時(shí)間和幅度上離散變化的信號(hào)；模擬集成電路主要與模擬信號(hào)的產(chǎn)生、放大和處理有關(guān)，模擬信號(hào)及幅度對(duì)時(shí)間連續(xù)變化的信號(hào)，包括一切的感知，譬如圖像、聲音、觸感、溫度、濕度等；數(shù)/?；旌霞呻娐肥侵篙斎肽M或數(shù)字信號(hào)，輸出為數(shù)字或模擬信號(hào)的集成電路。根據(jù)WSTS，2018年全球半導(dǎo)體銷售額中，集成電路銷售額3933億美元，占83.9%。包括存儲(chǔ)器1580億美元，占比33.7%；邏輯電路1093元，占比23.3%；微處理器672億美元，占比14.3%；模擬電路588億美元，占比12.5%。

由于不同類型芯片的測(cè)試需求的側(cè)重點(diǎn)不同，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)包括多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)主要細(xì)分領(lǐng)域?yàn)榇鎯?chǔ)器、SoC、模擬、數(shù)字、分立器件和 RF測(cè)試機(jī)。全球ATE市場(chǎng)以存儲(chǔ)器和SoC測(cè)試占據(jù)絕大部分。而國(guó)內(nèi)在模擬測(cè)試、分立器件測(cè)試等領(lǐng)域仍然有良好的市場(chǎng)空間。

根據(jù)泰瑞達(dá)年報(bào)，2018年全球ATE市場(chǎng)約40億美元。結(jié)構(gòu)方面，2017年全球ATE市場(chǎng)為33.5億美元，其中SoC測(cè)試設(shè)備24億美元，占ATE總市場(chǎng)的71.6%；存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)6.5億美元，占19%；而余下的3億美元，則分散在模擬測(cè)試、數(shù)字邏輯測(cè)試、RF測(cè)試等眾多領(lǐng)域。

根據(jù)賽迪顧問，2018年國(guó)內(nèi)ATE市場(chǎng)36.0億元，同比增長(zhǎng)41.7%。其中存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)和SoC測(cè)試機(jī)分別占比43.8%、23.5%。此外，數(shù)字測(cè)試機(jī)、模擬測(cè)試機(jī)、分立器件測(cè)試機(jī)占比分別達(dá)到12.7%、12.0%以及6.8%，RF測(cè)試機(jī)為0.9%。國(guó)內(nèi)ATE需求結(jié)構(gòu)與全球整體有較大差異，主要是由下游市場(chǎng)需求所決定。由于國(guó)內(nèi)目前高端芯片的國(guó)產(chǎn)化仍然處于較低水平， 所以SoC測(cè)試系統(tǒng)需求占比較全球整體水平有較大差距，未來伴隨汽車電動(dòng)化、5G和人工智能等的迅速發(fā)展和未來中國(guó)在SoC芯片和封測(cè)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化，國(guó)內(nèi)SoC測(cè)試需求有望持續(xù)攀升。

（二）存儲(chǔ)器測(cè)試：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器擴(kuò)產(chǎn)浪潮將有力推動(dòng)測(cè)試設(shè)備需求

存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片的測(cè)試區(qū)別。存儲(chǔ)器芯片必須經(jīng)過許多必要的測(cè)試以保證其功能正確，這些測(cè)試主要用來確保芯片不包括以下錯(cuò)誤：存儲(chǔ)單元短路、存儲(chǔ)單元開路、存儲(chǔ)單元干擾等。由于存儲(chǔ)單元類型多樣化，存儲(chǔ)器內(nèi)部還有大量的模擬部件，其中一些部件不能直接進(jìn)行存取操作，而且存儲(chǔ)器的每一個(gè)單元可能處于不同的狀態(tài)，按邏輯測(cè)試方法測(cè)試需要龐大的測(cè)試圖形，這些特性決定了存儲(chǔ)器測(cè)試要求與模擬電路和數(shù)字電路不同。存儲(chǔ)器芯片測(cè)試時(shí)使用測(cè)試向量進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)，測(cè)試向量是施加給存儲(chǔ)芯片的一些列功能，即不同的讀和寫的功能組合。

