什么是IGBT/MOSFET的內(nèi)置保護(hù)功能的光耦?它有什么作用?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開始出貨。

TLP5231產(chǎn)品示意圖

新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。

目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實(shí)現(xiàn)電流放大，這會(huì)在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時(shí)消耗電流，有助于降低功耗。

通過改變外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠?yàn)楦鞣NIGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺(tái)來滿足系統(tǒng)的功率需求，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

其他功能包括：在檢測(cè)到VCE(sat)過流后使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時(shí)間”;另外，除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測(cè)，將任意故障信號(hào)輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。

應(yīng)用：

?IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)(預(yù)驅(qū)動(dòng))

?交流電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制

?工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)

?光伏(PV)電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)

特性：

?內(nèi)置有源時(shí)序控制的雙輸出，適用于驅(qū)動(dòng)P溝道和N溝道互補(bǔ)MOSFET緩沖器。

?當(dāng)檢測(cè)到過流時(shí)，通過使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時(shí)間。

?當(dāng)監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到過流時(shí)或UVLO時(shí)，故障信號(hào)會(huì)輸出到一次側(cè)。以上就是IGBT/MOSFET的內(nèi)置保護(hù)功能的光耦解析，希望能給大家?guī)椭?