什么是IGBT/MOSFET的內置保護功能的光耦?它有什么作用?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調節(jié)系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。

TLP5231產品示意圖

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。

目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流，有助于降低功耗。

通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求，從而簡化設計。

其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外，除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測，將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用：

?IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

?交流電機和直流無刷電機控制

?工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)

?光伏(PV)電源調節(jié)系統

特性：

?內置有源時序控制的雙輸出，適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。

?當檢測到過流時，通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。

?當監(jiān)控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時，故障信號會輸出到一次側。以上就是IGBT/MOSFET的內置保護功能的光耦解析，希望能給大家?guī)椭?