AMD及NVIDIA新一代顯卡開始使用GDDR6顯存，更高端的產(chǎn)品才有可能使用HBM顯存，其帶寬遠高于GDDR技術(shù)。目前的HBM內(nèi)存/顯存主要是三星、SK海力士在生產(chǎn)，美光此前表態(tài)不會錯過這個市場，5月份季度已經(jīng)開始出樣了。

根據(jù)美光的信息，他們在上個季度（截至5月28日的財季）中已經(jīng)出樣了首款HBM內(nèi)存/顯存芯片，它與業(yè)界最先進的產(chǎn)品相比都有足夠的競爭力，將會擴展美光在AI數(shù)據(jù)中心市場的機會。

從美光的表態(tài)來看，他們的HBM內(nèi)存/顯存芯片已經(jīng)搞定了，并且出樣給客戶，也不可能是第一代HBM了，至少也是HBM2或者最新的HBM2e。

今年2月份，固態(tài)存儲協(xié)會（JEDEC）發(fā)布第三版HBM2存儲標準JESD235C，也就是HBM2e，將針腳帶寬提高到3.2Gbps，前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps，環(huán)比提升33%。

按照設(shè)計規(guī)范，單Die最大2GB、單堆棧12 Die（無標準高度限制），也就是24GB容量，匹配1024bit位寬，單堆棧理論最大帶寬410GB/s。對于支持四堆棧（4096bit）的圖形芯片來說，總帶寬高達1.64TB/s，容量高達96GB。

第三代HBM2的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。