存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)需求由存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)。存儲(chǔ)器是一個(gè)周期性極強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)，強(qiáng)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體周期性。下游需求的周期波動(dòng)、市場(chǎng)份額集中的格局、產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化屬性導(dǎo)致存儲(chǔ)器行業(yè)歷史上容易出現(xiàn)大幅的波動(dòng)。由于存儲(chǔ)器行業(yè)的強(qiáng)周期性，行業(yè)的資本開支也呈現(xiàn)較強(qiáng)的波動(dòng)，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)需求的周期波動(dòng)。

在2007年之前，存儲(chǔ)器測(cè)試還占據(jù)全部半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)的30%~40%；在2008年金融危機(jī)后，雖然到2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)品銷售額已有良好的恢復(fù)，占半導(dǎo)體總市場(chǎng)的比重恢復(fù)至2006-2007年水平，但存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備的市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)一步被侵蝕，2009年存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備比重降至11%左右，此后存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備基本在17%~22%之間。

由于2017-2018年存儲(chǔ)器行業(yè)需求高景氣，國(guó)際存儲(chǔ)器巨頭紛紛擴(kuò)產(chǎn)，推動(dòng)了存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的快速增長(zhǎng)。根據(jù)愛德萬年報(bào)，2017-2018年全球存儲(chǔ)ATE銷售額分別為7.5億美元、11.5億美元。2019年由于下游存儲(chǔ)器行業(yè)景氣下滑，對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的需求也受到較大影響。根據(jù)愛德萬年報(bào)，2019年全球存儲(chǔ)ATE市場(chǎng)6.5億美元。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠建設(shè)，將直接推動(dòng)存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備快速增長(zhǎng)。根據(jù)愛德萬公司預(yù)測(cè)，隨著存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備行業(yè)正在復(fù)蘇。公司預(yù)測(cè)2020年全球存儲(chǔ)ATE需求將達(dá)到8億美元，較上年增長(zhǎng)23%，其中三星、美光等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭的擴(kuò)產(chǎn)有限，中國(guó)地區(qū)存儲(chǔ)器廠建設(shè)將貢獻(xiàn)最主要的增量。愛德萬公司存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備的訂單反映了這一點(diǎn)。19Q4愛德萬新簽存儲(chǔ)器測(cè)試訂單15.9十日日元，同比增長(zhǎng)40.6%，結(jié)束了自18Q3以來連續(xù)5個(gè)季度的持續(xù)下滑。分區(qū)域看，2019年愛德萬全部業(yè)務(wù)新簽訂單72.9億日元，同比下滑10.9%其中韓國(guó)區(qū)域、中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸區(qū) 域 訂 單 占 總 訂 單 合 計(jì) 74.9% ， 2019 年 三 個(gè) 區(qū) 域 訂 單 分 別 同 比 變 動(dòng)-10.7%/-32.5%/+26.2%，中國(guó)地區(qū)貢獻(xiàn)了最重要的增量。

我們進(jìn)一步測(cè)算了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠擴(kuò)產(chǎn)將帶來的測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)需求。我們統(tǒng)計(jì)了目前國(guó)內(nèi)主要的在建晶圓廠，按照產(chǎn)能規(guī)劃將投資額在各年進(jìn)行分配。我們測(cè)算2020-2022年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠投資495億元/806億元/1116億元，分別同比增長(zhǎng)54%/63%/38%。對(duì)應(yīng)測(cè)試設(shè)備需求分別為39.6億元/64.5億元/89.3億元，其中ATE需求分別為26.0億元/42.3億元/58.6億元。

