臺積電作為全球最大的代工合同制造商，臺積電的主要客戶包括蘋果，高通和華為。預估計，臺積電明年開始風險生產3nm工藝節(jié)點。今年，蘋果和華為將分別交付其最先進的芯片，分別為A14 Bionic和HiSilicon Kirin 1020。

兩者都將使用臺積電的5nm工藝制造，這意味著組件內部的晶體管數(shù)量將增加約77%。這些芯片比7nm芯片更強大，更節(jié)能。由于美國新的出口規(guī)定，臺積電將從9月下旬開始無法向華為發(fā)貨組件。美國禁止任何使用美國技術的晶圓代工廠在未獲得許可的情況下將半導體運送給華為。

該晶圓代工廠幾天前表示，它將不會在9月14日之后將晶圓運送給華為。臺積電首席執(zhí)行官劉銘文尚未評論他是否會嘗試從美國獲得許可，以繼續(xù)與中國制造商開展業(yè)務。

臺積電的5nm制程被用于制造A14仿生芯片，iPhone 12系列將搭載該處理器!

通常，芯片內的晶體管越多，功率和能效就越高。大約每隔一年，晶體管密度將增加近一倍，從而使公司可以設計功能更強大的組件。例如，蘋果A14 Bionic內部將有150億個晶體管，而A13 Bionic內部有85億個晶體管，而A12 Bionic則有69億個晶體管。如果一切按計劃進行，Apple iPhone 12系列將是首款采用5nm芯片的手機。

臺積電將發(fā)布的首款5nm 高通芯片很可能為高通875。該芯片將為2021年上半年的大多數(shù)Android旗艦提供動力，并將包括ARM的新超級內核Cortex X1。后者可以使使用ARM Cortex-A77內核的芯片性能提高30%。但是，最近的一份報告表明，臺積電的主要競爭對手三星鑄造公司將使用其5nm EUV工藝生產Snapdragon 875G。EUV或極紫外光刻技術使用極細的紫外光蝕刻芯片上的圖案，以顯示應該將晶體管放置在何處。

臺積電表示，將在美國建立一家工廠，該工廠將于2023年開始生產。但是，據報道，它將在生產5nm芯片，這將比3nm組件落后一代，該3nm組件將在臺積電亞洲的工廠組裝線上下線。

現(xiàn)在臺積電正在展望3nm模式。據MyDrivers稱，代工廠計劃明年生產3nm芯片。正如我們在四月指出的那樣，這些是代工廠生產的芯片，制造商愿意購買它們而無需通過標準測試程序。臺積電表示，其3nm芯片的性能將提高10%至15%，能源效率提高20%至25%。今天的報告提到，蘋果的A16芯片(將于2022年發(fā)貨)將使用3nm制程制造。

臺積電最初計劃將3nm工藝制程使用的FinFET晶體管轉變?yōu)镚AA(全能門)。

代工廠已經決定繼續(xù)使用FinFET來控制流經晶體管的電流，直到準備好轉移到2nm制程為止。