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[導(dǎo)讀] 安卓手機起步都是2GB內(nèi)存,高端或頂配機型會配備3GB甚至4GB內(nèi)存,不過大多都是LPDDR3,而非最新的LPDDR4。廠商只提DARM容量不說標(biāo)準(zhǔn),意圖像多核處理器一樣制造營銷方面的賣點。理論

安卓手機起步都是2GB內(nèi)存,高端或頂配機型會配備3GB甚至4GB內(nèi)存,不過大多都是LPDDR3,而非最新的LPDDR4。廠商只提DARM容量不說標(biāo)準(zhǔn),意圖像多核處理器一樣制造營銷方面的賣點。理論上說內(nèi)存容量越大越好,但真的能在體驗上勝過iPhone嗎?

vivo在水立方舉行了新品發(fā)布會,推出了全金屬手機X6及X6 Plus,主打“夠快才爽快”。然而整個發(fā)布會廠商沒提處理器的具體型號,只是標(biāo)明了8核64位。從之前安兔兔泄露的信息來看,vivo X6/X6 Plus搭載的是聯(lián)發(fā)科MT6752(雙4G版)或驍龍615(全網(wǎng)通版),處理器還是去年千元機的水平,完全不夠看??!

4GB內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn):LPDDR3還是LPDDR4?

看來vivo所說的“快”,應(yīng)該指的是4GB RAM帶來的提速。根據(jù)官方的說法,4GB運行內(nèi)存可以同時運行更多的APP,還能帶來更快的程序啟動速度,相較3GB或2GB運行內(nèi)存的開啟速度有明顯的優(yōu)勢。事實真的是這樣嗎,那為什么配備2GB運行內(nèi)存的iPhone 6s感覺流暢度更勝一籌呢?

除了iOSAndroid采用了不同的內(nèi)存管理機制外,手機內(nèi)存規(guī)格也是影響啟動及運行速度的重要因素。這里所說的內(nèi)存規(guī)格,除了容量外,還有頻率、帶寬等,具體可以參考JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會公布的標(biāo)準(zhǔn)。

目前手機內(nèi)存最新的標(biāo)準(zhǔn)為LPDDR4,但支持的僅有驍龍810、三星Exynos 7420及蘋果A9等高端處理器,大多數(shù)手機用的還是LPDDR3內(nèi)存,包括年初登場的華碩ZenFone2以及最近剛發(fā)布的vivo X6。

LPDDR4內(nèi)存效能:帶寬翻倍,功耗降低30%

上一代LPDDR3的最高頻率為2133MHz,而LPDDR4直接從3200MHz起步,最高甚至可以達(dá)到4266MHz;LPDDR4的架構(gòu)也被重新設(shè)計,從每die單通道16bit升級到雙通道16bit(共計32bit);電壓則從上一代的1.2V降至1.1V。簡單來說帶寬是上一代的2倍,功耗降低了30%。

帶寬翻倍是什么概念?以最新的主機為例,PS4和Xbox One都采用了8GB內(nèi)存,但前者為5500MHz GDDR5,后者是2133MH DDR3。結(jié)果就是Xbox One只能以720p/900p分辨率運行大部分游戲,而PS4卻能實現(xiàn)1080p,游戲性能更強。手機使用LPDDR4內(nèi)存,相當(dāng)于主機或者PC從DDR3跨入GDDR5時代。

LPDDR4內(nèi)存現(xiàn)狀:成本高處理器支持少

既然LPDDR4速度更快,功耗更低,為什么還沒普及呢?要知道去年年底三星就量產(chǎn)了8Gb(1Byte=8bit,即折合1GB) LPDDR4-3200內(nèi)存顆粒,制程工藝20nm,自家的Galaxy S6/Edge已經(jīng)用上了。另一家SK Hynix也在今年2月宣布自家的8Gb LPDDR4內(nèi)存有手機使用(可能是LG G Flex2)。LDDR4內(nèi)存正式商用差不多一年了,但只有少量旗艦機型配備,有點不科學(xué)?。?/p>

實際上除了支持的處理器型號比較少外(驍龍810還曝出發(fā)熱問題),成本還是最大的制約因素。目前DRAM芯片的生產(chǎn)商主要三星(45.1%)、SK Hynix(27.7%)、美光這三家,不論是手機、平板使用的LPDDR內(nèi)存,還是PC搭載的DDR內(nèi)存,國內(nèi)基本上都是依賴進(jìn)口的。使用LPDDR4內(nèi)存要承擔(dān)20nm工藝帶來的風(fēng)險和成本,代價會比較昂貴。

相比使用新技術(shù),國內(nèi)廠商更愿意增加LPDDR3內(nèi)存容量,先不說用戶體驗方面有多少提升,營銷方面就可以增加一個賣點,成本還不高。畢竟用戶喜歡大內(nèi)存,同多核處理器是一個道理,無論是否有用。君不見在vivo X6以及華為Mate 8的新品發(fā)布會上,廠商只強調(diào)4GB運行內(nèi)存,但沒有說明是LPDDR3還是LPDDR4。

手機RAM趨勢:6GB以上內(nèi)存明年殺到

安卓手機起步都是2GB內(nèi)存,高端及頂配機型才會配備3GB/4GB內(nèi)存,不過大部分都是LPDDR3,并不是最新的LPDDR4,可見成本上還是有壓力的。不過根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的看法,繼處理器(跑分)之后,廠商要拼內(nèi)存了,明后年手機內(nèi)存可能會到6-8GB容量。此前三星也完成了12Gb LPDDR4內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),四組就能達(dá)到6GB,很可能會在Galaxy S7或Note 6上使用。再回頭看看PC,貌似還是一直在擠牙膏。

其實隨著Android版本的更新,5.1之后內(nèi)存管理的效率相比之前已經(jīng)有不少改進(jìn)。遺憾的國內(nèi)的流氓應(yīng)用太多,而且是組團(tuán)上陣(比如某全家桶),眼看要被殺掉了隊友立馬給奶了一口…這也難怪即便是用了3GB RAM以上的手機,很多用戶還是會頻繁清理內(nèi)存(強迫癥)。只能期待明年Google回歸之后,情況會有所改善吧,要不然上6GB或8GB也不夠折騰的。

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