日前，中國國際半導體技術大會（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會議重點是探討先進制造和封裝。

其中，光刻機一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設備，EUV技術已經(jīng)被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關鍵因素之一。

Yen援引統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當年共售出53臺EUV NXE：3400系列EUV光刻機，使用EUV機器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達到1000萬片。他說，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電路的最關鍵武器。

Yen還指出，三星電子于2020年3月宣布正式采用EUV光刻設備制造10nm DRAM芯片，預計2021年將大量使用這些設備來支持先進的DRAM工藝。

臺積電研發(fā)副總裁Doug Yu則在會上提及，Chiplet小芯片系統(tǒng)封裝技術被認為是擴展摩爾定律有效性的另一種武器，它認為Chiplets可以促進芯片集成、降低研發(fā)成本、提高成品率和實現(xiàn)高性能計算以及設計和架構創(chuàng)新。Yu透露，臺積電開發(fā)了LIPINCONTM(低壓封裝互連)技術，數(shù)據(jù)傳輸速度為8GB/s/pin，旨在優(yōu)化芯片的性能。

除前端工藝技術外，臺積電還熱衷于開發(fā)先進的封裝工藝，最新的3D SoIC封裝技術將于2021年進入批量生產(chǎn)，這將促進高性能芯片的成本效益生產(chǎn)。

值得一提的是，Intel院士Ravi Mahajan援引Yole的統(tǒng)計數(shù)據(jù)稱，2024年先進的封裝市場規(guī)模將增長到440億美元，這促使Intel加緊在2.5D和3D封裝業(yè)務中的部署。

Intel所謂的2.5D封裝即EMIB多芯片互聯(lián)，封裝尺度目前是55nm，3D封裝則是Foveros，尺度50nm。Intel正致力于將EMIB推進到30-45 nm，3D Foveros推進到20~35nm。