昨（7）日晚間，乾照光電發(fā)布公告稱，為充分發(fā)揮公司已有的技術優(yōu)勢、設備優(yōu)勢、工藝優(yōu)勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出資159，670.49萬元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發(fā)生產項目，其中銀行貸款85，096.20萬元，其余由公司以其他方式自籌出資，該項目由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司負責承辦。

據公告顯示，項目安排在2018年啟動，2019年上半年開工建設，建設期預計22個月，2021年建成投產，2022年實現滿產運行。項目投產后，預測達產后年銷售收入96，628.29 萬元，達產年利潤總額23，690.91萬元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅后財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。

乾照光電表示，砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附于MOCVD進行外延生產，技術含量高；在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。乾照光電憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發(fā)和生產的積累，通過本項目的建設，將有助于乾照光電在其他市場領域的突破，對公司的戰(zhàn)略發(fā)展具有重要意義。

此外，本項目的實施，可以對地區(qū)的半導體發(fā)展有明顯的推動作用。同時，該項目的建設對廈門打造半導體高端產業(yè)集群計劃的實施具有重要意義。在環(huán)境保護方面，本項目利用原有環(huán)保體系，完全可以達到環(huán)保標準，不會對環(huán)境造成影響。