（三）SoC 測(cè)試：ATE 最大的細(xì)分領(lǐng)域，仍然是未來主流發(fā)展方向

SOC測(cè)試占據(jù)大部分市場(chǎng)，趨勢(shì)持續(xù)向上。進(jìn)入新世紀(jì)以來，互聯(lián)網(wǎng)大范圍推廣。同時(shí)，蘋果推出智能手機(jī)、谷歌推出安卓系統(tǒng)，移動(dòng)通訊進(jìn)入爆發(fā)期，迅速取代PC成為新的驅(qū)動(dòng)力。不同于臺(tái)式電腦，人們對(duì)智能手機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品提出了輕薄短小、多功能和低功耗等新要求。在20世紀(jì)90年代中期誕生的SoC技術(shù)滿足了人們這一需求，反過來對(duì)于消費(fèi)類電子產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求也促使著SoC芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。而SoC芯片的快速發(fā)展也帶來了對(duì)SoC測(cè)試設(shè)備的大量需求，SoC測(cè)試設(shè)備逐漸成為自動(dòng)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)新的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)愛德萬年報(bào)，2017-2019年全球SoC測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模分別為22億美元、25.5億美元、27億美元，保持穩(wěn)步增長(zhǎng)。

SoC芯片可使系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品具有高可靠、實(shí)時(shí)性、高集成、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、航空航天、移動(dòng)通信、消費(fèi)類電子、汽車電子、醫(yī)療電子設(shè)備等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)芯片不同， SoC芯片集成了微處理器、模擬IP核、數(shù)字IP核以及片外存儲(chǔ)器控制接口等功能，其核心技術(shù)在于IP核的復(fù)用，這些模塊可以是模擬、數(shù)字或數(shù)模混合類型，不同模塊的頻率、電壓、測(cè)試原理也不同。

同時(shí)，高集成度造成測(cè)試的數(shù)據(jù)量和時(shí)間成倍增長(zhǎng)，測(cè)試功耗也是傳統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目的2~4倍。因此SoC的復(fù)雜性使得傳統(tǒng)測(cè)試機(jī)難以滿足需求，專業(yè)的SoC測(cè)試機(jī)具有強(qiáng)大的并測(cè)能力，通過合理規(guī)劃調(diào)度各個(gè)IP核完成并發(fā)測(cè)試，有效地降低了測(cè)試時(shí)間和測(cè)試成本。由于產(chǎn)品難以復(fù)制，客戶愿意支付更高的溢價(jià)購(gòu)買設(shè)備。

（四）模擬測(cè)試：下游需求分散、產(chǎn)品成熟，為測(cè)試設(shè)備提供穩(wěn)定需求

根據(jù)WSTS，2018年全球模擬芯片銷售額588億元，占全球集成電路銷售額的14.9%。模擬芯片的兩個(gè)主要用途包括電源管理與信號(hào)鏈路。模擬IC產(chǎn)品在各大電子系統(tǒng)基本上都會(huì)使用到，涉及下游應(yīng)用有通信、汽車、工控醫(yī)療、消費(fèi)類家電產(chǎn)品等。在數(shù)字電路系統(tǒng)中也會(huì)提供電源管理、穩(wěn)壓等功能。其中電源管理芯片是模擬芯片的主要部分。

根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2017年電源管理芯片占模擬芯片的53%左右（包括標(biāo)準(zhǔn)power IC和模擬ASSP用途的power IC），電源管理用途在家電、工業(yè)用途相對(duì)較為成熟，技術(shù)更新迭代較慢，技術(shù)壁壘相對(duì)較低，國(guó)內(nèi)布局廠商較多，包括圣邦股份、矽力杰、韋爾股份、富滿電子、中穎電子等。

信號(hào)鏈路芯片可細(xì)分為非power IC的模擬ASSP、放大器、比較器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片等，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2017年信號(hào)鏈路芯片占模擬芯片的47%，國(guó)內(nèi)布局廠商較少，以華為海思、圣邦股份為主。

模擬測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)內(nèi)ATE的重要組成部分，下游模擬芯片的需求穩(wěn)定帶來了模擬測(cè)試系統(tǒng)的穩(wěn)定需求。根據(jù)賽迪顧問，2018年國(guó)內(nèi)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模4.3億元，占國(guó)內(nèi)ATE的12.0%。

