SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM存儲器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM(異步SRAM)、Sync SRAM(同步SRAM)等。

下面解析關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點。半導(dǎo)體隨機存儲器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲矩陣，譯碼驅(qū)動電路和讀/寫電路等等。

1、重要概念

讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。

地址線：單向輸入，其位數(shù)與芯片的容量有關(guān)片

選線：確定哪個芯片被選中(用來選擇芯片)

數(shù)據(jù)線：雙向輸入，其位數(shù)與芯片可讀出或者寫入的位數(shù)有關(guān)，也與芯片容量有關(guān)。

2、存儲容量

通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。

下面我們來看一道例題：一個64Kx8位的存儲器，可以由()個16kx1位的存儲芯片構(gòu)成?分析：64Kx8位，說明該存儲器是以8位構(gòu)成一個字，因此，每讀出一個字，需要選中8片16kx1位的存儲芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16=4片，根據(jù)組合的原理，一共需要4x8=32片。

從圖中我們可以看出，相當(dāng)于把32個芯片分成了4組，每組8片(表示8位)。于是得出這樣的結(jié)論：

SRAM存儲器元件所使用的mos管多，占用硅片面積大，集成度低，但是采用觸發(fā)器工作原理存儲信息，因此即使信息讀出之后，它仍然保持原狀，不需要再生，但是電源掉電時，原存有的信息就會消失，因此它屬于易失性存儲器。

3、基本特點

觸發(fā)器優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。

觸發(fā)器缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。

SRAM使用的系統(tǒng)：CPU與主存之間的高速緩存。CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。

CPU外部擴充用的COAST高速緩存。CMOS146818芯片(RT&CMOS SRAM)。