2019年，中國(guó)公司邁出了3D閃存國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵一步，開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的閃存，目前還在擴(kuò)張產(chǎn)能。接下來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將會(huì)啟動(dòng)國(guó)家存儲(chǔ)器基地二期工程，建成后產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片晶圓/月，是一期工程的3倍，將大幅提升國(guó)產(chǎn)閃存的產(chǎn)能。

2016年3月28日國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式在武漢啟動(dòng)，當(dāng)時(shí)由武漢新芯科技主導(dǎo)，不過(guò)7月26日，總投資約1600億的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司正式成立，武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。

2017年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)出了國(guó)內(nèi)首個(gè)3D NADN閃存，32層堆棧，不過(guò)產(chǎn)量比較少，主要用于U盤(pán)、存儲(chǔ)卡等產(chǎn)品。

2019年9月份，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國(guó)首款64層3D NAND閃存。

今年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

按照長(zhǎng)存的說(shuō)法，這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在不斷提升產(chǎn)能，今年底的目標(biāo)將達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能，這也是整個(gè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地一期工程的目標(biāo)。

在一期工程進(jìn)入尾聲的時(shí)候，今年內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將會(huì)開(kāi)始國(guó)家存儲(chǔ)器基地二期工程建設(shè)，建成后產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片晶圓/月，意味著國(guó)內(nèi)閃存的產(chǎn)能三倍增長(zhǎng)，有助于提高市場(chǎng)占有率。

2019年底全球閃存月產(chǎn)能大概是130萬(wàn)片晶圓，考慮到未來(lái)的發(fā)展，國(guó)家存儲(chǔ)器基地二期工程建成的時(shí)候，意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)有可能占據(jù)全球20%的產(chǎn)能，這個(gè)份額不低了，足夠讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)躋身全球TOP3閃存供應(yīng)商行列。