一方面，模擬芯片下游應(yīng)用非常廣泛，而單一下游市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)較小，競(jìng)爭(zhēng)者通常專注差異市場(chǎng)，廠商之間的產(chǎn)品重疊度較低、競(jìng)爭(zhēng)較小。

另一方面，模擬芯片產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，模擬類產(chǎn)品下游汽車、工業(yè)用途要求以可靠性、安全行為主，偏好性能成熟穩(wěn)定類產(chǎn)品的同時(shí)資格認(rèn)可相對(duì)較為嚴(yán)格，同時(shí)先進(jìn)制程對(duì)于模擬類產(chǎn)品推動(dòng)作用較小，基本不受摩爾定律推動(dòng)，因此模擬類產(chǎn)品性能更新迭代較慢。因此模擬類產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，一般不低于10年。

目前國(guó)內(nèi)ATE廠商的測(cè)試機(jī)產(chǎn)品主要集中在模擬測(cè)試以及數(shù)模混合測(cè)試系統(tǒng)。在國(guó)內(nèi)模擬測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域，包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技等國(guó)內(nèi)ATE領(lǐng)先企業(yè)已經(jīng)占據(jù)了相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)份額。根據(jù)華峰測(cè)控的招股說明書，公司2018年境內(nèi)模擬測(cè)試相關(guān)收入1.73億元，占中國(guó)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)的份額為40.14%。

四、全球市場(chǎng)高度集中，國(guó)產(chǎn)裝備向中高端進(jìn)階

（一）歷經(jīng)半個(gè)世紀(jì)，形成高度聚焦市場(chǎng)

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE，Automatic Test Equipment）是檢測(cè)芯片功能和性能的專用設(shè)備，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，采集被檢測(cè)芯片的輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。ATE行業(yè)從1960s誕生以來，其發(fā)展大致可歸納為以下幾個(gè)階段：

（1）起步階段：

1960s~1970s，行業(yè)成立初期，在仙童半導(dǎo)體的主導(dǎo)下得以發(fā)展。ATE行業(yè)最早產(chǎn)生于1960s，龍頭企業(yè)美國(guó)泰瑞達(dá)便是成立于1960年，但行業(yè)最開始的發(fā)展并不是由這些獨(dú)立的設(shè)備商引導(dǎo)，而是由半導(dǎo)體企業(yè)主導(dǎo)的。ATE最開始就是由仙童半導(dǎo)體、德州儀器等企業(yè)生產(chǎn)用于內(nèi)部使用，在70年代末之前，仙童半導(dǎo)體掌握著全球范圍70%的ATE市場(chǎng)。

（2）發(fā)展初期：

1980s，ATE市場(chǎng)開始成為廣泛的市場(chǎng)，獨(dú)立的設(shè)備商嶄露頭角。隨著CMOS技術(shù)開始起步，高管腳數(shù)門陣列器件的時(shí)代到來，測(cè)試要求提升，但仙童半導(dǎo)體在開發(fā)新的ATE系統(tǒng)上卻遭遇失敗，隨后將其ATE部門賣給斯倫貝謝。而在這一段時(shí)間，日本愛德萬在日本大力發(fā)展本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景下得到迅速發(fā)展，泰瑞達(dá)從模擬測(cè)試供應(yīng)商成長(zhǎng)為數(shù)字測(cè)試和存儲(chǔ)測(cè)試供應(yīng)商，另外還包括GanRad、LTX、Agilent（安捷倫）等眾多ATE公司出現(xiàn)，ATE發(fā)展成為廣泛的市場(chǎng)。

