提起手機(jī)配置大家首先想到什么?屏幕、處理器、電池?沒錯(cuò)這三個(gè)硬件配置最為重要，一個(gè)是重要的輸入和輸出介質(zhì)，另一個(gè)決定了手機(jī)整體性能強(qiáng)弱，最后一個(gè)電池決定了續(xù)航。這三個(gè)配置或者說這三個(gè)配置決定的手機(jī)能力是所有消費(fèi)者都會(huì)關(guān)心的。

但決定手機(jī)性能的可不僅僅只有這些明面上的配置，屏幕、處理器、電池正因?yàn)橛脩絷P(guān)心，所以手機(jī)廠商也有足夠的重視，往往會(huì)基于更多的預(yù)算和成本，采購更好的元件以滿足消費(fèi)者需求。但有一些細(xì)節(jié)內(nèi)容就顯得不那么重要了，不過他們也是決定手機(jī)性能強(qiáng)弱的重要因素。

最典型的例子就是存儲(chǔ)，存儲(chǔ)分為內(nèi)存RAM、主要存儲(chǔ)ROM和外接存儲(chǔ)卡一般是Micro-SD卡(當(dāng)然并不是所有手機(jī)都有外接存儲(chǔ)，比如蘋果iPhone就沒有)。我們平常關(guān)注的處理器、屏幕在不停更新?lián)Q代，實(shí)際上內(nèi)存也在不斷更新?lián)Q代，只是頻率沒有那么高，而且廠商宣傳更重視存儲(chǔ)容量的數(shù)值。

對(duì)于明年旗艦手機(jī)來說，這三個(gè)要素不容忽視，他們就是LPDDR5內(nèi)存、USF 3.0存儲(chǔ)和SD Express存儲(chǔ)卡。

沒錯(cuò)，明年旗艦手機(jī)應(yīng)該普遍會(huì)使用6GB RAM以上容量的存儲(chǔ)，不過除此之外，LPDDR5似乎也成為了標(biāo)配。相比現(xiàn)在的LPDDR4x有著更好的性能表現(xiàn)。也許有了解內(nèi)存的朋友會(huì)奇怪，為什么是LPDDR4x而不是LPDDR4，因?yàn)閷?duì)于手機(jī)來說后面的x代表了低電壓模式，畢竟手機(jī)是移動(dòng)設(shè)備，對(duì)于電量更敏感，低電壓版本有助于節(jié)約用電增加整體續(xù)航。

而LPDDR5目前還沒有x版本，主要因?yàn)長(zhǎng)PDDR5的功耗進(jìn)一步控制，電壓相較于LPDDR4x未發(fā)生變化，意味著即便不用將低電壓也有很好的功耗表現(xiàn)。你以為這就結(jié)束了么?當(dāng)然不是，在閑置狀態(tài)下的電流將減少40%，意味著LPDDR5比上一代產(chǎn)品天生省電。而手機(jī)現(xiàn)在整體功耗堪憂，主要是大屏幕消耗更高，所以從其他地方節(jié)約是必須的，因此明年旗艦手機(jī)沒什么理由拒絕LPDDR5內(nèi)存。

另外從性能方面，LPDDR5的速度將達(dá)到6400Mbps，LPDDR4X的峰值4266Mbps，提升了大約50%左右。同時(shí)將引入WCK差分時(shí)鐘，在不增加引腳的情況下提升頻率。還將引入Link ECC，具備從傳輸錯(cuò)誤中恢復(fù)數(shù)據(jù)的能力。

從性能和易用性來看，LPDDR5都是未來旗艦手機(jī)的更優(yōu)選擇。

前些年，華為P10手機(jī)發(fā)布的時(shí)候因?yàn)?ldquo;閃存門”事件才算是讓部分消費(fèi)者真正意識(shí)到了存儲(chǔ)原來還是有去別的，以往消費(fèi)者只關(guān)心存儲(chǔ)的容量大小16GB、32GB或者64GB等等，很少有人關(guān)心存儲(chǔ)的性能和速度，更是少有人了解USF和eMMC存儲(chǔ)的區(qū)別。

現(xiàn)在很多中低端手機(jī)還在使用eMMC存儲(chǔ)(應(yīng)該大多數(shù)都是eMMC 5.1版本了)，這種存儲(chǔ)價(jià)格相比UFS 2.0更便宜，所以能夠有效降低成本，不過理論貸款速度最高只有600MB/s，比UFS 2.0的1450MB/s低了很多，寫入和讀取速度也低了不少。因此現(xiàn)在中高端手機(jī)都使用了UFS 2.1版本的存儲(chǔ)，有更好的性能體現(xiàn)。

而UFS 2.1版本也只是單通道單向，UFS 3.0則實(shí)現(xiàn)了雙通道雙向，理論帶寬達(dá)到了23.2Gbps，相比之下有著強(qiáng)大的數(shù)字提升，不過對(duì)于消費(fèi)者來說實(shí)際使用過程中速度提升沒有那么夸張，但依然會(huì)有很大提升就是了。

除了性能提升之外，支持的分區(qū)也增加了，糾錯(cuò)性能也得到提升。不過考慮到這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)今年年初才剛剛公布，應(yīng)市面上還沒有什么手機(jī)處理器能夠完全支持，所以預(yù)計(jì)要等到明年驍龍855以及之后的處理器出來才可以完全支撐，至少2018年我們很難見到UFS 3.0版本存儲(chǔ)的手機(jī)了，即便有恐怕也到不到理想的使用體驗(yàn)。

存儲(chǔ)速度提升對(duì)我們有什么意義呢?其實(shí)可以更簡(jiǎn)單點(diǎn)說，比如我們?cè)赩R或者4K、8K視頻拍攝的時(shí)候，高性能存儲(chǔ)有利于我們更流暢的記錄視頻數(shù)據(jù)，保證視頻錄制的效率。尤其是VR視頻非常重要，存儲(chǔ)速度不夠快會(huì)有很大的負(fù)面影響。

這個(gè)規(guī)范可以被視作SD7.0版本，他通過整合PCIe 3.0界面及NVMe v1.3傳輸協(xié)定，可以實(shí)現(xiàn)最高985MB/s的傳送速率，雖然沒有UFS存儲(chǔ)那么高效率，不過外接存儲(chǔ)的價(jià)格便宜，有更好的靈活性，可以根據(jù)個(gè)人的需求選擇容量，因此很受到一部分中低端Android平臺(tái)手機(jī)的歡迎，所以一大部分Android手機(jī)都支持存儲(chǔ)卡拓展，甚至一些手機(jī)的存儲(chǔ)卡槽可以與SIM卡通用，更是增加了手機(jī)便利性。

不過存儲(chǔ)卡的速度往往有很大限制，一般來說是不如內(nèi)置ROM存儲(chǔ)速度快的額，但使用了SD Express協(xié)議之后的產(chǎn)品，速度還是很可觀的，可以實(shí)現(xiàn)RAD攝像、連續(xù)拍攝和、8K影片拍攝等等，同時(shí)可以提升存儲(chǔ)的最大支持容量。

預(yù)計(jì)，未來手機(jī)廠商都會(huì)逐步向這三項(xiàng)新規(guī)范的產(chǎn)品過渡，不僅僅是Android平臺(tái)，甚至蘋果也會(huì)如此，不過大家稍安勿躁，今年恐怕很難見到了，明年預(yù)計(jì)會(huì)成為高端的主流。