自GF(格芯)退出7nm研發(fā)后，金字塔尖的先進(jìn)制程工藝爭(zhēng)奪主要在臺(tái)積電、Intel、三星中開(kāi)展。

最新消息稱(chēng)，三星已經(jīng)重修了工藝路線圖，取消了此前用于過(guò)渡的4nm，在5nm為FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)后，直接上馬3nm GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。

至于臺(tái)積電的3nm，據(jù)說(shuō)第一代還是FinFET，總投資高達(dá)500億美元，風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)也推遲到了今年10月。

三星的4nm原定于2021年量產(chǎn)，可其真實(shí)身份無(wú)非5nm改良。對(duì)于三星取消的原因，一方面是3nm推進(jìn)順利，另一方面則是市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)需要，如果能搶在臺(tái)積電之前搞定技術(shù)難度更高的3nm GAAFET，無(wú)疑將為自己爭(zhēng)得可觀的機(jī)會(huì)。

此前，三星曾透露，3nm芯片相較于7nm FinFET，可以減少50%的能耗，增加30%的性能。

此外，最重要的是，三星如今的掌門(mén)人李在镕非常看重芯片代工業(yè)務(wù)，這一切或也得到了他的授意。