（3）規(guī)模階段：

1990s，主要的ATE設(shè)備商開始形成規(guī)模，并開始出現(xiàn)合并行為。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，1991年全球半導(dǎo)體銷售額僅546億美元，到2000年增長(zhǎng)至2044億美元，增長(zhǎng)274.%。隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，設(shè)備商也得以規(guī)模成長(zhǎng)，同時(shí)行業(yè)開始出現(xiàn)并購(gòu)活動(dòng)，行業(yè)主要參與者開始顯現(xiàn)，到90年代末期，行業(yè)內(nèi)主要的10多家企業(yè)形成了行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。

（4）聚焦階段：

2000s，行業(yè)出現(xiàn)大規(guī)模整合，主要競(jìng)爭(zhēng)者減少至5家左右。2008年泰瑞達(dá)250百萬美元收購(gòu)Eagle拓展閃存測(cè)試、379百萬美元收購(gòu)Nextest加強(qiáng)模擬測(cè)試業(yè)務(wù)；2004年科利登以660百萬美元收購(gòu)NPTest（2002年從Schlumberger的ATE部門分離出來），進(jìn)入高端SOC測(cè)試領(lǐng)域，2008年LTX收購(gòu)科利登，改名為L(zhǎng)TX-Credence；2011年愛德萬以1100百萬美元收購(gòu)惠睿捷，使得其在SOC測(cè)試市場(chǎng)份額得以迅速發(fā)展。全球ATE行業(yè)持續(xù)聚焦，到2009年泰瑞達(dá)、愛德萬、惠睿捷、科利登四家企業(yè)占據(jù)全球ATE設(shè)備行業(yè)87%的市場(chǎng)份額。

（5）平衡與聯(lián)盟階段：

2010s~，由于下游半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入成熟的周期性發(fā)展階段，設(shè)備行業(yè)也呈現(xiàn)平穩(wěn)發(fā)展；同時(shí)，行業(yè)集中度已經(jīng)非常高，行業(yè)內(nèi)并購(gòu)的機(jī)會(huì)稀缺，近年來，全球ATE主要企業(yè)更加專注于市場(chǎng)份額鞏固，以及可能地尋求其他領(lǐng)域的發(fā)展以拓寬可觸及的市場(chǎng)空間。

（二）行業(yè)雙寡頭格局，國(guó)際龍頭產(chǎn)品線豐富

以2011年愛德萬收購(gòu)惠睿捷為標(biāo)志，以泰瑞達(dá)、愛德萬為中心的雙寡頭格局日漸清晰。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2017年泰瑞達(dá)、愛德萬兩家企業(yè)在全球半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)行業(yè)的市場(chǎng)份額達(dá)到87%。其中泰瑞達(dá)在SOC測(cè)試領(lǐng)域具有較高的優(yōu)勢(shì)；而愛德萬在存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域處于領(lǐng)軍地位，在SOC測(cè)試市場(chǎng)相對(duì)于泰瑞達(dá)、惠瑞捷屬于后進(jìn)入者，但其SOC測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)份額逐漸穩(wěn)步上升。

根據(jù)泰瑞達(dá)2017年年報(bào)，2017年泰瑞達(dá)在ATE市場(chǎng)的份額已經(jīng)達(dá)到50%左右。而在模擬測(cè)試機(jī)等其他測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，市場(chǎng)參與者較多，格局相對(duì)分散。

在存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域，由于80年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由家電進(jìn)入PC時(shí)代催生了DRAM大量需求，而日本在原有積累基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)DRAM大規(guī)模量產(chǎn)，迅速取代美國(guó)成為DRAM主要供應(yīng)國(guó)，在此產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移背景下，愛德萬搶先布局存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域，于1976年推出了全球首臺(tái)DRAM測(cè)試機(jī)T310/31，此后公司長(zhǎng)期在存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)領(lǐng)域占據(jù)50%以上絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，特別在存儲(chǔ)器發(fā)展良好的2003-2007年間公司份額達(dá)到60%~70%。

而在具備更大市場(chǎng)空間的SOC測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域，此前這一領(lǐng)域的主要領(lǐng)導(dǎo)者包括泰瑞達(dá)、惠睿捷、愛德萬，其中泰瑞達(dá)早在1995年