7月2日消息 據外媒 prnewswire 今日報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。

IT之家了解到，去年 8 月 SK 海力士宣布成功研發(fā)出新一代 DRAM 內存 / 顯存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量產這一代 HBM2E 存儲。

圖源 SK 海力士官網

官方稱其 HBM2E 擁有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的帶寬、 共 1024 個 I / O（輸入 / 輸出）。HBM2E 通過 TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技術垂直堆疊八顆 16Gb DRAM 芯片，容量達16GB，是上一代產品（HBM2）兩倍以上的容量。

值得一提的是，SK 海力士也是第一個研發(fā)出 HBM 存儲的廠商。首發(fā)于 2015 年的 AMD Radeon Fury 顯卡中。

海力士還表示，HBM2E 是適合深度學習加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機等新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案，將用于更多合作伙伴的產品。

注：

HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內存，相較傳統(tǒng) DRAM，借助 TSV 技術提升數據處理速度的高性能、高帶寬存儲器產品

TSV（Through Silicon Via）：硅打孔技術，通過在 DRAM 芯片打上數千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術，可降低芯片功耗以及縮減芯片體積。

460GB/s 計算：以每 pin 3.6Gbps 的速度通過 1024 個數據 I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。